基本信息:
- 专利标题： 氮化物半導體紫外線發光元件的製造方法及氮化物半導體紫外線發光元件
- 专利标题（中）：氮化物半导体紫外线发光组件的制造方法及氮化物半导体紫外线发光组件
- 申请号：TW106142649 申请日：2017-12-06
- 公开(公告)号：TW201836169A 公开(公告)日：2018-10-01
- 发明人： 平野光 , HIRANO, AKIRA , 長澤陽祐 , NAGASAWA, YOSUKE , 秩父重英 , CHICHIBU, SHIGEFUSA , 小島一信 , KOJIMA, KAZUNOBU
- 申请人： 日商創光科學股份有限公司 , SOKO KAGAKU CO., LTD.
- 专利权人： 日商創光科學股份有限公司,SOKO KAGAKU CO., LTD.
- 当前专利权人： 日商創光科學股份有限公司,SOKO KAGAKU CO., LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2017-026244 20170215
- 主分类号： H01L33/32
- IPC分类号： H01L33/32 ; H01L33/02
摘要：
一種峰值發光波長為285nm以下的氮化物半導體紫外線發光元件的製造方法，係具備： 第1步驟，其係於包含藍寶石基板的底部的上面，形成以n型的AlXGa1-XN(1≧X≧0.5)系半導體所構成的n型半導體層； 第2步驟，其係於n型半導體層的上方，形成包含以AlYGa1-YN(X＞Y＞0)系半導體所構成的發光層，全體以AlGaN系半導體所構成的活性層；及 第3步驟，其係於活性層的上方，形成以p型的 AlZGa1-ZN(1≧Z＞Y)系半導體所構成的p型半導體層。 此製造方法，係第2步驟的成長溫度為比1200℃更高且第1步驟的成長溫度以上。
摘要（中）：
一种峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光组件的制造方法，系具备： 第1步骤，其系于包含蓝宝石基板的底部的上面，形成以n型的AlXGa1-XN(1≧X≧0.5)系半导体所构成的n型半导体层； 第2步骤，其系于n型半导体层的上方，形成包含以AlYGa1-YN(X＞Y＞0)系半导体所构成的发光层，全体以AlGaN系半导体所构成的活性层；及 第3步骤，其系于活性层的上方，形成以p型的 AlZGa1-ZN(1≧Z＞Y)系半导体所构成的p型半导体层。 此制造方法，系第2步骤的成长温度为比1200℃更高且第1步骤的成长温度以上。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L33/16 | ..具有一个特殊晶体结构或取向，例如多晶的、非晶的或多孔的 |
| ------------H01L33/30 | ...只包括周期体系中的III族和V族的元素 |
| --------------H01L33/32 | ....含氮 |