基本信息:
- 专利标题： 使用原子層蝕刻與選擇性沉積以蝕刻基板
- 专利标题（英）：Etching substrates using ale and selective deposition
- 专利标题（中）：使用原子层蚀刻与选择性沉积以蚀刻基板
- 申请号：TW106113845 申请日：2017-04-26
- 公开(公告)号：TW201802935A 公开(公告)日：2018-01-16
- 发明人： 陳 暹華 , TAN, SAMANTHA , 游 正義 , YU, JENGYI , 威茲 理查 , WISE, RICHARD , 莎瑪 納德 , SHAMMA, NADER , 潘 陽 , PAN, YANG
- 申请人： 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
- 专利权人： 蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人： 蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
- 代理人： 許峻榮
- 优先权： 62/329,916 20160429;15/494,245 20170421
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/3205 ; G03F1/80
摘要：
提供用以利用原子層蝕刻及選擇性沉積來處理具有含碳材料之基板的方法及設備。該方法涉及：將基板上的含碳材料曝露至氧化劑、並於第一偏壓電力激發第一電漿，以使該基板的表面改質；以及將經改質的表面曝露至第二偏壓電力的惰性電漿，以移除該經改質的表面。該方法亦涉及：選擇性地沉積第二含碳材料至該基板上。ALE及選擇性沉積可在不破壞真空的情況下進行。
摘要（中）：
提供用以利用原子层蚀刻及选择性沉积来处理具有含碳材料之基板的方法及设备。该方法涉及：将基板上的含碳材料曝露至氧化剂、并于第一偏压电力激发第一等离子，以使该基板的表面改质；以及将经改质的表面曝露至第二偏压电力的惰性等离子，以移除该经改质的表面。该方法亦涉及：选择性地沉积第二含碳材料至该基板上。ALE及选择性沉积可在不破坏真空的情况下进行。
摘要（英）：
Methods of and apparatuses for processing substrates having carbon-containing material using atomic layer etch and selective deposition are provided. Methods involve exposing a carbon-containing material on a substrate to an oxidant and igniting a first plasma at a first bias power to modify a surface of the substrate and exposing the modified surface to an inert plasma at a second bias power to remove the modified surface. Methods also involve selectively depositing a second carbon-containing material onto the substrate. ALE and selective deposition may be performed without breaking vacuum.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |