基本信息:
- 专利标题： 薄型矽基板上之應力控制
- 专利标题（英）：Stress control on thin silicon substrates
- 专利标题（中）：薄型硅基板上之应力控制
- 申请号：TW105137819 申请日：2016-11-18
- 公开(公告)号：TW201729246A 公开(公告)日：2017-08-16
- 发明人： 蘇杰 , SU, JIE , 帕布朱利爾斯 喬治 , PAPASOULIOTIS, GEORGE
- 申请人： 維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
- 专利权人： 維克儀器公司,VEECO INSTRUMENTS INC.
- 当前专利权人： 維克儀器公司,VEECO INSTRUMENTS INC.
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 14/953,792 20151130
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L29/20 ; H01L29/205 ; H01L29/66 ; H01L29/778
摘要：
本發明係關於用於薄型矽(Si)晶圓類半導體材料中應力控制之方法。藉由方法參數(例如溫度、反應物供應、時間)之特定相互關係，在Si基板上形成高度均一晶核層，其減輕及/或更好控制形成於該薄型Si基板上之後續層中的應力(拉伸及壓縮)。
摘要（中）：
本发明系关于用于薄型硅(Si)晶圆类半导体材料中应力控制之方法。借由方法参数(例如温度、反应物供应、时间)之特定相互关系，在Si基板上形成高度均一晶核层，其减轻及/或更好控制形成于该薄型Si基板上之后续层中的应力(拉伸及压缩)。
摘要（英）：
Methods for stress control in thin silicon (Si) wafer-based semiconductor materials. By a specific interrelation of process parameters (e. g., temperature, reactant supply, time), a highly uniform nucleation layer is formed on the Si substrate that mitigates and/or better controls the stress (tensile and compressive) in subsequent layers formed on the thin Si substrate.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |