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1. 发明专利

TW200903592A 氣體處理系統 GAS TREATMENT SYSTEMS 审中-公开
简体标题：气体处理系统 GAS TREATMENT SYSTEMS
公开(公告)号：TW200903592A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097101198
申请日：2008-01-11
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A. , 艾利克斯古瑞 GURARY, ALEX , 波仁密托維克 MITROVIC, BOJAN
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要：本發明係關於一種MOCVD反應器,例如旋轉盤式反應器(10),其裝備有氣體注射頭,該氣體注射頭具有配置於相鄰氣體入口之間的擴散器(129)。該擴散器沿下游方向逐漸變細。注射頭理想地具有供第一氣體,例如金屬烷基化物用的入口(117),其係以輻射列的方式配置,該等輻射列從反應器壁輻射狀向內終止以將反應器壁上的反應物沉積減至最少。注射頭亦理想地具有供第二氣體,例如氨用的入口(125),其係安排於第一氣體入口列之間的區域中,並且另外具有供第二氣體用與旋轉軸同軸的中央入口(135)。
简体摘要：本发明系关于一种MOCVD反应器,例如旋转盘式反应器(10),其装备有气体注射头,该气体注射头具有配置于相邻气体入口之间的扩散器(129)。该扩散器沿下游方向逐渐变细。注射头理想地具有供第一气体,例如金属烷基化物用的入口(117),其系以辐射列的方式配置,该等辐射列从反应器壁辐射状向内终止以将反应器壁上的反应物沉积减至最少。注射头亦理想地具有供第二气体,例如氨用的入口(125),其系安排于第一气体入口列之间的区域中,并且另外具有供第二气体用与旋转轴同轴的中央入口(135)。

2. 发明专利

TW200935543A 具有轂盤之晶圓載體 WAFER CARRIER WITH HUB 失效
简体标题：具有毂盘之晶圆载体 WAFER CARRIER WITH HUB
公开(公告)号：TW200935543A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097148559
申请日：2008-12-12
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：維汀伯古斯拉維斯基 BOGUSLAVSKIY, VADIM , 亞歷山大I 葛拉瑞 GURARY, ALEXANDER I. , 肯摩依 MOY, KENG , 艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要：本發明揭示一種用於一旋轉盤CVD反應器之晶圓載體(30),其包含一由例如碳化矽之陶瓷製成之整體板(32),該板在其上游表面(34)上界定例如凹穴(38)之晶圓固持特徵,且亦包含一轂盤(40),該轂盤係在該板(32)之一中心區域(44)中以可移除方式安裝至該板(32)。該轂盤(40)提供對該反應器之心軸(16)之堅固連接,而不在該陶瓷板(32)上强加集中應力。該轂盤(40)可在該板(32)之清潔期間移除。該晶圓載體(30)亦較佳地在該板(32)之該上游表面(34)上於該板(32)之該中心區域(44)中包含一氣體流動促進元件(348、448)。該氣體流動促進元件(348、448)幫助重定向入射氣體沿該上游表面(34)並遠離該中心區域(44)中一流動不連續之流動。
简体摘要：本发明揭示一种用于一旋转盘CVD反应器之晶圆载体(30),其包含一由例如碳化硅之陶瓷制成之整体板(32),该板在其上游表面(34)上界定例如凹穴(38)之晶圆固持特征,且亦包含一毂盘(40),该毂盘系在该板(32)之一中心区域(44)中以可移除方式安装至该板(32)。该毂盘(40)提供对该反应器之心轴(16)之坚固连接,而不在该陶瓷板(32)上强加集中应力。该毂盘(40)可在该板(32)之清洁期间移除。该晶圆载体(30)亦较佳地在该板(32)之该上游表面(34)上于该板(32)之该中心区域(44)中包含一气体流动促进组件(348、448)。该气体流动促进组件(348、448)帮助重定向入射气体沿该上游表面(34)并远离该中心区域(44)中一流动不连续之流动。

3. 发明专利

TW200925313A 用於旋轉碟式氣體反應器之可移動噴射器 MOVABLE INJECTORS IN ROTATING DISC GAS REACTORS 审中-公开
简体标题：用于旋转碟式气体反应器之可移动喷射器 MOVABLE INJECTORS IN ROTATING DISC GAS REACTORS
公开(公告)号：TW200925313A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097126145
申请日：2008-07-10
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：皮耶洛斯佛拉佐 SFERLAZZO, PIERO , 亞歷山大I 葛拉瑞 GURARY, ALEXANDER I. , 艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A. , 威廉E 昆恩 QUINN, WILLIAM E. , 史蒂夫汀 TING, STEVE
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45589
摘要：本發明提供一種在一旋轉碟式化學氣相沈積反應系統中用於將材料層均勻地沈積於晶圓上之系統及方法,其中使一個或多個基板繞一軸線在一載體上旋轉,同時維持該一個或多個基板之表面與該旋轉軸線大致垂直並面向一沿該旋轉軸線之下游方向。在旋轉期間,自第一組氣體進口沿朝向該一個或多個基板之該下游方向排放第一氣體。自至少一個可移動氣體噴射器沿朝向該一個或多個基板之該下游方向排放第二氣體,並以一沿一朝向或遠離該旋轉軸線之徑向方向之運動分量移動該至少一個可移動氣體進口。
简体摘要：本发明提供一种在一旋转碟式化学气相沉积反应系统中用于将材料层均匀地沉积于晶圆上之系统及方法,其中使一个或多个基板绕一轴线在一载体上旋转,同时维持该一个或多个基板之表面与该旋转轴线大致垂直并面向一沿该旋转轴线之下游方向。在旋转期间,自第一组气体进口沿朝向该一个或多个基板之该下游方向排放第一气体。自至少一个可移动气体喷射器沿朝向该一个或多个基板之该下游方向排放第二气体,并以一沿一朝向或远离该旋转轴线之径向方向之运动分量移动该至少一个可移动气体进口。

4. 发明专利

TWI293774B 用於生長氮化鎵晶圓之晶圓載體 WAFER CARRIER FOR GROWING GAN WAFERS 有权
简体标题：用于生长氮化镓晶圆之晶圆载体 WAFER CARRIER FOR GROWING GAN WAFERS
公开(公告)号：TWI293774B
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：TW094106668
申请日：2005-03-04
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：維汀伯古斯拉維斯基 BOGUSLAVSKIY, VADIM , 亞歷山大葛拉瑞 GURARY, ALEXANDER , 理查A 史托 STALL, RICHARD A.
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種用於生長晶圓之晶圓載體224，其包括：一平板225，其具有一第一表面226與一第二表面228；複數個開口230，其係從該平板225之第一表面26延伸至第二表面228；以及，一多孔元件236，其係置放於該等複數個開口230中的每一開口內，每一多孔元件236皆係調適成支撐一或多個晶圓。該晶圓載體224還具有：一盲中心開口244，其從該平板225之第二表面228朝該第一表面226延伸；以及，複數個軸242，其從該盲中心開口244向外延伸。每一軸242皆具有：一第一端，其係與該盲中心開口244連通；以及一第二端，其係與該等多孔元件236中的一元件連通，以提供該盲中心開口與該等多孔元件中其一元件之間的流體連通。經由該盲中心開口244及該等軸242而抽吸真空，從而在每一多孔元件236之一表面形成吸力。
简体摘要：本发明揭示一种用于生长晶圆之晶圆载体224，其包括：一平板225，其具有一第一表面226与一第二表面228；复数个开口230，其系从该平板225之第一表面26延伸至第二表面228；以及，一多孔组件236，其系置放于该等复数个开口230中的每一开口内，每一多孔组件236皆系调适成支撑一或多个晶圆。该晶圆载体224还具有：一盲中心开口244，其从该平板225之第二表面228朝该第一表面226延伸；以及，复数个轴242，其从该盲中心开口244向外延伸。每一轴242皆具有：一第一端，其系与该盲中心开口244连通；以及一第二端，其系与该等多孔组件236中的一组件连通，以提供该盲中心开口与该等多孔组件中其一组件之间的流体连通。经由该盲中心开口244及该等轴242而抽吸真空，从而在每一多孔组件236之一表面形成吸力。

5. 发明专利

TW200632997A 用於生長氮化鎵晶圓之晶圓載體 WAFER CARRIER FOR GROWING GAN WAFERS 审中-公开
简体标题：用于生长氮化镓晶圆之晶圆载体 WAFER CARRIER FOR GROWING GAN WAFERS
公开(公告)号：TW200632997A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094106668
申请日：2005-03-04
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：維汀伯古斯拉維斯基 BOGUSLAVSKIY, VADIM , 亞歷山大葛拉瑞 GRUARY, ALEXANDER , 理查A 史托 STALL, RICHARD A.
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種用於生長晶圓之晶圓載體224，其包括：一平板225，其具有一第一表面226與一第二表面228；複數個開口230，其係從該平板225之第一表面26延伸至第二表面228；以及，一多孔元件236，其係置放於該等複數個開口230中的每一開口內，每一多孔元件236皆係調適成支撐一或多個晶圓。該晶圓載體224還具有：一盲中心開口244，其從該平板225之第二表面228朝該第一表面226延伸；以及，複數個軸242，其從該盲中心開口244向外延伸。每一軸242皆具有：一第一端，其係與該盲中心開口244連通；以及一第二端，其係與該等多孔元件236中的一元件連通，以提供該盲中心開口與該等多孔元件中其一元件之間的流體連通。經由該盲中心開口244及該等軸242而抽吸真空，從而在每一多孔元件236之一表面形成吸力。
简体摘要：本发明揭示一种用于生长晶圆之晶圆载体224，其包括：一平板225，其具有一第一表面226与一第二表面228；复数个开口230，其系从该平板225之第一表面26延伸至第二表面228；以及，一多孔组件236，其系置放于该等复数个开口230中的每一开口内，每一多孔组件236皆系调适成支撑一或多个晶圆。该晶圆载体224还具有：一盲中心开口244，其从该平板225之第二表面228朝该第一表面226延伸；以及，复数个轴242，其从该盲中心开口244向外延伸。每一轴242皆具有：一第一端，其系与该盲中心开口244连通；以及一第二端，其系与该等多孔组件236中的一组件连通，以提供该盲中心开口与该等多孔组件中其一组件之间的流体连通。经由该盲中心开口244及该等轴242而抽吸真空，从而在每一多孔组件236之一表面形成吸力。

6. 发明专利

TWI313482B 增加材料發射率之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR INCREASING THE EMISSIVITY OF A MATERIAL 有权
简体标题：增加材料发射率之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR INCREASING THE EMISSIVITY OF A MATERIAL
公开(公告)号：TWI313482B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW093136753
申请日：2004-11-29
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：法迪鮑格斯拉夫斯基 BOGUSLAVSKIY, VADIM , 亞歷山大格拉瑞 GURARY, ALEXANDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23F1/26 , C21D7/06 , C21D2261/00 , C22F1/18 , F28F13/18 , F28F2245/06
摘要：本發明揭示了一種用於增加固體材料發射率之系統及方法,其中:首先,該材料之表面係經機械加工以產生微級缺陷,且然後經蝕刻以產生一深微粗糙表面形態。以此方式,當此等經改質之材料用於加熱元件時,可獲得較高效率及較低能量消耗。因此,當該等經改良之加熱元件用於各種加熱裝置時,根據此方法製成之加熱元件可以較長壽命操作在較低溫度下。
简体摘要：本发明揭示了一种用于增加固体材料发射率之系统及方法,其中:首先,该材料之表面系经机械加工以产生微级缺陷,且然后经蚀刻以产生一深微粗糙表面形态。以此方式,当此等经改质之材料用于加热组件时,可获得较高效率及较低能量消耗。因此,当该等经改良之加热组件用于各种加热设备时,根据此方法制成之加热组件可以较长寿命操作在较低温度下。

7. 发明专利

TW200835017A 氣相沈積源及方法 VAPOR DEPOSITION SOURCES AND METHODS 失效
简体标题：气相沉积源及方法 VAPOR DEPOSITION SOURCES AND METHODS
公开(公告)号：TW200835017A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096148479
申请日：2007-12-18
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：史考特韋恩裴迪 PRIDDY, SCOTT WAYNE , 理察查爾斯貝思納翰 BRESNAHAN, RICHARD CHARLES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/542 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要：本發明提供氣相沈積源、系統及相關之沈積方法。提供用於以一難以控制或在其他方面不穩定之方式蒸發或昇華之材料的氣相沈積源。本發明尤其可適用於沈積有機材料,例如用於在有機發光裝置中形成一或多層之有機材料。
简体摘要：本发明提供气相沉积源、系统及相关之沉积方法。提供用于以一难以控制或在其他方面不稳定之方式蒸发或升华之材料的气相沉积源。本发明尤其可适用于沉积有机材料,例如用于在有机发光设备中形成一或多层之有机材料。

8. 发明专利

TW200825198A 用於垂直流旋轉盤反應器之密度匹配烷推送流 DENSITY-MATCHING ALKYL PUSH FLOW FOR VERTICAL FLOW ROTATING DISK REACTORS 审中-公开
简体标题：用于垂直流旋转盘反应器之密度匹配烷推送流 DENSITY-MATCHING ALKYL PUSH FLOW FOR VERTICAL FLOW ROTATING DISK REACTORS
公开(公告)号：TW200825198A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096136935
申请日：2007-10-02
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：波仁密托維克 MITROVIC, BOJAN , 艾利克斯古瑞 GURARY, ALEX , 威廉昆恩 QUINN, WILLIAM , 艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/52 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/165
摘要：本發明係關於一種用於在基板上生長磊晶層之旋轉盤反應器或其他CVD反應器系統,其中在離盤之轉軸(14)不同徑向距離之進氣口(8a-8d)處引導至基板(3a、3b、3c)之氣體具有實質上相同之氣體流動速率/速度及在每一進口處實質上相同之氣體密度。經引導至離軸遠之盤部分之氣體可包括比經引導至離軸近之盤部分之氣體高的反應氣體濃度,以致離軸不同距離之基板表面部分每一單位面積接收實質上相同量之反應氣體,且在離轉軸不同徑向距離處使用具有不同相對分子量之載氣的組合以實質上地使反應器之每一區域中之氣體密度相等。該系統可在多個進氣口處之載氣組合、多個進口處之載氣與反應氣體之組合下應用,且當提供至少兩種具有不同分子量之氣體時,可與任意大量之氣體一起使用。在反應器內獲得線性流動模式,其避免層狀再循環區域且允許基板上磊晶層之均勻沈積及生長。
简体摘要：本发明系关于一种用于在基板上生长磊晶层之旋转盘反应器或其他CVD反应器系统,其中在离盘之转轴(14)不同径向距离之进气口(8a-8d)处引导至基板(3a、3b、3c)之气体具有实质上相同之气体流动速率/速度及在每一进口处实质上相同之气体密度。经引导至离轴远之盘部分之气体可包括比经引导至离轴近之盘部分之气体高的反应气体浓度,以致离轴不同距离之基板表面部分每一单位面积接收实质上相同量之反应气体,且在离转轴不同径向距离处使用具有不同相对分子量之载气的组合以实质上地使反应器之每一区域中之气体密度相等。该系统可在多个进气口处之载气组合、多个进口处之载气与反应气体之组合下应用,且当提供至少两种具有不同分子量之气体时,可与任意大量之气体一起使用。在反应器内获得线性流动模式,其避免层状再循环区域且允许基板上磊晶层之均匀沉积及生长。

9. 发明专利

TW200739797A 經由晶圓載具溫度平移改變晶圓表面溫度的系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR VARYING WAFER SURFACE TEMPERATURE VIA WAFER-CARRIER TEMPERATURE OFFSET 审中-公开
简体标题：经由晶圆载具温度平移改变晶圆表面温度的系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR VARYING WAFER SURFACE TEMPERATURE VIA WAFER-CARRIER TEMPERATURE OFFSET
公开(公告)号：TW200739797A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096104280
申请日：2007-02-06
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：艾利克斯古瑞 GURARY, ALEX , 艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A. , 里查德霍夫曼 HOFFMAN, RICHARD , 喬納森庫爾 CRUEL, JONATHAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4586
摘要：本發明提供一種用於均勻地加熱置於一用於諸如化學蒸汽沈積反應器之晶圓處理系統的晶圓載具中之基板的系統及方法,其中在該晶圓載具之頂部提供一第一圖案之晶圓隔室,諸如一或多個晶圓載具圓環,並在該晶圓載具之底部鑲嵌不同於該晶圓載具材料之一第二圖案之嵌入材料,且嵌入材料之該第二圖案大體上與晶圓隔室之該第一圖案相反,使得在不具有晶圓隔室之中間區域中至少存在與具有晶圓及晶圓隔室之晶圓承載區域中存在之材料界面一樣多的材料界面。
简体摘要：本发明提供一种用于均匀地加热置于一用于诸如化学蒸汽沉积反应器之晶圆处理系统的晶圆载具中之基板的系统及方法,其中在该晶圆载具之顶部提供一第一图案之晶圆隔室,诸如一或多个晶圆载具圆环,并在该晶圆载具之底部镶嵌不同于该晶圆载具材料之一第二图案之嵌入材料,且嵌入材料之该第二图案大体上与晶圆隔室之该第一图案相反,使得在不具有晶圆隔室之中间区域中至少存在与具有晶圆及晶圆隔室之晶圆承载区域中存在之材料界面一样多的材料界面。

10. 发明专利

TW200619415A 用於化學蒸汽沉積反應器之多氣體分配噴射器 MULTI-GAS DISTRIBUTION INJECTOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTORS 审中-公开
简体标题：用于化学蒸汽沉积反应器之多气体分配喷射器 MULTI-GAS DISTRIBUTION INJECTOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTORS
公开(公告)号：TW200619415A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094126032
申请日：2005-08-01
申请人：維克儀器公司 VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：艾瑞克A 亞莫 ARMOUR, ERIC A. , 艾利克斯古瑞 GURARY, ALEX , 莉芙凱登史基 KADINSKI, LEV , 羅伯朶佩哈姆 DOPPELHAMMER, ROBERT , 葛瑞托帕 TOMPA, GARY , 米克哈利凱特 KATS, MIKHAIL
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574
摘要：本發明係關於一種用於化學蒸汽沉積反應器之氣體分配噴射器，其具有安置於朝向一基板載體下游之內表面上之間隔開的位置處的前驅體氣體入口，且具有安置於該等前驅體氣體入口之間之載體開口。一或多種前驅體氣體經由該等前驅體氣體入口引入，且與該等前驅體氣體大體不反應之載體氣體經由該等載體氣體開口引入。該載體氣體使該噴射器上所形成之沉積物最少。該等載體氣體開口可藉由一界定該表面之多孔板或經由散置於前驅體入口之間之載體入口來提供。該等氣體入口可拆卸或同軸。
简体摘要：本发明系关于一种用于化学蒸汽沉积反应器之气体分配喷射器，其具有安置于朝向一基板载体下游之内表面上之间隔开的位置处的前驱体气体入口，且具有安置于该等前驱体气体入口之间之载体开口。一或多种前驱体气体经由该等前驱体气体入口引入，且与该等前驱体气体大体不反应之载体气体经由该等载体气体开口引入。该载体气体使该喷射器上所形成之沉积物最少。该等载体气体开口可借由一界定该表面之多孔板或经由散置于前驱体入口之间之载体入口来提供。该等气体入口可拆卸或同轴。

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