基本信息:
- 专利标题： 記憶體裝置及其操作方法
- 专利标题（英）：Memory device and method of operating the same
- 专利标题（中）：内存设备及其操作方法
- 申请号：TW105106676 申请日：2016-03-04
- 公开(公告)号：TW201712688A 公开(公告)日：2017-04-01
- 发明人： 李熙烈 , LEE, HEE YOUL
- 申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
- 专利权人： 愛思開海力士有限公司,SK HYNIX INC.
- 当前专利权人： 愛思開海力士有限公司,SK HYNIX INC.
- 代理人： 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： 10-2015-0136172 20150925
- 主分类号： G11C16/16
- IPC分类号： G11C16/16 ; G11C16/10
摘要：
一種具有多個記憶體塊的記憶體裝置，可以包括：多個記憶體單元，組成記憶體塊；以及兩個或更多個選擇電晶體，耦接至組成記憶體塊的多個記憶體單元，以及被配置成選擇記憶體塊，兩個或更多個選擇電晶體具有彼此不同的門檻電壓。
摘要（中）：
一种具有多个内存块的内存设备，可以包括：多个内存单元，组成内存块；以及两个或更多个选择晶体管，耦接至组成内存块的多个内存单元，以及被配置成选择内存块，两个或更多个选择晶体管具有彼此不同的门槛电压。
摘要（英）：
A memory device with a plurality of memory block may include a plurality of memory cells constituting a memory blocks, and two or more select transistors coupled to the plurality of memory cells constituting the memory block and configured to select the memory block, the two or more select transistors having different threshold voltages from one another.
公开/授权文献:
- TWI679646B 記憶體裝置及其操作方法 公开/授权日：2019-12-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |
| --------------G11C16/14 | ....用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路 |
| ----------------G11C16/16 | .....用于擦除块的，例如，阵列、字、组 |