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1. 发明专利

TWI685849B 半導體記憶體裝置以及其操作方法有权
简体标题：半导体内存设备以及其操作方法
公开(公告)号：TWI685849B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105119105
申请日：2016-06-17
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/26

2. 发明专利

TW201833936A 半導體記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201833936A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106133709
申请日：2017-09-29
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/30 , G11C16/08
摘要：一種半導體記憶體裝置包括：記憶體單元陣列，其包括連接在共用源極線和位元線之間的多個記憶體單元；以及電壓產生器，其將操作電壓施加至連接至記憶體單元的字元線或者使字元線的電位位準放電，其中，在程式驗證操作期間，電壓產生器將程式驗證電壓和通過電壓作為所述操作電壓施加至字元線，並且隨後在記憶體單元導通的週期期間將設定電壓施加至共用源極線。
简体摘要：一种半导体内存设备包括：内存单元数组，其包括连接在共享源极线和比特线之间的多个内存单元；以及电压产生器，其将操作电压施加至连接至内存单元的字符线或者使字符线的电位位准放电，其中，在进程验证操作期间，电压产生器将进程验证电压和通过电压作为所述操作电压施加至字符线，并且随后在内存单元导通的周期期间将设置电压施加至共享源极线。

3. 发明专利

TW201638944A 半導體記憶體裝置及程式化其之方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备及进程化其之方法
公开(公告)号：TW201638944A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104136152
申请日：2015-11-03
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C8/08 , G11C7/24
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C7/22 , G11C11/56 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
摘要：一種半導體記憶體裝置可以包括記憶體單元陣列，記憶體單元陣列包括記憶體單元，其中記憶體單元陣列中的要被程式化的頁可以包括：第一記憶體單元，被程式化在第一程式狀態；第二記憶體單元，被程式化在第二程式狀態；以及第三記憶體單元，被程式化在第三程式狀態，第二程式狀態具有比第一程式狀態的門檻電壓分佈高出一階或更多階的門檻電壓分佈，且具有比第三程式狀態的門檻電壓分佈低出一階或更多階的門檻電壓分佈，用於驗證第一程式狀態的第一主驗證電壓被用作用於驗證第三程式狀態的第三預驗證電壓。
简体摘要：一种半导体内存设备可以包括内存单元数组，内存单元数组包括内存单元，其中内存单元数组中的要被进程化的页可以包括：第一内存单元，被进程化在第一进程状态；第二内存单元，被进程化在第二进程状态；以及第三内存单元，被进程化在第三进程状态，第二进程状态具有比第一进程状态的门槛电压分布高出一阶或更多阶的门槛电压分布，且具有比第三进程状态的门槛电压分布低出一阶或更多阶的门槛电压分布，用于验证第一进程状态的第一主验证电压被用作用于验证第三进程状态的第三预验证电压。

4. 发明专利

TWI679638B 儲存裝置及其操作方法有权
简体标题：存储设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI679638B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105107326
申请日：2016-03-10
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C13/00 , G11C16/02

5. 发明专利

TW201712688A 記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201712688A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105106676
申请日：2016-03-04
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/06 , G11C5/02 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/34
摘要：一種具有多個記憶體塊的記憶體裝置，可以包括：多個記憶體單元，組成記憶體塊；以及兩個或更多個選擇電晶體，耦接至組成記憶體塊的多個記憶體單元，以及被配置成選擇記憶體塊，兩個或更多個選擇電晶體具有彼此不同的門檻電壓。
简体摘要：一种具有多个内存块的内存设备，可以包括：多个内存单元，组成内存块；以及两个或更多个选择晶体管，耦接至组成内存块的多个内存单元，以及被配置成选择内存块，两个或更多个选择晶体管具有彼此不同的门槛电压。

6. 发明专利

TW201705144A 半導體記憶體裝置和其之操作方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备和其之操作方法
公开(公告)号：TW201705144A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105103730
申请日：2016-02-04
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
摘要：一種半導體記憶體裝置，可以包括編程為具有第一編程狀態至第N編程狀態中的一個的多個記憶體單元，第一編程狀態至第N編程狀態根據記憶體單元的臨界電壓區分開，方法包括：藉由使用第一編程狀態至第N編程狀態之中的第N編程狀態的第一驗證電壓來判定在編程為第N-1編程狀態的記憶體單元之中是否存在過度編程單元；當存在過度編程單元時，判定過度編程單元的數目是否超過參考值；以及當過度編程單元的數目超過參考值時，向控制器輸出編程失敗信號。
简体摘要：一种半导体内存设备，可以包括编程为具有第一编程状态至第N编程状态中的一个的多个内存单元，第一编程状态至第N编程状态根据内存单元的临界电压区分开，方法包括：借由使用第一编程状态至第N编程状态之中的第N编程状态的第一验证电压来判定在编程为第N-1编程状态的内存单元之中是否存在过度编程单元；当存在过度编程单元时，判定过度编程单元的数目是否超过参考值；以及当过度编程单元的数目超过参考值时，向控制器输出编程失败信号。

7. 发明专利

TWI679648B 半導體記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：半导体内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI679648B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105106677
申请日：2016-03-04
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C29/08 , G11C29/14

8. 发明专利

TWI673715B 半導體記憶體裝置和其之操作方法有权
简体标题：半导体内存设备和其之操作方法
公开(公告)号：TWI673715B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW105103730
申请日：2016-02-04
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/02

9. 发明专利

TW201727654A 半導體記憶體裝置以及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备以及其操作方法
公开(公告)号：TW201727654A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105119105
申请日：2016-06-17
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C16/08 , G11C8/08 , G11C8/12 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/30
摘要：在實施方式中，一種操作半導體記憶體裝置的方法可以包括以下步驟：對選擇的記憶體區塊執行讀取操作；以及在所述讀取操作期間，使局部選擇線能夠浮置，使得耦合至未選擇的記憶體區塊的局部字線的電位位準增加。
简体摘要：在实施方式中，一种操作半导体内存设备的方法可以包括以下步骤：对选择的内存区块运行读取操作；以及在所述读取操作期间，使局部选择线能够浮置，使得耦合至未选择的内存区块的局部字线的电位位准增加。

10. 发明专利

TW201714182A 半導體記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201714182A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105106677
申请日：2016-03-04
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李熙烈 , LEE, HEE YOUL
IPC分类号： G11C29/08 , G11C29/14
CPC分类号： G11C16/08 , G11C7/1063 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C16/0483 , G11C16/12
摘要：一種半導體記憶體裝置，包括：記憶體單元陣列，包括多個記憶體單元；連接電路，包括耦接在全域字元線與多個記憶體單元之間的傳輸電晶體；位址解碼器，耦接到區塊字元線和全域字元線，區塊字元線耦接到傳輸電晶體的閘極；以及控制邏輯，根據半導體記憶體裝置的操作狀態來控制位址解碼器以及施加電壓脈衝到全域字元線和區塊字元線。
简体摘要：一种半导体内存设备，包括：内存单元数组，包括多个内存单元；连接电路，包括耦接在全域字符线与多个内存单元之间的传输晶体管；位址译码器，耦接到区块字符线和全域字符线，区块字符线耦接到传输晶体管的闸极；以及控制逻辑，根据半导体内存设备的操作状态来控制位址译码器以及施加电压脉冲到全域字符线和区块字符线。

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