基本信息:
- 专利标题： 절삭 장치
- 专利标题（英）：CUTTING MACHINE
- 申请号：KR1020140037922 申请日：2014-03-31
- 公开(公告)号：KR102073430B1 公开(公告)日：2020-02-04
- 发明人： 고자이히로히코
- 申请人： 가부시기가이샤 디스코
- 申请人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： JPJP-P-2013-078333 2013-04-04
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301 ; H01L21/76
절삭 장치(1)는, 가이드 레일 수단(52) 한쪽의 외측면(52a)에 설치되고 제1 Y축 안내 레일(61a) 상에서 이동할 수 있는 제1 및 제2 절삭 수단(8a, 8b)과, 다른쪽의 측면(52b)에 설치되고 제2 Y축 안내 레일 상에서 이동할 수 있는 제3 및 제4 절삭 수단(8c, 8d)을 구비하고 있다. 제1 절삭 수단의 제1 스핀들(81a)과 제2 절삭 수단의 제2 스핀들(81b)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82a, 82b)를 대향시키도록 배치되고, 제3 절삭 수단의 제3 스핀들(81c)과 제4 절삭 수단의 제4 스핀들(81d)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82c, 82d)를 대향시키도록 배치된다. 제1 및 제3 스핀들과, 제2 및 제4 스핀들은, 각각 X축 방향으로 병렬로 이동 가능하게 구성된다.
A cutting machine (1) prevents the size of a machine from increasing according to an increase in workpiece diameter, and at the same time improves productivity. The cutting machine (1) comprises: first and second cutting means (8a, 8b) which are installed on an external surface (52a) on one side of a guide rail means (52) and are movable on a first Y-axis guide rail (61a); and third and fourth cutting means (8c, 8d) which are installed on the other side (52b) and are movable on a second Y-axis guide rail. A first spindle (81a) of the first cutting means and a second spindle (81b) of the second are disposed to face cutting blades (82a, 82b) in a suspended state. A third spindle (81c) of the third cutting means and a fourth spindle (81d) of the fourth cutting means are disposed to face cutting blades (82c, 82d) in a suspended state. The first and third spindles and the second and fourth spindles are configured to be separately movable in the X-axis direction in parallel.COPYRIGHT KIPO 2015
公开/授权文献:
- KR1020140120832A 절삭 장치 公开/授权日：2014-10-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |