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1. 发明授权

KR102198116B1 웨이퍼의 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102198116B1
公开(公告)日：2021-01-04
申请号：KR1020140134781
申请日：2014-10-07
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고자이히로히코 , 하토리아츠시
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/76 , H01L21/26
摘要： 본발명은, 칩의실장불량을저감할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을목적으로한다. 분할단계를실시함으로써웨이퍼(W)를개개의칩(C)으로분할한후, 조사단계를실시함으로써, 칩(C)의실장면(C1)에자외선또는플라즈마를조사하여오존을생성함과더불어활성산소를생성하여칩(C)의실장면(C1)에부착된유기물을제거한다. 웨이퍼(W)의핸들링중에부착된이물은물론분할시에발생된이물도칩(C)의실장면(C1)으로부터제거할수 있어, 칩(C)의실장불량을저감할수 있게된다.

2. 发明授权

KR102073430B1 절삭 장치 有权
公开(公告)号：KR102073430B1
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：KR1020140037922
申请日：2014-03-31
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고자이히로히코
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/76

3. 发明公开

KR1020170115439A 가공 방법 审中-实审
标题翻译：处理方法
公开(公告)号：KR1020170115439A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020170042988
申请日：2017-04-03
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고자이히로히코 , 데라다가즈키 , 피아오메이유
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/67 , B28D5/02
CPC分类号： H01L21/02021 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L21/67092 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/6838 , H01L21/68728 , H01L21/68764 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 본발명은접합웨이퍼의외주가장자리위치를정확하게검출할수 있는가공방법을제공하는것을과제로한다. 서포트플레이트상에웨이퍼가접착된접합웨이퍼의외주가장자리로부터웨이퍼의중심측으로미리정해진거리만큼떨어진위치를절삭블레이드로절삭하는가공방법으로서, 조사수단으로접합웨이퍼의외주가장자리에광을조사함과함께, 접합웨이퍼를사이에두고상기조사수단과대면하는촬상수단으로접합웨이퍼의외주가장자리를촬상하여, 촬상화상을형성하는촬상화상형성단계와, 상기촬상화상을기초로접합웨이퍼의외주가장자리위치를검출하는외주가장자리위치검출단계와, 검출한접합웨이퍼의외주가장자리위치에기초하여, 접합웨이퍼의외주가장자리로부터웨이퍼의중심측으로미리정해진거리만큼떨어진위치에회전하는절삭블레이드를넣고, 척테이블을회전시켜웨이퍼를절삭하는가공단계를구비하고있다.
摘要翻译：本发明克服了提供能够精确地检测键合晶片的外围边缘的位置的加工方法的问题。除了通过向晶片的从上支撑板作为通过照射装置切割的切割刀片，其中还的光在贴合晶片的外周边缘照射的加工方法中的粘合剂贴合晶片的晶片的外周缘的中心的预定距离的位置，与键合晶片的成像装置的外周边缘的面向照明装置的图像之间的贴合晶片，所拾取的图像形成工序的拾取图像，检测基于所拾取的图像上的贴合晶片的外周边缘的步骤从键合晶片的周边边缘向晶片中心旋转预定距离的切割刀片被插入并且卡盘台旋转以移动晶片还有一个切割加工步骤。

4. 发明公开

KR1020150042133A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：KR1020150042133A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：KR1020140134781
申请日：2014-10-07
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고자이히로히코 , 하토리아츠시
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/76 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要： 본발명은, 칩의실장불량을저감할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을목적으로한다. 분할단계를실시함으로써웨이퍼(W)를개개의칩(C)으로분할한후, 조사단계를실시함으로써, 칩(C)의실장면(C1)에자외선또는플라즈마를조사하여오존을생성함과더불어활성산소를생성하여칩(C)의실장면(C1)에부착된유기물을제거한다. 웨이퍼(W)의핸들링중에부착된이물은물론분할시에발생된이물도칩(C)의실장면(C1)으로부터제거할수 있어, 칩(C)의실장불량을저감할수 있게된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种以降低芯片安装缺陷率的方式处理晶片的方法。通过实施分割步骤，可以将晶片（W）分割成单独的芯片（C），然后进行照射芯片的步骤。通过在芯片的安装表面（C1）上照射紫外线或等离子体，可以产生臭氧和活性氧，从而去除芯片的安装表面（C1）上的有机残留物。以这种方式，可以除去在分割过程中产生的有机材料以及在晶片（W）处理过程中产生的有机材料，从而在芯片安装过程中可以减少缺陷。

5. 发明公开

KR1020140120832A 절삭 장치 审中-实审
标题翻译：切割机
公开(公告)号：KR1020140120832A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020140037922
申请日：2014-03-31
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고자이히로히코
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/67092 , B26D7/0616 , Y10T83/7726
摘要： 피가공물의 대구경화에 따른 장치 면적의 증대를 방지함과 동시에, 생산성을 향상시키는 것.
절삭 장치(1)는, 가이드 레일 수단(52) 한쪽의 외측면(52a)에 설치되고 제1 Y축 안내 레일(61a) 상에서 이동할 수 있는 제1 및 제2 절삭 수단(8a, 8b)과, 다른쪽의 측면(52b)에 설치되고 제2 Y축 안내 레일 상에서 이동할 수 있는 제3 및 제4 절삭 수단(8c, 8d)을 구비하고 있다. 제1 절삭 수단의 제1 스핀들(81a)과 제2 절삭 수단의 제2 스핀들(81b)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82a, 82b)를 대향시키도록 배치되고, 제3 절삭 수단의 제3 스핀들(81c)과 제4 절삭 수단의 제4 스핀들(81d)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82c, 82d)를 대향시키도록 배치된다. 제1 및 제3 스핀들과, 제2 및 제4 스핀들은, 각각 X축 방향으로 병렬로 이동 가능하게 구성된다.
摘要翻译：切割机（1）防止机器的尺寸根据工件直径的增加而增加，并且同时提高生产率。切割机（1）包括：安装在导轨装置（52）一侧的外表面（52a）上的第一和第二切割装置（8a，8b），并可在第一Y轴导轨（61A）; 以及安装在另一侧（52b）上并可在第二Y轴导轨上移动的第三和第四切割装置（8c，8d）。第一切割装置的第一主轴（81a）和第二切割装置的第二主轴（81b）设置成处于悬挂状态的切割刀片（82a，82b）。第三切割装置的第三主轴（81c）和第四切割装置的第四主轴（81d）设置成处于悬挂状态的切割刀片（82c，82d）。第一和第三主轴以及第二和第四主轴被构造成可以在X轴方向上平行分开移动。

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