基本信息:
- 专利标题： 절삭 장치
- 专利标题（英）：Cutting machine
- 专利标题（中）：切割机
- 申请号：KR1020140037922 申请日：2014-03-31
- 公开(公告)号：KR1020140120832A 公开(公告)日：2014-10-14
- 发明人： 고자이히로히코
- 申请人： 가부시기가이샤 디스코
- 申请人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2013-078333 2013-04-04
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301 ; H01L21/76
절삭 장치(1)는, 가이드 레일 수단(52) 한쪽의 외측면(52a)에 설치되고 제1 Y축 안내 레일(61a) 상에서 이동할 수 있는 제1 및 제2 절삭 수단(8a, 8b)과, 다른쪽의 측면(52b)에 설치되고 제2 Y축 안내 레일 상에서 이동할 수 있는 제3 및 제4 절삭 수단(8c, 8d)을 구비하고 있다. 제1 절삭 수단의 제1 스핀들(81a)과 제2 절삭 수단의 제2 스핀들(81b)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82a, 82b)를 대향시키도록 배치되고, 제3 절삭 수단의 제3 스핀들(81c)과 제4 절삭 수단의 제4 스핀들(81d)은, 매달린 상태에서, 절삭 블레이드(82c, 82d)를 대향시키도록 배치된다. 제1 및 제3 스핀들과, 제2 및 제4 스핀들은, 각각 X축 방향으로 병렬로 이동 가능하게 구성된다.
Which will also prevent an increase in the device area of the large diameter of the workpiece and at the same time, improve the productivity.
Cutting device (1) has a guide rail means 52 on one side is provided on the outer surface (52a) the first Y-axis to move the first and second cutting means for on the guide rail (61a) (8a, 8b) and, is provided on the other side (52b) it is provided with a third and fourth cutting means which can be moved on a Y-axis guide rail 2 (8c, 8d). First cutting the first spindle (81a) and the second spindle (81b) of the second cutting means, means, in the suspended state, and arranged to counter the cutting blade (82a, 82b), the third of the three cutting means a spindle (81c) and the fourth the fourth spindle (81d) of the cutting means is in the suspended state, it is arranged to counter the cutting blade (82c, 82d). It is the first and the third spindle, and a second and a fourth spindle, each of the X-axis direction configured to be movable in parallel.
公开/授权文献:
- KR102073430B1 절삭 장치 公开/授权日：2020-02-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |