基本信息:
- 专利标题： 산화물층을 포함하는 구조 내에 위치한 결합 인터페이스의 안정화 방법 및 획득된 구조
- 专利标题（英）：Process for stabilizing a bonding interface, located within a structure which comprises an oxide layer and structure obtained
- 专利标题（中）：粘结界面的方法，位于包含氧化层和获得结构的结构中
- 申请号：KR1020147018986 申请日：2012-12-13
- 公开(公告)号：KR1020140104477A 公开(公告)日：2014-08-28
- 发明人： 랑드뤼디디에 , 데이비드카롤 , 라두이오누트 , 카펠로루시아나 , 신쿠인얀
- 申请人： 소이텍
- 申请人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 专利权人： 소이텍
- 当前专利权人： 소이텍
- 当前专利权人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 代理人： 정홍식
- 优先权： FR1161527 2011-12-13
- 国际申请： PCT/IB2012/002698 2012-12-13
- 国际公布： WO2013088226 2013-06-20
- 主分类号： H01L21/84
- IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/20 ; H01L27/12
摘要：
본 발명은 전자공학, 광학 및/또는 광전자 분야에서 적용되고 능동층 (14)과 수신기 기판(2) 사이에 매립된 산화물층(5, 16, 23)을 포함하는 구조 (4) 내에 위치되어, 분자 접착에 의하여 획득되는 결합 인터페이스(3)의 안정화 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따라, 상기 방법은 레이저(7)에 의하여 제공된 빛 에너지 플럭스로 구조(4)를 방사 처리하는 단계를 포함하고, 구조를 향하는 방향의 플럭스는 에너지 전환층(6)에 의하여 흡수되어 열로 전환되고, 열은 구조(4) 내에서 결합 인터페이스(3)를 향하여 확산되어 결합 인터페이스(3)가 안정화된다.
摘要（英）：
The invention is located in the structure 4 including the electronics, optics, and / or is applied in the optoelectronic field oxide layer (5, 16, 23) embedded in between the active layer 14 and the receiver substrate 2, It relates to a method for stabilizing the bonding interface (3) is obtained by molecular adhesion. According to the invention, the method is absorbed by the laser 7, the flux in the direction comprising the step of spinning process the structure (4) in the given light energy flux and, towards the structure, by the energy conversion layer 6, heat switches, heat is diffused toward the bond interface (3) in the structure (4) stabilizes the bonding interface (3).
公开/授权文献:
- KR101972914B1 산화물층을 포함하는 구조 내에 위치한 결합 인터페이스의 안정화 방법 및 획득된 구조 公开/授权日：2019-04-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/84 | .....衬底不是半导体的，例如绝缘体 |