基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1020147017783 申请日：2013-02-20
- 公开(公告)号：KR1020140104462A 公开(公告)日：2014-08-28
- 发明人： 가쯔끼,쇼고 , 사까모또,도시로
- 申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
- 申请人地址： *-***, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： *-***, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2012-052123 2012-03-08
- 国际申请： PCT/JP2013/000954 2013-02-20
- 国际公布： WO2013132766 2013-09-12
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L21/336 ; H01L27/088 ; H01L29/78
摘要：
실리콘 기판(1)에 열산화를 실시하여, 제1 영역과 제2 영역에 각각 제1 게이트 산화막(11)을 형성하는 공정과, 제1 게이트 산화막(11) 상에 CVD 산화막(11)을 형성하는 공정과, CVD 산화막(11)과 제1 게이트 산화막(11)을 통해, 제1 영역과 제2 영역에 각각 불소(F)를 주입하는 공정과, 제2 영역의 제1 게이트 산화막(11) 상으로부터 CVD 산화막(11)을 제거하는 공정과, 제2 영역으로부터 제1 게이트 산화막(11)을 제거하는 공정과, 실리콘 기판(1)에 열산화를 실시하여, 제2 영역에 제2 게이트 산화막(21)을 형성하는 공정을 포함한다.
摘要（中）：
由硅衬底1上进行热氧化，在第一在每个第一形成CVD氧化膜11和形成栅氧化膜11上的区域中的第一栅氧化膜11和第二区域 ;通过CVD氧化膜（11）和第一栅极氧化膜（11）分别向第一区域和第二区域注入氟（F） 从第一区域除去CVD氧化膜11的步骤，从第二区域除去第一栅氧化膜11的步骤，热氧化硅衬底1的步骤， 以及形成的步骤（21）。
摘要（英）：
By performing a thermal oxidation on the silicon substrate 1, the first region and the second, respectively the first gate oxide film (11) step, forming the CVD oxide film 11 on the first gate oxide film 11 forming the the area a step of, CVD oxide film 11 and first gate oxide film 11 through a first gate oxide film 11 of the first region and the step of each injection of fluorine (F) in the second region and the second region from the phase by performing a thermal oxidation to the step of removing the first gate oxide film 11 from the process, and a second zone to remove the CVD oxide film 11, the silicon substrate 1, a second gate oxide film in the second region and a step of forming a (21).
公开/授权文献:
- KR101567738B1 반도체 장치의 제조 방법 公开/授权日：2015-11-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |