基本信息:
- 专利标题： 신규 패시베이션 조성물 및 방법
- 专利标题（英）：Novel Passivation Composition and Process
- 专利标题（中）：新型钝化组合物和方法
- 申请号：KR1020147011571 申请日：2012-10-22
- 公开(公告)号：KR1020140079443A 公开(公告)日：2014-06-26
- 发明人： 크루파프랭크제이. , 워지책윌리엄에이. , 두빙 , 타카하시토모노리
- 申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
- 申请人地址： ** Circuit Drive, North Kingstown, Rhode Island *****, U.S.A.
- 专利权人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
- 当前专利权人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
- 当前专利权人地址： ** Circuit Drive, North Kingstown, Rhode Island *****, U.S.A.
- 代理人： 유미특허법인
- 优先权： US61/550,041 2011-10-21
- 国际申请： PCT/US2012/061355 2012-10-22
- 国际公布： WO2013059806 2013-04-25
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/469 ; H01L21/31
摘要：
본 발명은 반도체 장치의 제조에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 선택적 금속 습식 에칭 조성물 및 방법으로서, 상기 에칭 조성물로 인접 구조 및 재료에 대하여 특정의 금속을 선택적으로 에칭하기 위한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 수성 금속 패시베이션 및 에칭 조성물, 및 니켈 백금 실리사이드의 존재하에 상기 조성물을 이용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 적어도 하나의 설폰산, 니트레이트 또는 니트로실 이온을 함유하는 적어도 하나의 화합물, 및 물로 구성되는 패시베이션 조성물에 관한 것으로, 상기 패시베이션 조성물은 할라이드 이온이 실질적으로 없다.
摘要（英）：
The present invention to selectively etch a specific metal with respect to a present invention relates to manufacturing a semiconductor device, more specifically, the selective wet etching a metal composition and a method, structure, and material adjacent to the etching composition. More particularly, the invention relates to a method of using the composition in the presence of an aqueous metal etching and passivation composition, and nickel, platinum silicide. The invention also relates to at least one compound, and the passivation composition comprising water and containing at least one sulfonic acid, nitrates, or nitrosyl ion, the passivation composition is substantially free of halide ions.
公开/授权文献:
- KR102070743B1 신규 패시베이션 조성물 및 방법 公开/授权日：2020-01-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |