基本信息:
- 专利标题： 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리
- 专利标题（英）：Method of manufacturing resistive switching memory using low temperature high pressure annealing and resistive switching memory prepared by using the method
- 专利标题（中）：使用低温高压退火和电阻式切换存储器制造电阻式开关存储器的方法
- 申请号：KR1020100084229 申请日：2010-08-30
- 公开(公告)号：KR1020120020557A 公开(公告)日：2012-03-08
- 发明人： 이우태 , 황현상
- 申请人： 광주과학기술원
- 申请人地址： 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동)
- 专利权人： 광주과학기술원
- 当前专利权人： 광주과학기술원
- 当前专利权人地址： 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동)
- 代理人： 조영현; 나승택
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L27/115
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a resistance random access memory using low temperature and high pressure heating and a resistance random access memory manufactured using the same are provided to improve durability by increasing an adhesive force with a bottom electrode by depositing the optimal thickness of silicon dioxide and titanium on a silicon substrate. CONSTITUTION: A substrate is prepared(S10). A bottom electrode is formed by depositing a metal on the substrate(S20). An oxide layer is formed on a top portion of the bottom electrode(S30). The oxide layer is heat-treated and the oxide layer is crystallized(S40). A reactive metal is deposited on the top portion of the oxide layer(S50). An upper electrode is formed on the top portion of a reactive metal layer by depositing the non-reactive meta(S60).
摘要（中）：
目的：提供一种使用低温高压加热制造电阻随机存取存储器的方法和使用其制造的电阻随机存取存储器，以通过沉积最佳厚度的二氧化硅来增加与底部电极的粘合力来提高耐久性 和硅在硅衬底上。 构成：准备基板（S10）。 通过在基板上沉积金属形成底部电极（S20）。 在底部电极的顶部形成氧化物层（S30）。 氧化层被热处理并且氧化物层结晶（S40）。 在氧化物层的顶部上沉积反应性金属（S50）。 通过沉积非反应性元件（S60），在无功金属层的顶部上形成上电极。
公开/授权文献:
- KR101195946B1 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리 公开/授权日：2012-10-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |
| --------------------------H01L21/8247 | ..........电可编程序的 |