基本信息:
- 专利标题： 반도체메모리칩 및 집적회로
- 专利标题（英）：Semiconductor memory chip and integrated circuit
- 专利标题（中）：半导体存储器芯片和集成电路
- 申请号：KR1020100028716 申请日：2010-03-30
- 公开(公告)号：KR1020110109125A 公开(公告)日：2011-10-06
- 发明人： 김현석 , 한성우 , 이준호 , 정부호 , 김양희
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 특허법인아주
- 主分类号： G11C11/21
- IPC分类号： G11C11/21 ; G11C7/10 ; G11C5/14
摘要：
반도체메모리칩은 전원전압 및 접지전압을 인가하는 구동전압수신부와, 상기 전원전압 및 상기 접지전압을 공급받아 구동되어, 제1 데이터를 제1 데이터라인으로 출력하는 제1 데이터구동부와, 상기 전원전압 및 상기 접지전압을 공급받아 구동되어, 제2 데이터를 제2 데이터라인으로 출력하는 제2 데이터구동부와, 상기 제1 및 제2 데이터라인 사이에 연결된 MOS 트랜지스터를 포함한다.
摘要（英）：
The semiconductor memory chip and the first data driver and the driving voltage receiving unit for applying a power supply voltage and ground voltage, is driven receiving the power supply voltage and supplying the ground voltage to output a first data in a first data line, the power supply voltage and a second data driving unit and, MOS transistor coupled between the first and the second data line that is driven when supplied with the ground voltage, and output the second data to the second data line.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/21 | .应用电元件的 |