基本信息:
- 专利标题： 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
- 专利标题（英）：KR101925644B1 - Mask blank, transfer mask and manufacturing method of semiconductor device
- 申请号：KR1020120098789 申请日：2012-09-06
- 公开(公告)号：KR101925644B1 公开(公告)日：2018-12-05
- 发明人： 시시도히로아끼 , 노자와오사무 , 고미나또아쯔시
- 申请人： 호야 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-*, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 호야 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 호야 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-*, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 양영준; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2011-195078 2011-09-07
- 主分类号： G03F1/38
- IPC分类号： G03F1/38 ; G03F7/26 ; H01L21/027
摘要：
본 발명은, 박막의 막 응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해진다는 문제를 해결하기 위한, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제공한다. 본 발명은, 유리 기판의 주 표면에 박막이 형성되어 이루어지는 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막이, 탄탈을 함유하면서 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지고, 상기 유리 기판의 주 표면과 상기 박막 사이에, 상기 유리 기판에서 박막으로 수소가 침입하는 것을 억제하는 침입 억제막을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크에 관한 것이다.
摘要（英）：
The present invention provides a mask blank and a transfer mask to solve the problem of the tendency of the stronger compression stress with the passage of time, the film stress of the thin film. The present invention provides a mask blank composed is formed a thin film on the main surface of the glass substrate, the thin film, while containing tantalum also made of a material that does not contain hydrogen substantially, and the thin film major surface of the glass substrate between, the present invention relates to a mask blank, it characterized in that it comprises inhibiting invasion to suppress the intrusion of hydrogen into a thin film from the glass substrate and the film.
公开/授权文献:
- KR1020130027440A 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 公开/授权日：2013-03-15