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1. 发明公开

KR1020150063987A 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译： MASK BLANK和转移掩模制造方法
公开(公告)号：KR1020150063987A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020150069012
申请日：2015-05-18
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 스즈끼도시유끼 , 오꾸보야스시
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/78 , G03F1/32 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/32 , G03F1/78 , Y10S430/143
摘要： 전자선묘화에의해전자선레지스트(4)의레지스트패턴을형성하는전자선묘화용의마스크블랭크로서, 투명기판(1) 상에, 차광막(2)과, 상기차광막의에칭에대하여내성을갖는무기계재료로이루어지는에칭마스크막(3)이이 순서로형성된마스크블랭크의제조방법에서, 상기에칭마스크막(3)을성막할때에, 상기기판의적어도측면에는성막되지않도록차폐판에의해차폐한다.
摘要翻译：本发明涉及一种通过电子束光刻形成电子束抗蚀剂（4）的抗蚀图案的电子束光刻用掩模黑。根据制造掩模板的方法，其中在透明基板（1）上依次形成遮光膜（2）和由阻光膜上的耐蚀刻性的无机材料制成的蚀刻掩模膜（3）当形成有蚀刻掩模膜（3）时，用阻挡板阻挡基板的至少外围表面以防止蚀刻掩模膜（3）形成在其上。

2. 发明公开

KR1020130027440A 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：屏蔽层，半导体器件的传输掩模和制造方法
公开(公告)号：KR1020130027440A
公开(公告)日：2013-03-15
申请号：KR1020120098789
申请日：2012-09-06
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 시시도히로아끼 , 노자와오사무 , 고미나또아쯔시
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C03C17/3411 , C03C17/3423 , C03C17/3435 , G03F1/38 , G03F7/265 , B32B17/06 , G03F1/00 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/0273
摘要： PURPOSE: A mask blank, a transcription, and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to minimize the degradation of flatness after manufacturing the semiconductor device. CONSTITUTION: A mask black is formed by forming a thin film on the main surface of a glass plate(1). The thin film is formed of a material which contains a tantalum and does not substantially contain hydrogen. A penetration preventing film(6) prevent the hydrogen from penetrating from the glass plate to the thin film. The penetration prevention film is formed of a material which contains oxygen and tantalum.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的掩模空白，转录和制造方法，以在半导体器件制造之后使平坦度的劣化最小化。构成：通过在玻璃板（1）的主表面上形成薄膜来形成掩模黑色。薄膜由含有钽并且基本上不含氢的材料形成。防渗透膜（6）防止氢气从玻璃板穿透到薄膜。防渗透膜由含有氧和钽的材料形成。

3. 发明公开

KR1020120057508A 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模板，转印掩模，制造转移掩模的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120057508A
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR1020110099246
申请日：2011-09-29
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 하시모또마사히로 , 노자와오사무
IPC分类号： G03F1/46 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/58 , G03F7/20 , G03F7/2041 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/31138 , H01L21/0276 , G03F1/46 , G03F1/66 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A mask blank, a transferring mask using the same, a method for manufacturing the transferring mask, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to secure the sufficient optical concentration of a light shielding film for suppressing the exposure of a resist film on a wafer. CONSTITUTION: A mask blank includes a light shielding film for forming transferring patterns on a light transmissive substrate. The mask blank forms a binary type mask to which ArF excimer laser exposure light is applied. The light shielding film is composed of the stacked structure of a lower layer and an upper layer. The optical concentration to exposure light to the light shielding film is more than or equal to 2.8. The thickness of the light shielding film is 45nm or less. The lower layer is based on a material in which the total amount of transition metals and silicon is 90 atomic% or more.
摘要翻译：目的：提供掩模坯料，使用其的转印掩模，转印掩模的制造方法和半导体器件的制造方法，以确保用于抑制抗蚀剂膜曝光的光屏蔽膜的足够的光学浓度在晶圆上。构成：掩模坯料包括用于在透光基板上形成转印图案的遮光膜。掩模空白形成应用ArF准分子激光曝光光的二进制型掩模。遮光膜由下层和上层的层叠结构构成。对遮光膜的曝光光的光浓度大于或等于2.8。遮光膜的厚度为45nm以下。下层基于过渡金属和硅的总量为90原子％以上的材料。

4. 发明授权

KR101925644B1 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101925644B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020120098789
申请日：2012-09-06
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 시시도히로아끼 , 노자와오사무 , 고미나또아쯔시
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 본 발명은, 박막의 막 응력이 시간의 경과와 함께 압축 응력의 경향이 강해진다는 문제를 해결하기 위한, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제공한다. 본 발명은, 유리 기판의 주 표면에 박막이 형성되어 이루어지는 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막이, 탄탈을 함유하면서 또한 수소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 이루어지고, 상기 유리 기판의 주 표면과 상기 박막 사이에, 상기 유리 기판에서 박막으로 수소가 침입하는 것을 억제하는 침입 억제막을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크에 관한 것이다.

5. 发明公开

KR1020170010333A 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模坯，转印掩模，转印掩模制造方法以及半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020170010333A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：KR1020170006334
申请日：2017-01-13
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 하시모또마사히로 , 이와시따히로유끼
IPC分类号： G03F1/46 , H01L21/027 , H01L21/033 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/58 , G03F1/74 , G03F7/2006 , Y10T428/24942
摘要： ArF 엑시머레이저노광광이적용되는전사용마스크를작성하기위해사용되고, 투광성기판상에전사패턴을형성하기위한차광막을갖는마스크블랭크이며, 차광막은투광성기판측으로부터하층과상층의적어도 2층구조로이루어지고, 상기하층은천이금속, 규소및 질소를주성분으로하고, 또한질소함유량이 21원자% 이상이고, 또한굴절률(n)이 1.9 이하인재료로이루어지고, 상기상층은천이금속, 규소및 질소를주성분으로하고, 굴절률(n)이 2.1 이하인재료로이루어지고, 상기상층의표층은산소를함유하고있고, 질소함유량이 14원자% 이상인것을특징으로하는마스크블랭크이다.
摘要翻译：的ArF用于创建一个转印掩模这是一个受激准分子激光曝光的光被施加，具有用于形成在透明基板上的转印图案的遮光膜的掩模坯件，所述遮光膜从透明基板侧由较低层的至少两层结构和上层制成是，下层和主要由过渡金属，硅和氮，和原子％至少21的氮含量，和折射率（n）的组成是1.9或更小的材料制成，上部层主要由过渡金属，硅和氮的折射率（n）为2.1以下，上层的表层含有氧，氮含量为14原子％以上。

6. 发明授权

KR101699545B1 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译： MASK BLANK和转移掩模制造方法
公开(公告)号：KR101699545B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020080108732
申请日：2008-11-04
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 스즈끼도시유끼 , 오꾸보야스시
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/32 , G03F1/78 , Y10S430/143
摘要： 전자선묘화에의해전자선레지스트(4)의레지스트패턴을형성하는전자선묘화용의마스크블랭크로서, 투명기판(1) 상에, 차광막(2)과, 상기차광막의에칭에대하여내성을갖는무기계재료로이루어지는에칭마스크막(3)이이 순서로형성된마스크블랭크의제조방법에서, 상기에칭마스크막(3)을성막할때에, 상기기판의적어도측면에는성막되지않도록차폐판에의해차폐한다.
摘要翻译：在适于通过电子束写入形成抗蚀剂图形的掩模板的制造方法中，具有遮光膜和耐蚀刻遮光膜的无机类材料的蚀刻掩模膜在透明基板上按顺序，在形成蚀刻掩模膜时，使用屏蔽板进行屏蔽，以防止蚀刻掩模膜至少在基板的侧表面上形成。

7. 发明授权

KR101880304B1 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101880304B1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：KR1020110114698
申请日：2011-11-04
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 노자와오사무 , 이와시따히로유끼 , 하시모또마사히로
IPC分类号： G03F1/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/58
摘要： ArF 노광광이적용되는전사용마스크를작성하기위해이용되고, 투광성기판상에차광막을갖는마스크블랭크로서, 차광막은, 천이금속, 규소및 질소를포함하는재료를주성분으로하는하층과, 천이금속, 규소및 질소를포함하는재료를주성분으로하는상층중 적어도 2층구조로이루어진다. 대상부분에불소를함유하는물질을공급하고, 또한하전입자를조사하여행하는에칭에있어서의상층의에칭레이트에대한하층의에칭레이트의비가 1.0 이상 5.0 이하이다.

8. 发明授权

KR101795335B1 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101795335B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020170006334
申请日：2017-01-13
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 하시모또마사히로 , 이와시따히로유끼
IPC分类号： G03F1/46 , H01L21/027 , H01L21/033 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/58 , G03F1/74 , G03F7/2006 , Y10T428/24942
摘要： ArF 엑시머레이저노광광이적용되는전사용마스크를작성하기위해사용되고, 투광성기판상에전사패턴을형성하기위한차광막을갖는마스크블랭크이며, 차광막은투광성기판측으로부터하층과상층의적어도 2층구조로이루어지고, 상기하층은천이금속, 규소및 질소를주성분으로하고, 또한질소함유량이 21원자% 이상이고, 또한굴절률(n)이 1.9 이하인재료로이루어지고, 상기상층은천이금속, 규소및 질소를주성분으로하고, 굴절률(n)이 2.1 이하인재료로이루어지고, 상기상층의표층은산소를함유하고있고, 질소함유량이 14원자% 이상인것을특징으로하는마스크블랭크이다.

9. 发明公开

KR1020130064092A 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模板，转印掩模，制造转移掩模的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130064092A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020130058960
申请日：2013-05-24
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 고미나또아쯔시 , 하시모또마사히로 , 노자와오사무
IPC分类号： G03F1/46 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/58 , G03F7/20 , G03F7/2041 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/31138 , G03F1/46 , H01L21/0276
摘要： PURPOSE: A mask blank, a transferring mask, a manufacturing method of the transferring mask, and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to reduce various loads of manufacturing processes. CONSTITUTION: A mask blank has a light shielding film for forming a binary mask, to which ArF excimer laser-based exposure light is applied, and forming transferring patterns on a light transmissive substrate. The light shielding film is composed of a stacked structure. The optical density to the exposure light of the light shielding film is 2.8 or more, and the thickness of the light shielding film is 45 nm or less. The lower layer of the stacked structure is composed of a material in which the total content of transition metals and silicon is 90 atomic% or more, and the thickness of the layer is 30 nm or more. The thickness of the upper layer of the stacked structure is within 3-6 nm. Phase difference between exposure light through the light shielding film and exposure light through air as much as the thickness of the light shielding film is 30 degrees or less. A manufacturing method of the transferring mask includes an etching process for etching the light shielding film. A manufacturing method of the semiconductor device forms a circuit pattern on a semiconductor wafer. [Reference numerals] (AA) EMF bias[nm]; (BB) Pitch[nm]
摘要翻译：目的：提供掩模坯料，转印掩模，转印掩模的制造方法和半导体器件的制造方法，以减少制造工艺的各种负载。构成：掩模毛坯具有用于形成二元掩模的遮光膜，其中施加ArF准分子激光基曝光光，并在透光基板上形成转印图案。遮光膜由层叠结构构成。遮光膜的曝光光的光密度为2.8以上，遮光膜的厚度为45nm以下。层叠结构的下层由过渡金属和硅的总含量为90原子％以上，层的厚度为30nm以上的材料构成。层叠结构的上层的厚度在3-6nm以内。通过遮光膜的曝光光与透过空气的曝光光的遮光膜的厚度的相位差为30度以下。转印掩模的制造方法包括用于蚀刻遮光膜的蚀刻工艺。半导体器件的制造方法在半导体晶片上形成电路图案。（标号）（AA）EMF偏压[nm]; （BB）间距[nm]

10. 发明公开

KR1020100048903A 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK及其生产方法
公开(公告)号：KR1020100048903A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020090102702
申请日：2009-10-28
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이와시따히로유끼 , 고미나또아쯔시 , 하시모또마사히로 , 시시도히로아끼
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/46 , G03F1/22 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/54 , G03F7/091 , H01L21/0276
摘要： PURPOSE: A photo-mask blank, a photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to suppress the surface reflectance of the photo-mask using a light shielding layer based on a transition metal silicide. CONSTITUTION: A light-shielding film(10) is formed on a light-transmissive substrate(1). The light-shielding film is composed of a light-shielding layer and an anti-surface reflection layer. The light-shielding layer is based on transition metal silicide. More than 20 atomic% and less than 40 atomic % of transition metal is contained in the transition metal silicide. The thickness of the light-shielding layer is less than 40nm. The anti-surface reflection layer is based on a silicide compound which includes oxygen or nitrogen. The thickness of the anti-surface reflection layer is less than 20nm.
摘要翻译：目的：提供一种光掩模空白，光掩模及其制造方法，以使用基于过渡金属硅化物的遮光层抑制光掩模的表面反射率。构成：在透光性基板（1）上形成遮光膜（10）。遮光膜由遮光层和防反射层构成。遮光层基于过渡金属硅化物。过渡金属硅化物中含有超过20原子％且小于40原子％的过渡金属。遮光层的厚度小于40nm。抗表面反射层基于包含氧或氮的硅化物。防反射层的厚度小于20nm。

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