基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자 및 그 형성방법
- 专利标题（英）：A semiconductor device and a method
- 专利标题（中）：半导体器件及其方法
- 申请号：KR1020080102538 申请日：2008-10-20
- 公开(公告)号：KR101578520B1 公开(公告)日：2015-12-18
- 发明人： 현상진 , 신유균 , 조학주 , 홍형석
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
반도체소자및 그형성방법이제공된다. 이반도체소자의형성방법은기판상에복수의원소를포함하는게이트유전막을형성하는것, 게이트유전막에특정원소를공급하는것, 복수의원소중 적어도한 원소와특정원소를반응시켜생성물을형성하는것 및생성물을제거하는것을포함할수 있다.
摘要（英）：
A semiconductor device and a method are provided. Forming method of the semiconductor device is to form a gate dielectric layer comprising a plurality of elements on the substrate, it is to supply a specific element on the gate dielectric layer, to at least the reaction of one element and a specific element of the plurality of elements to form the product It may include the removal of one and the product. The gate dielectric layer and the threshold voltage, effective work function
公开/授权文献:
- KR1020100043486A 반도체 소자 및 그 형성방법 公开/授权日：2010-04-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |