基本信息:
- 专利标题： 대면적 나노스케일 패턴형성방법
- 专利标题（英）：Fabrication method of large area nanoscale pattern
- 专利标题（中）：大面积纳米图案的制作方法
- 申请号：KR1020100129255 申请日：2010-12-16
- 公开(公告)号：KR101225601B1 公开(公告)日：2013-01-24
- 发明人： 이영재 , 유경종 , 김진수 , 이준 , 이용인 , 윤준보 , 연정호 , 이주형 , 이정언
- 申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
- 申请人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지이노텍 주식회사,한국과학기술원
- 当前专利权人： 엘지이노텍 주식회사,한국과학기술원
- 当前专利权人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 김인한; 김희곤; 박용순
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
본 발명에 따르면, 이종(異種)의 보호막으로 격리되어 다층 중첩된 메인 박막을 사용하여, 패턴 피치를 저감할 수 있는 스페이서 리소그라피를 반복적으로 시행할 수 있어, 마이크로미터 스케일의 패턴을 형성한 후 형태의 왜곡 없이 반복적으로 패턴 피치를 줄여나감으로써, 나노미터 스케일의 미세 패턴을 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
The present invention of forming a first spacer pattern based on the second stage, the first main pattern to form a first main pattern by patterning the first main thin film and the step of forming a main film of the multi-layer isolation with a protective layer step 3, to provide a large area nano-scale pattern formation method that comprises a step 4 for transferring the pattern of the first spacer to a second main thin film to form a second main pattern.
According to the present invention, is isolated by the protective film of the heterologous (異種) using a multi-layer overlapping the main thin film, can be performed spacer lithography capable of reducing the pattern pitch repeatedly, after forming a pattern on a micrometer scale form of the effect that can be achieved by uniformly exit repeatedly reducing the pitch pattern without distortion, over a fine pattern of nanometer-scale to large areas.
公开/授权文献:
- KR1020120067707A 대면적 나노스케일 패턴형성방법 公开/授权日：2012-06-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |