基本信息:
- 专利标题： 상변화 소자의 제조방법
- 专利标题（英）：Method of manufacturing Phase Change Memory Device
- 专利标题（中）：相变存储器件的制造方法
- 申请号：KR1020100018021 申请日：2010-02-26
- 公开(公告)号：KR101094983B1 公开(公告)日：2011-12-20
- 发明人： 채수진 , 서혜진 , 이헌주
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 김성남
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247 ; H01L27/10
摘要：
상변화 메모리 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 상변화 메모리 소자의 제조방법은, 복수의 가열 전극이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계, 상기 복수의 가열 전극 상부 각각에 상변화 패턴을 형성하는 단계, 상기 상변화 패턴 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 상변화 패턴을 플라즈마 질소 처리하는 단계, 및 상기 반도체 기판 결과물에 인캡슐레이션막을 피복하는 단계를 포함한다.
摘要（英）：
It discloses a method of producing a phase-change memory element. Method of manufacturing a phase change memory device disclosed is, for forming the upper electrode in the steps of: providing a semiconductor substrate having a plurality of heating electrodes, wherein said forming a phase-change pattern in a plurality of heating electrodes above each of the phase-change pattern top step, and a step, and the step of coating encapsulation film on said semiconductor substrate to output the phase-change pattern nitrogen plasma treatment.
公开/授权文献:
- KR1020110098410A 상변화 소자의 제조방법 公开/授权日：2011-09-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |