基本信息:
- 专利标题： 산화물 박막의 원자층 증착
- 专利标题（英）：Atomic layer deposition of oxide film
- 专利标题（中）：原子层沉积氧化膜
- 申请号：KR1020040013705 申请日：2004-02-27
- 公开(公告)号：KR100591508B1 公开(公告)日：2006-06-19
- 发明人： 콘리존에프주니어 , 오노요시 , 솔란키라젠드라
- 申请人： 샤프 가부시키가이샤
- 申请人地址： * Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka, Japan
- 专利权人： 샤프 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 샤프 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： * Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US10/376,774 2003-02-27
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
摘要：
산화물 박막을 증착시키는 원자층 증착 방법이 제공된다. 이 방법은 제 1 하프늄 전구체 내의 질산염 리간드를 제 2 하프늄 전구체에 대한 산화제로 채택하여, 산화 하프늄을 형성한다. 질산화 하프늄 전구체 및 염화 하프늄 전구체를 사용함으로써, 이 방법은 수소-종단 실리콘 표면 상에의, 게이트 유전체 또는 커패시터 유전체 애플리케이션에 대한, 높은 k 산화 하프늄의 증착에 적합하다.
산화물 박막, 원자층 증착, 질산염 리간드, 산화제, 수소-종단
摘要（英）：
산화물 박막, 원자층 증착, 질산염 리간드, 산화제, 수소-종단
There is provided an atomic layer deposition method for depositing a thin film oxide. The method employs a ligand in a first hafnium nitrate precursor with an oxidizing agent to the second hafnium precursor to form a hafnium oxide. By using a precursor and a hafnium oxynitride precursor hafnium chloride, the method of hydrogen-suited for the deposition of high-k oxide hafnium, for the end, of the gate dielectric or capacitor dielectric applications on a silicon surface. Oxide thin film, atomic layer deposition, nitrate ligand, an oxidizing agent, a hydrogen-terminated
公开/授权文献:
- KR1020040077570A 산화물 박막의 원자층 증착 公开/授权日：2004-09-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |