基本信息:
- 专利标题： 고순도 1-안드로스텐 유도체의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for the preparation of highly pure 1-androstene derivatives
- 专利标题（中）：制备高纯度1-安慰剂衍生物的方法
- 申请号：KR1020030049529 申请日：2003-07-19
- 公开(公告)号：KR100508019B1 公开(公告)日：2005-08-17
- 发明人： 문영호 , 김동준 , 박철현 , 이경익 , 이재철 , 이관순 , 장영길
- 申请人： 한미사이언스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 화성시 팔탄면 무하로 ***
- 专利权人： 한미사이언스 주식회사
- 当前专利权人： 한미사이언스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 화성시 팔탄면 무하로 ***
- 代理人： 이현실; 장성구
- 主分类号： C07J43/00
- IPC分类号： C07J43/00
摘要：
본 발명은 1-안드로스텐 유도체의 제조 방법에 관한 것으로, 2-요오도-안드로스탄 유도체를 일정한 pH를 유지하며 산화제와 반응시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1의 1-안드로스텐 유도체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 1-안드로스텐 유도체를 고순도 및 고수율로 용이하게 제조할 수 있다:
상기 식에서,
R은 -OH, OR
1 , -NHR
2 이며,
R
1 은 1 내지 5개의 탄소 수를 갖는 저급 선형 또는 분지형 알킬이며,
R
2 는 1 내지 5개의 탄소 수를 갖는 저급 선형 또는 분지형 알킬이거나 또는 2,5-비스(트리플루오로메틸)페닐이다.
摘要（英）：
상기 식에서,
R은 -OH, OR
1 , -NHR
2 이며,
R
1 은 1 내지 5개의 탄소 수를 갖는 저급 선형 또는 분지형 알킬이며,
R
2 는 1 내지 5개의 탄소 수를 갖는 저급 선형 또는 분지형 알킬이거나 또는 2,5-비스(트리플루오로메틸)페닐이다.
A method of manufacturing, to 1-androsta stent derivative of the general formula (I), which comprises maintaining a constant pH of androsta Stan derivative and oxidizing agent with the reaction - The present invention, relates to a process for the preparation of 2-iodo-1-androsta stent derivative to provide. According to the present invention can be easily prepared 1-androsta stent derivatives in high purity and high yield:
公开/授权文献:
- KR1020050010320A 고순도 1-안드로스텐 유도체의 제조 방법 公开/授权日：2005-01-27