基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자의 평탄화 방법
- 专利标题（英）：Method for planning of semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件规划方法
- 申请号：KR1019960009073 申请日：1996-03-29
- 公开(公告)号：KR100212004B1 公开(公告)日：1999-08-02
- 发明人： 안기철 , 이승무
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 신영무; 최승민
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
본 발명은 금속층 패턴이 형성된 구조에 테트라 메칠 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 알칼리 용액을 이용한 세정 공정을 실시하여 후속 공정인 오존 테오스계 산화막의 이상 증착 현상을 방지하므로써 소자의 평탄화를 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 평탄화 방법이 개시된다.
摘要（英）：
The present invention is a semiconductor which can improve the tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH) alkali solution for subsequent processing of ozone Theo flattening of the element By more than prevent deposition phenomena seugye oxide film by conducting a cleaning process using a structure in which a metal layer pattern formed this planarization method of the device is disclosed.
公开/授权文献:
- KR1019970067774A 반도체 소자의 평탄화 방법 公开/授权日：1997-10-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |