基本信息:
- 专利标题： 半導体装置および固体撮像素子
- 专利标题（英）：The semiconductor device and the solid-state imaging device
- 申请号：JP2015540449 申请日：2014-09-19
- 公开(公告)号：JPWO2015050000A1 公开(公告)日：2017-03-09
- 发明人： 恵永 香川 , 恵永 香川 , 宣年 藤井 , 藤井 宣年 , 正永 深沢 , 正永 深沢 , 金口 時久 , 時久 金口 , 賢哉 萩本 , 賢哉 萩本 , 青柳 健一 , 健一 青柳 , 生枝 三橋 , 生枝 三橋
- 申请人： ソニー株式会社
- 申请人地址： 東京都港区港南1丁目7番1号
- 专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区港南1丁目7番1号
- 代理人： 西川 孝; 稲本 義雄
- 优先权： JP2013209053 2013-10-04
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00 ; H01L21/02 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L21/822 ; H01L23/522 ; H01L27/04 ; H01L27/14 ; H01L27/146
This technology relates to a semiconductor device and a solid-state imaging device that can be improved more easily crack resistance.
The semiconductor device includes an upper substrate made of Si substrate and a wiring layer stacked on the Si substrate, consists of Si substrate and a wiring layer stacked on the Si substrate, a lower substrate that are bonded to the upper substrate It has. Further, the upper substrate is formed with a pad for wire bonding or probing, the respective wiring layers between from the pad to the Si substrate of the lower substrate, Ya corners of the pad for wire bonding or probing pads for protecting the side portions are provided to be stacked radially. This technique can be applied to a solid-state imaging device.
公开/授权文献:
- JP6429091B2 半導体装置および固体撮像装置 公开/授权日：2018-11-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |