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1. 发明专利

JP4835719B2 Solid-state imaging device and electronic equipment 有权
公开(公告)号：JP4835719B2
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：JP2009094304
申请日：2009-04-08
申请人：ソニー株式会社
发明人：兼作前田 , 洋一大塚 , 忠之木村 , 巌杉浦 , 利彦林 , 容幸榎本 , 清隆田渕 , 和典長畑 , 健一青柳
IPC分类号： H01L27/14 , G02B5/20
CPC分类号： H01L27/14625 , G02B5/201 , G02B5/223 , H01L27/14621 , H01L27/14685

2. 发明专利

JPWO2016009832A1 比較器、ＡＤ変換器、固体撮像装置、電子機器、および比較器の制御方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016009832A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016534359
申请日：2015-07-01
申请人：ソニー株式会社
发明人：雅樹榊原 , 雅樹榊原 , 青柳　健一 , 健一青柳 , 斉爾山田 , 斉爾山田
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H03K5/24 , H03K5/2481 , H04N5/37455 , H04N5/378
摘要：本開示は、比較器の判定速度を向上させつつ、消費電力を低減させることができるようにする比較器、AD変換器、固体撮像装置、電子機器、および比較器の制御方法に関する。比較器は、比較部、正帰還回路、及び、電流制限部を備える。比較部は、入力信号と参照信号の電圧を比較して比較結果信号を出力する。正帰還回路は、比較結果信号が反転するときの遷移速度を高速化する。電流制限部は、比較結果信号の反転後、比較部に流れる電流を制限する。本開示は、例えば、比較器等に適用できる。

3. 发明专利

JPWO2013191039A1 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器有权
标题翻译：半导体装置，制造方法，以及半导体装置的电子设备
公开(公告)号：JPWO2013191039A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014521351
申请日：2013-06-11
申请人：ソニー株式会社
发明人：宣年藤井 , 藤井　　宣年 , 青柳　健一 , 健一青柳
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/14683 , H01L27/1469 , H04N5/2254
摘要：本開示は、複数の基板を積層した3次元構造を有する固体撮像装置等の半導体装置において、耐熱性、耐拡散性の向上を図り、信頼性の向上を図ることを目的とする。また、その半導体装置の製造方法、並びに、その半導体装置を備える電子機器を提供することができるようにする半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器に関する。第1層間絶縁膜から所定の量だけ突出した第1接続電極を有する第1配線層を含む第1基板と、第2層間絶縁膜から所定の量だけ突出した第2接続電極を有する第2配線層を含む。そして、第1基板と第2基板との貼り合わせ面では、第1接続電極と第2接続電極が接合していると共に、積層方向に向かい合う第1層間絶縁膜と第2層間絶縁膜とが少なくとも一部で接合している。
摘要翻译：本发明中，在固体摄像装置的半导体装置等具有通过层叠多个基板，实现耐热性，耐扩散的改善获得的三维结构，其目的是，提高了可靠性。此外，半导体器件的制造方法，以及半导体装置，以便能够提供一种具有该半导体装置，制造方法和半导体装置的电子设备的电子设备。第一基板，包括具有预定的量从所述第一层间绝缘突出膜的第一连接电极上的第一布线层，其具有第二连接电极与第二层间绝缘膜以预定量突出的第二布线包括层。然后，在第一基板和第二基板，所述第一连接电极和第二连接电极之间的接合表面接合时，第一层间绝缘膜和至少朝向层叠方向上的第二层间绝缘膜他们加入了一部分。

4. 发明专利

JP5152257B2 Method of manufacturing the solid-state imaging device 有权
公开(公告)号：JP5152257B2
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：JP2010139992
申请日：2010-06-18
申请人：ソニー株式会社
发明人：洋一大塚 , 容幸榎本 , 和典長畑 , 忠之木村 , 利彦林 , 健一青柳 , 清隆田渕 , 巌杉浦 , 兼作前田
IPC分类号： H01L27/14 , G02B5/20 , H04N9/07

5. 发明专利

JPWO2015050000A1 半導体装置および固体撮像素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015050000A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015540449
申请日：2014-09-19
申请人：ソニー株式会社
发明人：恵永香川 , 恵永香川 , 宣年藤井 , 藤井　　宣年 , 正永深沢 , 正永深沢 , 金口　時久 , 時久金口 , 賢哉萩本 , 賢哉萩本 , 青柳　健一 , 健一青柳 , 生枝三橋 , 生枝三橋
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/065 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/04042 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/03
摘要：本技術はより簡単にクラック耐性を向上させることができるようにする半導体装置および固体撮像素子に関する。半導体装置は、Si基板およびそのSi基板上に積層された配線層からなる上側基板と、Si基板およびそのSi基板上に積層された配線層からなり、上側基板と貼り合わされた下側基板とを有している。また、上側基板にはワイヤーボンディング用またはプロービング用のパッドが形成されており、そのパッドから下側基板のSi基板までの間の各配線層には、ワイヤーボンディング用またはプロービング用のパッドの角や辺部分を保護するためのパッドが放射線状に積層されて設けられている。本技術は、固体撮像素子に適用することができる。

6. 发明专利

JPWO2013108657A1 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013108657A1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2013554264
申请日：2013-01-08
申请人：ソニー株式会社
发明人：宣年藤井 , 藤井　　宣年 , 青柳　健一 , 健一青柳 , 賢哉萩本 , 賢哉萩本 , 岩元　勇人 , 勇人岩元
IPC分类号： H01L27/146 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L31/1876 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要：本技術は、第1素子を有する第1基板と、第2素子を有する第2基板との素子形成面同士を対向させて張り合わせることと、第2素子を有する第2基板の少なくとも端部に保護膜を形成することと、第1基板を薄肉化することとを含む。
摘要翻译：该技术中，具有第一元件的第一基板，以及由相对具有第二元件的第二基板的元件形成面贴合，至少具有第二元件的第二基板的端部包括：形成保护膜，并且所述第一基板的薄型化。

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