发明专利
JP4727734B2 Substrate transport apparatus, substrate transfer method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
有权
基本信息:
- 专利标题： Substrate transport apparatus, substrate transfer method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
- 申请号：JP2009013462 申请日：2009-01-23
- 公开(公告)号：JP4727734B2 公开(公告)日：2011-07-20
- 发明人： 信義 丹野 , 貴史 堀内
- 申请人： 株式会社ニコン , 株式会社宮城ニコンプレシジョン
- 专利权人： 株式会社ニコン,株式会社宮城ニコンプレシジョン
- 当前专利权人： 株式会社ニコン,株式会社宮城ニコンプレシジョン
- 优先权： JP2003349549 2003-10-08; JP2003349552 2003-10-08
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/20 ; H01L21/00 ; H01L21/677 ; H01L21/683 ; H01L21/687
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |