发明专利
JP3798808B2 High Early Den壓, high-frequency performance and high-yield power 壓特 of complementary bipolar transistor and a method of manufacturing the same comprising a
失效
基本信息:
- 专利标题： High Early Den壓, high-frequency performance and high-yield power 壓特 of complementary bipolar transistor and a method of manufacturing the same comprising a
- 申请号：JP50640193 申请日：1992-09-25
- 公开(公告)号：JP3798808B2 公开(公告)日：2006-07-19
- 发明人： クランデル，トーマス，エル． , ジュン・テーウォン , デービス，クリストファー，ケイ． , ビーサム，ジェームズ，ディー． , ベイジャー・ジョージ , リボリ，アンソニー，エル．
- 申请人： ハリス・コーポレーションHarris Corporation
- 专利权人： ハリス・コーポレーションHarris Corporation
- 当前专利权人： ハリス・コーポレーションＨａｒｒｉｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
- 优先权： US76620191 1991-09-27
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/73 ; H01L21/74 ; H01L21/8228 ; H01L21/84 ; H01L27/06 ; H01L27/082 ; H01L27/12 ; H01L29/08 ; H01L29/167 ; H01L29/732 ; H01L29/808 ; H01L29/8605
公开/授权文献:
- JPH07502624A 公开/授权日：1995-03-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |