基本信息:
- 专利标题： パワー半導体モジュールの製造方法およびパワー半導体モジュール
- 申请号：JP2017206085 申请日：2017-10-25
- 公开(公告)号：JP2019079940A 公开(公告)日：2019-05-23
- 发明人： 中村 宏之
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 代理人： 吉竹 英俊; 有田 貴弘
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L21/82
摘要：
【課題】本発明はパワー半導体モジュールの小型化を目的とする。 【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールの製造方法は、(a)複数の横型パワートランジスタ1UP,1UN,1VP,1VN,1WP,1WNを内蔵するパワー半導体チップである6in1チップ1を形成する工程と、(b)6in1チップ1の制御を行う制御用チップ3U,3V,3Wを、6in1チップ1とは異なるプロセスルールに従って形成する工程と、(c)6in1チップ1と制御用チップ3U,3V,3Wとを用いて一つのパワー半導体モジュールを形成する工程と、を備える。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6827401B2 パワー半導体モジュールの製造方法およびパワー半導体モジュール 公开/授权日：2021-02-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |