基本信息:
- 专利标题： 半導体装置用ボンディングワイヤ
- 专利标题（英）：JP2018078297A - Bonding wires for semiconductor device
- 申请号：JP2017228996 申请日：2017-11-29
- 公开(公告)号：JP2018078297A 公开(公告)日：2018-05-17
- 发明人： 山田 隆 , 小田 大造 , 榛原 照男 , 大石 良 , 齋藤 和之 , 宇野 智裕
- 申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 申请人地址： 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1
- 专利权人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社,新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 当前专利权人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社,新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 当前专利权人地址： 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1
- 代理人： 特許業務法人酒井国際特許事務所
- 优先权： JPPCT/JP2015/070861 2015-07-22 JP2015120509 2015-06-15
- 主分类号： C22C9/00
- IPC分类号： C22C9/00 ; H01L21/60
摘要：
【課題】Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、高温におけるボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。 【解決手段】ワイヤ中に高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含むことによって高温におけるボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位 の方位比率を30%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.5μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。 【選択図】なし
公开/授权文献:
- JP6664368B2 半導体装置用ボンディングワイヤ 公开/授权日：2020-03-13