基本信息:
- 专利标题： Magnetic sensor
- 专利标题（中）：磁传感器
- 申请号：JP2013124820 申请日：2013-06-13
- 公开(公告)号：JP2014029988A 公开(公告)日：2014-02-13
- 发明人： YANO SATOSHI , FURUICHI TAKAMOTO
- 申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
- 专利权人： Denso Corp,株式会社デンソー
- 当前专利权人： Denso Corp,株式会社デンソー
- 优先权： JP2012151499 2012-07-05; JP2013124820 2013-06-13
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; G01R33/09
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress influence of leakage field from a pin layer 15 to free layers 17a and 17b in a magnetic sensor 10.SOLUTION: With respect to a wiring layer 14, the pin layer 15 is formed in a shape with a curved cross section for covering the wiring layer 14 from a side opposite to a substrate 11. With respect to the pin layer 15, the free layers 17a and 17b are arranged at a side opposite to the substrate 11. Sizes of the free layers 17a and 17b in a plane direction are set to sizes smaller than that of the pin layer 15 in the plane direction. The leakage field from the pin layer 15 can form a closed loop on the substrate 11 side (opposite to the free layers 17a and 17b with respect to the pin layer 15). Accordingly, the influence of the leakage field from the pin layer 15 to the free layers 17a and 17b can be suppressed.
摘要（中）：
要解决的问题：抑制磁性传感器10中的针层15到自由层17a和17b的泄漏场的影响。解决方案：对于布线层14，销层15形成为具有弯曲 横截面用于从与基板11相对的一侧覆盖布线层14.相对于引脚层15，自由层17a和17b布置在与基板11相对的一侧。自由层17a和17b的尺寸 在平面方向上的尺寸设定为小于销层15在平面方向上的尺寸。 来自销层15的漏电场可以在基板11侧（与自由层17a和17b相对于销层15相对）上形成闭环。 因此，可以抑制从针层15到自由层17a和17b的泄漏场的影响。
公开/授权文献:
- JP5664706B2 磁気センサ 公开/授权日：2015-02-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |