基本信息:
- 专利标题: Semiconductor device manufacturing method
- 专利标题(中):半导体器件制造方法
- 申请号:JP2011049851 申请日:2011-03-08
- 公开(公告)号:JP2012186403A 公开(公告)日:2012-09-27
- 发明人: SHIODA JUNJI
- 申请人: Teramikros Inc , 株式会社テラミクロス
- 专利权人: Teramikros Inc,株式会社テラミクロス
- 当前专利权人: Teramikros Inc,株式会社テラミクロス
- 优先权: JP2011049851 2011-03-08
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/12
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which can inhibit a dent from being formed on a surface of an encapsulation layer in a package.SOLUTION: In a semiconductor device manufacturing process, after forming an encapsulation film 17-1 in a temporary cured state by performing a series of processes including coating of a liquid encapsulation material 33 on a semiconductor wafer 21, defoaming and calcination, a series of processes including coating of the liquid encapsulation material 33, defoaming and final baking is performed again, and an encapsulation layer 17 forming an integrated layer without a borderline, which includes the encapsulation film 17-1 in the temporary cured state and an encapsulation film 17-2 composed of the encapsulation material 33 coated thereafter is formed. Accordingly, the encapsulation layer 17 having a uniform film thickness and a flat surface condition is formed.
摘要(中):
要解决的问题:提供一种能够抑制在封装中的封装层的表面上形成凹陷的半导体器件制造方法。 解决方案:在半导体器件制造工艺中,在通过执行包括在半导体晶片21上涂覆液体封装材料33的一系列工艺,消泡和煅烧之后,在临时固化状态下形成封装膜17-1之后, 再次进行包括液体包封材料33的涂布,消泡和最终烘烤的一系列处理,形成没有边界线的一体化层的封装层17,其包括处于临时固化状态的封装膜17-1和封装膜 形成由其后涂覆的封装材料33构成的17-2。 因此,形成具有均匀膜厚和平坦表面状态的封装层17。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
--------------H01L21/56 | ....封装,例如密封层、涂层 |