发明专利
JP2012114289A Magnetoresistive element, semiconductor memory and method of manufacturing magnetoresistive element
有权
基本信息:
- 专利标题： Magnetoresistive element, semiconductor memory and method of manufacturing magnetoresistive element
- 专利标题（中）：磁性元件，半导体存储器和制造磁性元件的方法
- 申请号：JP2010262722 申请日：2010-11-25
- 公开(公告)号：JP2012114289A 公开(公告)日：2012-06-14
- 发明人： RI EIMIN , YOSHIDA CHIKAKO
- 申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
- 专利权人： Fujitsu Ltd,富士通株式会社
- 当前专利权人： Fujitsu Ltd,富士通株式会社
- 优先权： JP2010262722 2010-11-25
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L21/8246 ; H01L29/82 ; H01L43/08 ; H01L43/10 ; H01L43/12
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the electrical characteristics of a magnetoresistive element from deteriorating by preventing contamination of a tunnel insulating film without prolonging the etching time.SOLUTION: The magnetoresistive element has a fixed layer arranged on a semiconductor substrate, a tunnel insulating film arranged on the fixed layer, a first free layer containing Fe arranged on the tunnel insulating film, a second free layer containing Fe and Ta arranged on the first free layer, a stopper layer containing Ru arranged on the second free layer, and a hard mask arranged on the stopper layer. Since the interval of the first free layer and the stopper layer can be increased by the second free layer, Ru in the stopper layer can be prevented from adhering to the tunnel insulating film, and thereby prevented from appearing on the interface of the first free layer. Consequently, contamination of the tunnel insulating film can be prevented without prolonging the etching time, and the electrical characteristics of the magnetoresistive element can be prevented from deteriorating.
摘要（中）：
要解决的问题：通过防止隧道绝缘膜的污染而不延长蚀刻时间来防止磁阻元件的电特性劣化。 解决方案：磁阻元件具有布置在半导体衬底上的固定层，布置在固定层上的隧道绝缘膜，包含布置在隧道绝缘膜上的Fe的第一自由层，包含Fe和Ta的第二自由层布置 在第一自由层上，设置有布置在第二自由层上的Ru的阻挡层和布置在阻挡层上的硬掩模。 由于可以通过第二自由层增加第一自由层和阻挡层的间隔，所以可以防止阻挡层中的Ru粘附到隧道绝缘膜，从而防止出现在第一自由层的界面上 。 因此，可以防止隧道绝缘膜的污染，而不会延长蚀刻时间，并且可以防止磁阻元件的电特性劣化。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP5779871B2 磁気抵抗素子、半導体メモリおよび磁気抵抗素子の製造方法 公开/授权日：2015-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |