基本信息:
- 专利标题： Method for maskless particle-beam exposure
- 专利标题（中）：一种用于无掩模Teilchenstrahlbelichtung方法
- 申请号：EP09450211.9 申请日：2009-11-05
- 公开(公告)号：EP2187427B1 公开(公告)日：2011-10-05
- 发明人： Fragner, Heinrich , Platzgummer, Elmar , Nowak, Robert , Bürli, Adrian
- 申请人： IMS Nanofabrication AG
- 申请人地址： Schreygasse 3 1020 Vienna AT
- 专利权人： IMS Nanofabrication AG
- 当前专利权人： IMS NANOFABRICATION GMBH, AT
- 当前专利权人地址： IMS NANOFABRICATION GMBH, AT
- 代理机构： Matschnig, Franz
- 优先权： EP08450184 20081117
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317
公开/授权文献:
- EP2187427A3 Method for maskless particle-beam exposure 公开/授权日：2010-10-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |