基本信息:
- 专利标题： 沟槽的形成方法及半导体结构
- 申请号：CN201310130921.5 申请日：2013-04-12
- 公开(公告)号：CN103199053B 公开(公告)日：2015-08-19
- 发明人： 童亮
- 申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市文三路90号科技大厦A1501
- 专利权人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 当前专利权人： 杭州芯迈半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市文三路90号科技大厦A1501
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 郑玮
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/308 ; H01L29/06
摘要：
本发明提供了一种沟槽的形成方法及半导体结构，其中，所述沟槽的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层具有开口，所述图案化的硬掩膜层的厚度为100nm～400nm；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽。通过本发明提供的沟槽的形成方法，无需增加制造工艺、也不增加材料成本，能够通过工艺简单、成本低廉的方法形成有利于多晶硅材料或绝缘材料填充的沟槽。
公开/授权文献:
- CN103199053A 沟槽的形成方法及半导体结构 公开/授权日：2013-07-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |