基本信息:
- 专利标题： 沟槽的形成方法及半导体结构
- 专利标题（英）：Groove forming method and semiconductor structure
- 申请号：CN201310130921.5 申请日：2013-04-12
- 公开(公告)号：CN103199053A 公开(公告)日：2013-07-10
- 发明人： 童亮
- 申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市文三路90号科技大厦A1501
- 专利权人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 当前专利权人： 杭州芯迈半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市文三路90号科技大厦A1501
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 郑玮
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/308 ; H01L29/06
The invention provides a groove forming method and a semiconductor structure. The groove forming method comprises a semiconductor substrate. A patterned hard masking film layer is formed on the semiconductor substrate and provided with an opening. The thickness of the patterned hard masking film layer ranges from 100nm to 400nm. The patterned hard masking film layer is used as a masking film, the semiconductor substrate undergoes etching. A groove is formed in the semiconductor substrate. According to the groove forming method, manufacturing technologies or cost of materials is not added, and a groove filled by polycrystalline silicon materials or insulating materials in a benefited mode is formed according to the forming method which is simple in technology and low in cost.
公开/授权文献:
- CN103199053B 沟槽的形成方法及半导体结构 公开/授权日：2015-08-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |