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1. 发明申请

WO2023040120A1 透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池审中-公开
公开(公告)号：WO2023040120A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/CN2021/142673
申请日：2021-12-29
申请人：中威新能源（成都）有限公司
发明人：石建华 , 张海川 , 袁强 , 蒙春才 , 孟凡英 , 刘正新 , 程琼 , 周华 , 周丹
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074
摘要：本申请提供一种透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域领域。透明导电氧化物薄膜包括种子层、导电层和保护层，种子层包括氧化铟锡膜或镓/铝共掺杂氧化锌膜，导电层为镓/铝共掺杂氧化锌膜，保护层为氧化铟锡膜；透明导电氧化物薄膜中的氧化铟锡膜的厚度小于镓/铝共掺杂氧化锌膜的厚度。其能够保证电池效率和减少电池衰减，同时能够减少成本。

2. 发明申请

WO2016011426A1 SOLAR CELL WITH INTERDIGITATED BACK CONTACT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池与接触式接触
公开(公告)号：WO2016011426A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/US2015/041027
申请日：2015-07-17
申请人： SOLARCITY CORPORATION
发明人： HENG, Jiunn Benjamin , XIE, Zhigang , XU, Zheng
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： A solar cell with an interdigitated back contact is provided. The solar cell can include a crystalline silicon base layer and an electron collector region on a back side of the base layer. The electron collector region can include a first conductive oxide material electrically coupled to the base layer. The solar cell can also include a hole collector region on the back side of the base layer. The hole collector region can include a second conductive oxide material electrically coupled to the base layer. The electron collector region and hole collector region can form an interdigitated pattern. Furthermore, the first conductive oxide material and second conductive oxide material have different work functions.
摘要翻译：提供了具有交错背接触的太阳能电池。太阳能电池可以包括晶体硅基底层和在基底层的背面上的电子收集器区域。电子收集器区域可以包括电耦合到基底层的第一导电氧化物材料。太阳能电池还可以在基底层的背侧上包括孔集合区域。空穴集电极区域可以包括电耦合到基底层的第二导电氧化物材料。电子收集区域和空穴集电极区域可以形成交错图案。此外，第一导电氧化物材料和第二导电氧化物材料具有不同的功函数。

3. 发明申请

WO2014199462A1 太陽電池セルおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2014199462A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/JP2013/066198
申请日：2013-06-12
申请人：株式会社日立製作所
发明人：河村　哲史 , 峰　利之 , 渡邉　敬司 , 森下　真年 , 孫　偉 , 服部　孝司 , 長部　太郎
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/074
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/035254 , Y02E10/50
摘要：　太陽電池セルは、ｎ型の半導体基板（ＳＵＢ）の表面（ＴＳ）内で間隔を空けて形成された複数のピラー（ＮＰ）を有する。ピラー（ＮＰ）は、半導体層と、半導体層と異なるバンドギャップを有する材料層とが、半導体基板（ＳＵＢ）の表面（ＴＳ）上に交互に積層された積層部（ＬＢ）と、積層部（ＬＢ）の側面に形成された、ｎ型の半導体（ＳＣＮ）と、ｐ型の半導体（ＳＣＰ）とを含む。半導体（ＳＣＮ）は、積層部（ＬＢ）の側面に露出した複数の半導体層および複数の材料層のそれぞれと接続されており、半導体（ＳＣＰ）は、積層部（ＬＢ）の側面に露出した複数の半導体層および複数の材料層のそれぞれと接続されている。
摘要翻译：一种太阳能电池，具有在n型半导体衬底（SUB）的表面（TS）中彼此间隔一定距离地形成的多个支柱（NP）。每个支柱（NP）包括层叠部分（LB），其中半导体层和具有与半导体层的带隙不同的带隙的材料层交替层叠在半导体衬底（SUB）的表面（TS）上，并且 n型半导体（SCN）和形成在层叠部（LB）的侧面的p型半导体（SCP）。半导体（SCN）连接到多个半导体层中的每一个和暴露在层叠部分（LB）的侧表面上的多个材料层，并且半导体（SCP）连接到多个半导体层中的每一个以及暴露在层叠部分（LB）的侧表面上的多个材料层。

4. 发明申请

WO2020193970A1 SILICON PASSIVATION WITH THIN FILM OXIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020193970A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：PCT/GB2020/050786
申请日：2020-03-24
申请人： THE UNIVERSITY OF WARWICK
发明人： GRANT, Nicholas Ewen , MURPHY, John Douglas , POINTON, Alex Ivan
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L31/074
摘要： A thin film passivation method comprises obtaining silicon comprising a silicon surface with an oxide layer (3a, 3b) thereon; and wetting the silicon surface with the oxide layer thereon in a solution containing trifluoromethanesulfonyl (CF 3 SO 2 ) groups so as to allow the trifluoromethanesulfonyl groups to interact with the oxide layer. An oxide layer of a wafer formed by such a method may comprise at least 0.1 atom% of each of fluorine, nitrogen and sulphur. The wafer may be used in a photovoltaic cell.

5. 发明申请

WO2019197893A1 OPTIMISATION DU CONTACT ELECTRIQUE METAL/METAL DANS UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE SEMI-TRANSPARENT EN COUCHES MINCES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019197893A1
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：PCT/IB2019/000296
申请日：2019-04-10
申请人： GARMIN SWITZERLAND
发明人： BOUCHOUCHA, Mohamed
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/0468
摘要： L'invention concerne un dispositif photovoltaïque semi-transparent à couches minces comportant au moins : - un substrat transparent (1); - une électrode avant (2) constituée d'un matériau électriquement conducteur et transparent, disposée sur le substrat transparent; - une ou plusieurs couche(s) photo-active(s) appelées absorbeur (3) - une électrode arrière (4) constituée d'un empilement d'au moins une couche conductrice métallique (40) en contact avec l'absorbeur et d'une couche barrière métallique (41) déposée de manière homogène sur l'ensemble de la couche conductrice métallique; - une couche métallique de reprise de contact (11); - une zone de reprise de contact (10); caractérisé en ce l'épaisseur E1 de la couche barrière métallique est supérieure à 5% de l'épaisseur E2 de la couche conductrice métallique et est supérieure à 5 nm.

6. 发明申请

WO2018075295A1 CASCADED PHOTOVOLTAIC STRUCTURES WITH INTERDIGITATED BACK CONTACTS 审中-公开
标题翻译：带背接触的级联光伏结构
公开(公告)号：WO2018075295A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/US2017/055937
申请日：2017-10-10
申请人： SOLARCITY CORPORATION
发明人： HENG, Jiunn Benjamin , RIVE, Peter J. , XIE, Zhigang , YANG, Bobby
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/074 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0516 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/043 , H01L31/0508 , H01L31/074 , H01L31/0747 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要： A solar module is provided. The solar module includes a number of photovoltaic structures (302, 304). Each photovoltaic structure has an interdigitated back contact (312, 318), and the photovoltaic structures are cascaded, wherein any two adjacent structures are electrically coupled by overlapping their edges.
摘要翻译：提供了一种太阳能电池组件。太阳能模块包括多个光伏结构（302,304）。每个光伏结构都具有叉指背接触（312,318），并且光伏结构是级联的，其中任何两个相邻结构通过重叠它们的边缘而电耦合。

7. 发明申请

WO2016117073A1 太陽電池の製造方法および太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法和太阳能电池
公开(公告)号：WO2016117073A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/JP2015/051649
申请日：2015-01-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：杉村　恵美
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/074
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/074 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：　受光面１Ａおよび裏面１Ｂを有するｐ型単結晶シリコン基板１の側面１Ｃに選択的に酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０の形成されたｐ型単結晶シリコン基板１の受光面１Ａにｎ型拡散層３を形成する工程と、ｎ型拡散層３の形成されたｐ型単結晶シリコン基板１の裏面１Ｂにｎ型拡散層３よりも高濃度のｐ型拡散層８を形成する工程とを含む。上記構成により、受光面１Ａの損傷の抑制、拡散層の削り量を抑制し、光電変換効率の向上をはかりつつも、端面すなわち側面１Ｃへの拡散を防止し、端部の拡散層からのリークを抑制し、太陽電池の良品率向上をはかる。
摘要翻译：该太阳能电池制造方法包括：在具有受光面1A和背面1B的p型单晶硅基板1的侧面1C上选择性地形成氧化膜10的工序; 在形成有氧化膜10的p型单晶硅基板1的受光面1A上形成n型扩散层3的工序; 以及在其上形成有n型扩散层3的p型单晶硅衬底1的背面1B上形成p型扩散层8的步骤，所述p型扩散层的浓度高于通过这样的结构，在抑制受光面1A的损伤的同时，抑制扩散层的去除量，提高光电转换效率，向端面即侧面1C的扩散为消除了从端部的扩散层的泄漏，并且提高了太阳能电池的产率。

8. 发明申请

WO2021196606A1 叠层光伏器件及生产方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021196606A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：PCT/CN2020/126079
申请日：2020-11-03
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：吴兆 , 徐琛 , 李子峰
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L51/42
摘要：一种叠层光伏器件及生产方法，涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：位于上层电池单元（1）和下层电池单元（2）之间的隧道结（3）；下层电池单元（2）为晶体硅电池；隧道结（3）包括：载流子传输层、晶体硅层（32）以及位于载流子传输层和晶体硅层（32）之间的中间层（33）；载流子传输层为金属氧化物层（31）；中间层（33）包括隧穿层；晶体硅层（32）的掺杂浓度大于等于10 17cm -3；载流子传输层与上层电池单元（1）的背光面直接接触；在晶体硅层（32）为p型晶体硅层的情况下，第一能级与第二能级接近；第一能级为界面处金属氧化物的导带底能级；第二能级为界面处p型晶体硅的价带顶能级；在晶体硅层（32）为n型晶体硅层的情况下，第三能级与第四能级接近。提高了工艺简单，界面复合少，整体串联电阻偏低，隧穿效率高。

9. 发明申请

WO2019066648A8 TITLE: SOLAR CELLS WITH TRANSPARENT CONTACTS BASED ON POLY-SILICON-OXIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019066648A8
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/NL2018/050631
申请日：2018-09-24
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
发明人： ISABELLA, Olindo , PROCEL MOYA, Paul Alejandro , ZEMAN, Miroslav , YANG, Guangtao
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/074
摘要： The present invention is in the field of a process for making solar cells, or photovoltaic (PV) cell, with transparent contacts based on poly-silicon-oxide, and solar cells with transparent contacts based on poly-silicon-oxide. Said solar cells comprise at least one hetero junction and typically two hetero junctions. The solar cell may be considered as a high temperature silicon oxide hetero junction (HT-SOHO) solar cell.

10. 发明申请

WO2017038698A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器
公开(公告)号：WO2017038698A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/075030
申请日：2016-08-26
申请人：京セラ株式会社
发明人：仲山　徹
IPC分类号： H01L31/0352 , B82Y30/00 , H01L31/074
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L31/0352 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要：ｐ／ｎ接合された２つの半導体層７Ａ、７Ｂを光電変換層１として備えており、２つの半導体層７Ａ、７Ｂのうち少なくとも一方の半導体層７Ａ、７Ｂが量子ドット集積膜１１であるとともに、該量子ドット集積膜１１がエネルギー準位の異なる２層以上の量子ドット層７Ａ、７Ｂを備えている。量子ドット集積膜１１がｐ型であるとき、ｐ／ｎ接合面８に近い方に、価電子帯のエネルギー準位ＢＶとフェルミ準位Ｅｆの差が大きな量子ドット層７Ａが配置されている。
摘要翻译：提供两个p / n接合半导体层7A，7B作为光电转换层1的一部分，两个半导体层7A，7B中的至少一个半导体层7A，7B是量子点集成膜11.量子点集成膜11具有两个以上具有不同能级的量子点层7A，7B。当量子点积分膜11是p型膜时，能量水平BV和价带的费米能级Ef之间的差异量子点层7A靠近p / n结表面8设置。

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