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1. 发明申请

WO2023035760A1 拉晶夹具、拉晶炉及拉晶方法审中-公开
公开(公告)号：WO2023035760A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/CN2022/104708
申请日：2022-07-08
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：朱永刚 , 李侨
IPC分类号： C30B15/30 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要：一种拉晶夹具、拉晶炉及拉晶方法，其中，拉晶夹具应用于二次转肩拉晶工艺，包括上下间隔设置的第一安装件和第二安装件，第一安装件和第二安装件上同轴设置有通孔，通孔内穿设有用于向上拉晶的拉晶绳，且所述拉晶绳上设置有能与第二安装件向上定位配合的定位部；围绕通孔的轴线设置有至少三个卡爪，各卡爪在水平方向上具有夹持状态和释放状态；第一连杆机构和第二连杆机构，至少用于在定位部与第二安装件向上定位配合，且第二安装件随所述拉晶绳向上运动预定距离后，控制各卡爪由释放状态同步切换为夹持状态。上述方案用于在拉晶过程中对晶棒进行夹持，防止晶棒掉落，砸坏石英坩埚，造成较大的经济损失及引起安全事故的问题。

2. 发明申请

WO2021004784A1 VERFAHREN ZUM ZIEHEN EINES EINKRISTALLS AUS SILIZIUM GEMÄSS DER CZOCHRALSKI-METHODE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021004784A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：PCT/EP2020/067585
申请日：2020-06-24
申请人： SILTRONIC AG
发明人： MANGELBERGER, Karl , HEUWIESER, Walter , SKROBANEK, Michael
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06
摘要： Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium, der einen spezifischen Widerstand von nicht mehr als 20 mΩcm aufweist, gemäß der Czochralski-Methode aus einer Schmelze, umfassend das Ziehen eines ersten Abschnitts eines Dünnhalses mit einer ersten Ziehgeschwindigkeit, aufgrund derer sich der Durchmesser des ersten Abschnitts des Dünnhalses im Vergleich zum Durchmesser eines Keimkristalls mit einer Rate von nicht weniger als 0,3 mm pro mm Länge des Dünnhalses auf einen Zieldurchmesser von nicht mehr als 5 mm verjüngt; das Ziehen eines zweiten Abschnitts eines Dünnhalses mit einer zweiten Ziehgeschwindigkeit von weniger als 0,2 mm/min über einen Zeitraum von nicht weniger als 3 min, ohne dass sich der Durchmesser des zweiten Abschnitts des Dünnhalses auf mehr als 5,5 mm erhöht; und das Ziehen eines dritten Abschnitts des Dünnhalses mit einer dritten Ziehgeschwindigkeit von mehr als 2 mm/min.

3. 发明申请

WO2020214531A1 METHODS FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING CONTINUOUS CZOCHRALSKI METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2020214531A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/US2020/027953
申请日：2020-04-13
申请人： GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人： HUDSON, Carissima, Marie , RYU, JaeWoo
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B15/20
摘要： A method for growing a single crystal silicon ingot by the continuous Czochralski method is disclosed. The melt depth and thermal conditions are constant during growth because the silicon melt is continuously replenished as it is consumed, and the crucible location is fixed. The critical v/G is determined by the hot zone configuration, and the continuous replenishment of silicon to the melt during growth enables growth of the ingot at a constant pull rate consistent with the critical v/G during growth of a substantial portion of the main body of the ingot.

4. 发明申请

WO2017214084A1 HIGH RESISTIVITY SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER HAVING IMPROVED MECHANICAL STRENGTH 审中-公开
标题翻译：高电阻率单晶硅锭和具有更高机械强度的晶片
公开(公告)号：WO2017214084A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/US2017/036061
申请日：2017-06-06
申请人： SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED , BASAK, Soubir
发明人： BASAK, Soubir , PEIDOUS, Igor , HUDSON, Carissima Marie , LEE, HyungMin , KIM, ByungChun , FALSTER, Robert J.
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30
摘要： A method for preparing a single crystal silicon ingot and a wafer sliced therefrom are provided. The ingots and wafers comprise nitrogen at a concentration of at least about 1x1014 atoms/cm3 and/or germanium at a concentration of at least about 1x1019 atoms/cm3, interstitial oxygen at a concentration of less than about 6 ppma, and a resistivity of at least about 1000 ohm cm.
摘要翻译：提供了用于制备单晶硅锭和从中切割的晶片的方法。晶锭和晶片包含浓度至少约1×10 14原子/ cm 3的氮和/或浓度至少约1×10 19原子/ cm 3的锗，浓度低于约6ppma的间隙氧，电阻率为至少约1000欧姆厘米。

5. 发明申请

WO2017202656A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM, VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM UND HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM 审中-公开
标题翻译：用于生产单晶硅的半导体晶片，器具，用于产生单晶硅的半导体晶片和单晶硅的半导体晶片
公开(公告)号：WO2017202656A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/EP2017/061784
申请日：2017-05-17
申请人： SILTRONIC AG
发明人： HEUWIESER, Walter , KNERER, Dieter , SCHACHINGER, Werner , OOKUBO, Masamichi
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, die Sauerstoff und mindestens einen Dotierstoff vom n-Typ enthält. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen einer Schmelze aus Silizium, die Dotierstoff vom n-Typ enthält, in einem Quarz-Tiegel, wobei die Schmelze eine anfängliche Höhe hM hat; das Erhitzen der Schmelze von der Seite durch selektives Zuführen von Wärme zu einem oberen Volumen der Schmelze, das eine anfängliche Höhe hm hat, wobei die Höhe hm kleiner ist als die Höhe hM; das Ziehen eines Einkristalls aus Silizium gemäß der CZ-Methode aus der Schmelze mit einer Ziehgeschwindigkeit V; das Erhitzen der Schmelze von oben im Bereich einer Phasengrenze zwischen dem wachsenden Einkristall und der Schmelze; das Erhitzen der Schmelze von oben im Bereich einer Oberfläche der Schmelze; das Beaufschlagen der Schmelze mit einem Magnetfeld; das Gegendotieren der Schmelze mit Dotierstoff vom p-Typ; und das Abtrennen der Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium vom Einkristall.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造单晶硅的半导体晶片，用于执行导航使用该方法和由单晶硅，氧的半导体晶片和n型中的至少一种掺杂剂包含HOLDS的装置。该方法包括在石英坩埚中提供含硅的n型掺杂剂的熔体，该熔体具有初始高度hM; 通过W＆AUML选择性Zuf导航用途引线从侧加热熔体; RME到熔体的上部容积，ANF BEAR ngliche H＆ouml;拥有他HM，其中H＆ouml;他HM比H＆ouml小;他HM; 分别拉硅单晶; 来自具有拉速V的熔体的CZ方法; 在生长的单晶和熔体之间的相界的区域中从上方加热熔体; 在熔体表面的区域中从上方加热熔体; 将熔体施加到磁场; 用p型掺杂剂对熔体进行反掺杂; 并将单晶硅晶片与单晶分开。

6. 发明申请

WO2014193025A1 분할 도가니 가이드를 구비한 실리콘 잉곳 제조장치 审中-公开
标题翻译：制造硅金属制品的设备，提供各种可分离的指导
公开(公告)号：WO2014193025A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/KR2013/005533
申请日：2013-06-24
申请人： 주식회사 인솔텍
发明人： 김영조
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/002 , C30B35/002
摘要： 본 발명은 도가니 가이드를 다수 개로 분할조립하여 적층시켜 실리콘 잉곳 응고시, 히터로부터 분할 도가니 가이드로 전달되는 열이 상부 분할 도가니 가이드로부터 하부 분할 도가니 가이드로 열전달을 최소화하여 수직방향으로 일방향 결정성장을 이루는 양질의 잉곳을 얻을 수 있는 분할 도가니 가이드를 구비한 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造硅锭的装置，其具有分开的坩埚导向件，其中坩埚导向件被分成多个，组装和层压，以便最小化从加热器传递到分开的坩埚导向件的热量从在硅锭固化期间的上部分坩埚导向件分为下部坩埚导向件。因此，可以在垂直方向上获得具有单向晶体生长的高质量的锭。

7. 发明申请

WO2013126899A2 ELECTROMAGNETIC MIXING FOR NITRIDE CRYSTAL GROWTH 审中-公开
标题翻译：用于硝酸盐晶体生长的电磁混合
公开(公告)号：WO2013126899A2
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/US2013/027669
申请日：2013-02-25
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , VON DOLLEN, Paul
发明人： VON DOLLEN, Paul
IPC分类号： F27B14/06 , C30B15/30 , C30B29/40
CPC分类号： F27B14/061 , C30B9/10 , C30B15/305 , C30B29/403 , Y10T117/1068
摘要： A method and apparatus for bulk Group-Ill nitride crystal growth through inductive stirring in a sodium flux growth technique. A helical electromagnetic coil is closely wound around a non-conducting cylindrical crucible containing a conductive crystal growth solution, including both precursor gallium and sodium, wherein a nitrogen-containing atmosphere can be maintained at any pressure. A seed crystal is introduced with the crystal's growth interface submerged slightly below the solution's surface. Electrical contact is made to the coil and an AC electrical field is applied at a specified frequency, in order to create eddy currents within the conductive crystal growth solution, resulting in a steady-state flux of solution impinging on the submerged crystal's growth interface.
摘要翻译：一种在钠通量生长技术中通过感应搅拌进行体积III-III族氮化物晶体生长的方法和装置。螺旋电磁线圈紧密地缠绕在包含导电晶体生长溶液的非导电圆柱形坩埚周围，其包括前体镓和钠，其中含氮气氛可以保持在任何压力下。引入晶种，晶体的生长界面淹没在溶液表面以下。对线圈进行电接触，并以指定的频率施加交流电场，以便在导电晶体生长溶液内产生涡流，从而产生稳定的溶液流入入侵的晶体的生长界面。

8. 发明申请

WO2010089816A1 単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：制造单晶的装置
公开(公告)号：WO2010089816A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/JP2009/005552
申请日：2009-10-22
申请人：信越半導体株式会社 , 森隆 , 岩崎淳 , 井上七夫 , 石橋政範 , 石本弘幸
发明人：森隆 , 岩崎淳 , 井上七夫 , 石橋政範 , 石本弘幸
IPC分类号： C30B15/30 , C30B15/32
CPC分类号： C30B15/32
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる際にシードチャックで保持された種結晶をシードワイヤーで引き上げる単結晶製造装置であって、シードワイヤーの下端に先端ワイヤーの上端が連結され、先端ワイヤーの下端にシードチャックが結合されたものである単結晶製造装置である。これにより、単結晶製造装置における単結晶の引き上げを行うシードワイヤーの交換サイクルを延ばすことにより、コストが低減されて、品質ロスが少なく高重量の単結晶を歩留まり良く製造することができる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种单晶的制造装置，其特征在于，使用切克劳斯基（Czochralski）法拉动单晶时，通过晶种线拉拔由种子卡盘保持的晶种。前端线的上端连接到种子线的下端，种子卡盘连接到前端线的下端。因此，通过延长在单晶制造装置中牵引单晶的种子线的更换周期，成本降低，可以高产率制造质量损失小，重量轻的单晶。

9. 发明申请

WO2010022861A1 COIL ARRANGEMENT FOR CRYSTAL PULLING AND METHOD OF FORMING A CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于晶体拉伸的线圈布置和形成晶体的方法
公开(公告)号：WO2010022861A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/005842
申请日：2009-08-12
申请人： BRUKER ADVANCED SUPERCON GMBH , HOBL, Achim , FISCHER, Bernhard
发明人： HOBL, Achim , FISCHER, Bernhard
IPC分类号： C30B15/30 , C30B30/04
CPC分类号： C30B15/305 , Y10T117/1032
摘要： Coil arrangement for crystal pulling comprising two coils, wherein at least one of said two coils is arranged in a way to substantially surround the crystal and/or the fluid the crystal is pulled from. Method of forming a crystal comprising the steps of providing a fluid the crystal is pulled from, and providing two coils, wherein at least one of said two coils is arranged in a way to substantially surround the crystal and/or the fluid, and pulling the crystal from the fluid.
摘要翻译：用于晶体拉动的线圈布置包括两个线圈，其中所述两个线圈中的至少一个以基本上围绕晶体和/或流体的方式布置，晶体被拉出。包括以下步骤的形成晶体的方法：提供晶体的流体，并且提供两个线圈，其中所述两个线圈中的至少一个以基本上围绕晶体和/或流体的方式布置，并且拉动晶体从流体中。

10. 发明申请

WO00071786A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于生长高品质单晶的方法和装置
公开(公告)号：WO00071786A1
公开(公告)日：2000-11-30
申请号：PCT/JP2000/003264
申请日：2000-05-22
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/30 , C30B17/00 , C30B29/22 , C30B29/30
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/10 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
摘要： A method for growing a single crystal which comprises contacting a seed crystal (4) to a raw material melt (2) in a crucible (1), characterized in that a blade (5) or a baffle plate is provided in the raw material (2) melt in the crucible (1) and the growing of a single crystal is performed by pulling up the seed crystal with rotating the crucible (1). The method can be used for growing various single crystals including CLBO from a highly viscous melt of a raw material (2) as a high quality and high performance crystal.
摘要翻译：一种用于生长单晶的方法，其包括使晶种（4）与坩埚（1）中的原料熔体（2）接触，其特征在于，在所述原料（1）中设置有叶片（5）或挡板 2）在坩埚（1）中熔化，并且通过旋转坩埚（1）拉起晶种来进行单晶的生长。该方法可用于从高质量和高性能晶体的原料（2）的高粘度熔体生长包括CLBO的各种单晶。

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