会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 7. 发明申请
    • RECRYSTALLIZATION PROCESS
    • 再结晶方法
    • WO01010830A3
    • 2001-06-14
    • PCT/US2000/021505
    • 2000-08-04
    • B01D9/00C01D7/00C01D7/24C30B17/00C01D1/30C01D3/24C01D7/40C01D15/08C01D17/00C01D7/14C01D7/37C13K1/10C22B26/10
    • C01D7/24B01D9/005B01D9/0059C01D7/00
    • The present invention provides a process for producing crystals of a polymorphic compound in a first crystal structure by introduction of the compound in a second crystal structure into a saturated brine solution of the compound under conditions in which formation of the first crystal structure is favored and without evaporation or changes in temperature. As the second crystal structure dissolves, the brine becomes supersaturated resulting in relief of supersaturation by formation of crystals of the first crystal structure. The process includes controlling supersaturation and its relief to achieve growth of existing crystals of the first crystal structure rather than nucleation and formation of new crystals. The resulting crystals are separated from insoluble impurities on a size separation basis.
    • 本发明涉及一种用于通过在第二晶体结构引入所述化合物,然后在的条件下的化合物的饱和的氯化钠溶液中的第一晶体结构的制造多晶型物化合物的晶体的方法,其中所述第一晶体结构的形成被促进,并且其中 既没有蒸发,也没有温度变化。 当第二结构溶解时,盐水变得过饱和并且通过形成第一结晶结构的晶体而被释放。 该方法包括控制过饱和和释放的水平,允许第一晶体结构的现有晶体的生长而不是成核和新晶体的形成。 通过校准将所得晶体与不溶性杂质分离。