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    • 2. 发明申请
    • SCHALTUNGSANORDNUNG MIT KOMPENSATIONSKAPAZITÄTEN ZUR ERZEUGUNG VON MIKROWELLEN- SCHWINGUNGEN
    • 与补偿容量微波振动的生产线路
    • WO2012013308A1
    • 2012-02-02
    • PCT/EP2011/003584
    • 2011-07-18
    • KROHNE MESSTECHNIK GMBH & CO. KGPOHL, Nils
    • POHL, Nils
    • H03B5/12
    • H03B5/125H03B5/12H03B5/1215H03B5/1231H03B5/1243H03B5/1293
    • Beschrieben und dargestellt ist eine zu einer Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Mikrowellen-Schwingungen gehörende Oszillator-Schaltung (1) mit zwei Transistoren (2 und 3) als Verstärker-Elemente und mit einem Resonator (4), wobei der Resonator (4) aus einem Basis-Impedanznetzwerk (5) und aus zwei Emitter-Impedanznetzwerken (6 und 7) besteht, das Basis-Impedanznetzwerk (5) oder / und ein Emitter-Impedanznetzwerk (6 oder 7) oder beide Emitter-Impedanznetzwerke (6 und 7) verstimmbar ist bzw. sind und die Transistoren (2, 3) jeweils eine parasitäre Basis-Kollektor-Kapazität aufweisen. Erfindungsgemäß ist die Rückwirkung der Last auf die Oszillator-Schaltung (1), die Lastrückwirkung, auch mit "Load-Pulling" bezeichnet, stark reduziert bzw., soweit als möglich, eliminiert, und zwar vor allem dadurch, dass zwischen dem Kollektor (14) des ersten Transistors (2) und der Basis (16) des zweiten Transistors (3) sowie zwischen dem Kollektor (15) des zweiten Transistors (3) und der Basis (17) des ersten Transistors (2) eine Kompensations-Kapazität (18, 19) geschaltet ist, wobei die Kompensations-Kapazitäten (18, 19) durch gesperrte pn-Übergänge realisiert sind.
    • 描述和示出与用于微波振荡的振荡器电路的包括两个晶体管的产生(1)的电路布置相关联的(2和3),其为基础的放大器元件,并且具有一个谐振器(4),其中,所述谐振器(4) -Impedanznetzwerk(5)和两个发射极阻抗网络(6和7),基座阻抗网络(5)和/或发射极阻抗网络(6或7),或两者发射极阻抗网络(6和7)的失谐是或 是,和晶体管(2,3)分别具有的寄生基极 - 集电极电容。 根据本发明的负载的振荡电路(1),负载反应性的反应中,也被称为“负载拉”大大减少,并且尽可能,消除,特别是在其(集电体14之间 )的第一晶体管(2)和所述第二晶体管的基极(16)(3)和(第二晶体管的集电极15)(3)之间和所述第一晶体管(2)的补偿电容器的基底(17)的(18 ,19)连接,其中,所述补偿电容器(18,19)通过偏压的pn结来实现。
    • 3. 发明申请
    • 고주파 신호 생성을 위한 발진기
    • 用于高频信号产生的振荡器
    • WO2016039506A1
    • 2016-03-17
    • PCT/KR2014/012100
    • 2014-12-10
    • 고려대학교 산학협력단
    • 이재성윤종원김남형
    • H03B5/12
    • H03B5/1212H03B5/12H03B5/1231H03B5/18H03B5/20H03B2200/0084
    • 본 발명은 고주파 신호 생성을 위한 발진기를 개시한다. 본 발명에 따르면, 고주파 신호 생성을 위한 발진기로서, 부하로부터 전원 공급 전압을 받는 제1 컬렉터, 접지와 연결되는 제1 베이스 및 상기 제1 베이스와 연결되는 제1 에미터를 포함하는 제1 트랜지스터; 및 상기 부하로부터 전원 공급 전압을 받는 제2 컬렉터, 접지와 연결되는 제2 베이스 및 상기 제2 베이스와 연결되는 제2 에미터를 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 컬렉터 및 상기 제2 에미터가 크로스 커플드되고, 상기 제2 컬렉터 및 상기 제1 에미터가 크로스 커플드되는 공통 베이스 크로스-커플드 구조의 발진기가 제공된다.
    • 公开了一种用于高频信号产生的振荡器。 根据本发明提供一种用于高频信号产生的振荡器,包括:第一晶体管,包括用于从负载接收电源电压的第一集电极,连接到地的第一基极和连接到第一集电极的第一发射极 基础; 以及第二晶体管,包括用于从所述负载接收电源电压的第二集电器,连接到地的第二基极和连接到所述第二基极的第二发射极,所述振荡器具有公共基极交叉耦合结构,其中, 第一集电极和第二发射极交叉耦合,并且第二集电极和第一发射极交叉耦合。
    • 6. 发明申请
    • 可変容量回路、発振回路、および、可変容量回路の制御方法
    • 可变电容电路,振荡电路以及可变电容电路的控制方法
    • WO2017126241A1
    • 2017-07-27
    • PCT/JP2016/086142
    • 2016-12-06
    • ソニー株式会社
    • 一橋正寛
    • H03H11/48H03B5/12
    • H03B5/12H03H11/48
    • 容量バンクは容量値が不連続になる上、可変レンジが極めて狭い。このため、容量値の可変レンジを広く取る場合には、多くの容量を並列接続してスイッチで切り替えて使用することになっていた。寄生容量を増加させることなく可変容量回路の容量値を電気的制御によって連続的に可変可能とすること、可変容量回路を用いた発振回路の消費電流を従来に比べて小さくすること、の少なくとも一方を実現する。 MOSトランジスタにより構成されたトランスコンダクタンス回路と、当該トランスコンダクタンス回路に並列接続されたインダクタと、前記MOSトランジスタのトランスコンダクタンスを可変するGm制御回路と、を備えることを特徴とする可変容量回路。
    • 在容量组中,电容值变得不连续,并且可变范围极其狭窄。 因此,当扩大电容值的可变范围时,大量电容器并联连接并通过开关切换并使用。 通过电控制使得可变电容电路的电容值连续可变,而不增加寄生电容并且与传统情况相比使用可变电容电路减少振荡电路的电流消耗中的至少一个 被实现。 一种可变电容电路,包括:由MOS晶体管形成的跨导电路;与所述跨导电路并联连接的电感器;以及用于改变所述MOS晶体管的跨导的Gm控制电路。
    • 8. 发明申请
    • 電圧制御発振回路及びPLL回路
    • 压控振荡器电路和PLL电路
    • WO2017085942A1
    • 2017-05-26
    • PCT/JP2016/060620
    • 2016-03-31
    • 株式会社ソシオネクスト
    • 松田 篤
    • H03B5/08H03B5/12H03L7/099H03L7/10
    • H03B5/08H03B5/12H03L7/099H03L7/10
    • 出力ノイズを抑制する。 調整回路(4b)は、制御信号(Vcnta)に基づきインダクタ(4a)に並列に接続される可変容量素子(C1,C2)の容量値を変更することで発振周波数を調整し、調整回路(4c)は、制御信号(Vcntb)に基づきトランジスタ(TR1)をオンまたはオフすることで容量素子(C3,C4)をインダクタ(4a)に並列接続するか否かを切り替えて、発振周波数を調整し、切り替え回路(4d)は、ドレインが抵抗素子(R1~R5)を介して、トランジスタ(TR1)のソースまたはドレイン及び電源(VDD)に接続され、ソースが接地されたnチャネル型のトランジスタ(TR2,TR3)を含み、制御信号(Vcntb)に基づきトランジスタ(TR2,TR3)のオンオフを切り替えることで調整回路(4c)のバイアス電圧を切り替える。
    • 抑制输出噪音。 调整电路(4b)中,通过改变并联连接到基于控制信号(Vcnta)(C1,C2)的电感器(4a)中的可变电容元件的电容值,调整电路调整的振荡频率(图4c ),基于Vcntb)一个(C3,C4)的控制信号(通过接通或关断晶体管(TR1电容元件)切换是否并联连接到所述电感器(4a)中,以调节振荡频率, 切换电路(图4d)具有经由电阻器(R1〜R5)的漏极,连接到源极或漏极和晶体管(TR1)(VDD),一个被接地的晶体管的n沟道型的源的源极(TR2, 包括TR3),控制信号(晶体管(TR2基于Vcntb),TR3其用于接通和关断的调整电路)(4c)中 开关的偏置电压。