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1. 发明申请

WO2011090579A3 PHASE-SHIFT PHOTOMASK AND PATTERNING METHOD 审中-公开
标题翻译：相移照相机和图案化方法
公开(公告)号：WO2011090579A3
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/US2010059418
申请日：2010-12-08
申请人： INTEL CORP , OLSON BENNETT , LAU MAX , MA CHENG-HSIN , MA JIAN , JAMIESON ANDREW T
发明人： OLSON BENNETT , LAU MAX , MA CHENG-HSIN , MA JIAN , JAMIESON ANDREW T
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/08
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/58
摘要： A phase shift photomask blank has a quartz substrate, a lower chrome layer, a light-absorbing MoSi layer, and an upper chrome layer. This mask can be patterned in various ways to form a patterned photomask with both phase shift and binary areas.
摘要翻译：相移光掩模坯具有石英衬底，下铬层，吸光MoSi层和上铬层。该掩模可以以各种方式图案化以形成具有相移和二元区域的图案化光掩模。

2. 发明申请

WO2007102337A1 フォトマスク、その作成方法、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法审中-公开
标题翻译：照相机，制造这种光电子的方法，使用这种光刻胶的图案形成方法和掩模数据创建方法
公开(公告)号：WO2007102337A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/053602
申请日：2007-02-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 三坂章夫
发明人：三坂章夫
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/29
摘要：　露光光に対して透光性を有する透過性基板１００上に、遮光部１０１と半遮光部１０２とからなるマスクパターンが透光部１０４に囲まれるように設けられている。半遮光部１０２はマスクパターンの外形領域に配置されており、透光部１０４を透過する露光光に対して同位相で且つ部分的に露光光を透過させる。
摘要翻译：在对曝光光具有半透明性的透光性基板（100）上，由遮光部（101）和半遮光部（102）构成的掩模图案被透光部（104）包围。在遮光图案的轮廓区域中设置有半遮光部（102），并且透过部分地且相同地透过透过部（104）的曝光。

3. 发明申请

WO03067330B1 RADIATION PATTERNING TOOLS, AND METHODS OF FORMING RADIATION PATTERNING TOOLS 审中-公开
标题翻译：辐射图案工具和形成辐射图案工具的方法
公开(公告)号：WO03067330B1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/US0302288
申请日：2003-01-24
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： DULMAN DANIEL H
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/29 , G03F1/36
摘要： The invention includes for example, a radiation patterning tool which can be utilized to form relatively circular contacts in situations in which an array of contacts has a different pitch along a row of the array than along a column of the array. An alternating phase shift can give a well-defined contact in the small pitch (dense) direction. Rim shifters are added in the larger pitch direction to force the circular form of the contact openings. In further aspects of the invention, side-lobe-supressing patterns can be added between adjacent rims. The invention also includes methods of forming radiation patterning tools.
摘要翻译：本发明包括例如辐射图案化工具，其可用于形成相对圆形的接触，其中接触阵列沿着阵列的行具有不同的间距而不是沿阵列的列。交替相移可以在小节距（密集）方向上给出明确的接触。沿大节距方向添加轮缘移动器，以强制接触开口的圆形形状。在本发明的其他方面，可以在相邻的边缘之间添加旁瓣抑制图案。本发明还包括形成辐射图案化工具的方法。

4. 发明申请

WO0250614A3 STRUCTURE AND METHOD OF CORRECTING PROXIMITY EFFECTS IN A TRI-TONE ATTENUATED PHASE-SHIFTING MASK 审中-公开
标题翻译：纠正三角相变相片掩蔽中临近效应的结构与方法
公开(公告)号：WO0250614A3
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/US0147687
申请日：2001-11-30
申请人： NUMERICAL TECH INC
发明人： PIERRAT CHRISTOPHE , ZHANG YOUPING
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/29 , G03F1/32 , G03F1/36 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/32 , G03F1/36
摘要： A structure and method are provided for correcting the optical proximity effects on a tri-tone attenuated phase-shifting mask. An attenuated rim, formed by an opaque region and an attenuated phase-shifting region, can be kept at a predetermined width across the mask or for certain types of structures. Typically, the attenuated rim is made as large as possible to maximize the effect of the attenuated phase-shifting region while still preventing the printing of larger portions of the attenuated phase-shifting region during the development process.
摘要翻译：提供了一种结构和方法，用于校正三音衰减相移掩模上的光学邻近效应。由不透明区域和衰减相移区域形成的衰减边缘可以跨越掩模或某些类型的结构保持在预定宽度。通常，衰减的边缘被制成尽可能大以最大化衰减的相移区域的效果，同时仍然防止在显影过程中较大部分的衰减的相移区域的打印。

5. 发明申请

WO01040877A1 PHOTOMASK INCLUDING HARDENED PHOTORESIST 审中-公开
标题翻译：照片包括硬化电影
公开(公告)号：WO01040877A1
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：PCT/US2000/027478
申请日：2000-10-04
IPC分类号： G03F1/00 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/56
摘要： A method for fabricating a photomask processes photoresist on the photomask into a hardened material that is not stripped off but rather becomes an optical and structural component of the photomask. As such, the photoresist optically defines the dimension of critical features. This eliminates the dimensional uncertainty that arises from etching of underlying opaque materials such as chrome. The photoresist's thickness and optical transmission can be selected to allow a phase shift of transmitted light so that the photomask is a phasemask. The hardened photomask can be formed directly on a transparent substrate, for example, using optical pattern generation, without an intervening opaque material between the photoresist and the substrate.
摘要翻译：用于制造光掩模的方法将光掩模上的光致抗蚀剂处理成不被剥离的硬化材料，而是变成光掩模的光学和结构部件。因此，光致抗蚀剂光学地限定关键特征的尺寸。这消除了由诸如铬等不透明材料的蚀刻引起的尺寸不确定性。可以选择光致抗蚀剂的厚度和光透射率以允许透射光的相移，使得光掩模是相位掩模。硬化的光掩模可以直接形成在透明基板上，例如使用光学图案生成，而在光致抗蚀剂和基板之间没有中间的不透明材料。

6. 发明申请

WO01025852A1 TRIMMING MASK WITH SEMITRANSPARENT PHASE-SHIFTING REGIONS 审中-公开
标题翻译：具有半透明相移区域的修剪面膜
公开(公告)号：WO01025852A1
公开(公告)日：2001-04-12
申请号：PCT/EP2000/009811
申请日：2000-10-06
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F1/70 , G03F7/2026 , G03F7/70466
摘要： For lithographically producing the smallest structures at less than the exposure wavelengths in semiconductor fabrication, a double exposure is carried out using a thick phase mask and a trimming mask, the trimming mask further structures the phase-contrast lines produced by the phase mask. Besides transparent or opaque regions, the trimming mask also has phase-shifting regions. These surround transparent regions of the trimming mask through which the phase-contrast lines produced by the first mask are locally re-exposed, that is to say interrupted. The intensity profile of successive line sections is especially rich in contrast through the addition of the phase-shifting partially trasparent regions on the second mask; the distances between the line sections can be reduced. The trimming mask, otherwise used only for larger structures, is therefor suitable for the configuration of the finest dimensionally critical structures.
摘要翻译：为了在半导体制造中以小于曝光波长的方式平版印刷产生最小结构，使用厚相掩模和修剪掩模进行双重曝光，修整掩模进一步构成由相位掩模产生的相位对比线。除了透明或不透明区域之外，修整掩模还具有相移区域。这些环绕着修整掩模的透明区域，由第一掩模产生的相位对应线通过该区域被局部再暴露，也就是说被中断。通过在第二掩模上添加相移部分透明区域，连续线段的强度分布特别丰富; 可以减少线路部分之间的距离。修剪面罩，否则仅用于较大的结构，适用于最精细的尺寸关键结构的配置。

7. 发明申请

WO2006078908A2 DIFFERENTIAL ALTERNATING PHASE SHIFT MASK OPTIMIZATION 审中-公开
标题翻译：差分替换相位移屏蔽优化
公开(公告)号：WO2006078908A2
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/US2006/002046
申请日：2006-01-20
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , LIEBERMANN, Lars W , BAUMN, Zachary
发明人： LIEBERMANN, Lars W , BAUMN, Zachary
IPC分类号： G06F17/50 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/29
摘要： A method of mask design comprises creating a first mask design by aligning mask resolution enhancement technology (RET) features, such as alternating phase shifting regions or sub-resolution assist features, with critical width segments of the integrated circuit design, such that the first mask design meets manufacturability design rules, and creating a second mask design by aligning RET features with the critical width segments of the integrated circuit design, such that the second mask design meets lithographic design rules in regions local to the critical width segments. Features of the second mask design are identified that violate the manufacturability design rules, and then a third mask design is created, derived from the second mask design wherein the features of the second mask design that violate the manufacturability rules are selectively replaced by features from the first mask design so that the third mask design meets the manufacturability design rules.
摘要翻译：掩模设计的方法包括通过将掩模分辨率增强技术（RET）特征（例如交替相移区域或子分辨率辅助特征）与集成电路设计的关键宽度段对准来创建第一掩模设计，使得第一掩模设计符合可制造性设计规则，并通过将RET特征与集成电路设计的关键宽度段对齐来创建第二掩模设计，使得第二掩模设计满足临界宽度段局部区域中的光刻设计规则。识别出第二掩模设计的特征违反了可制造性设计规则，然后从第二掩模设计得出第三掩模设计，其中第二掩模设计的违反可制造性规则的特征被选择性地被来自第一个面膜设计，使第三个面膜设计符合可制造性设计规则。

8. 发明申请

WO2005017621A1 位相シフトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译：生产相移屏障的方法
公开(公告)号：WO2005017621A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011712
申请日：2004-08-09
申请人： HOYA株式会社 , 須田秀喜
发明人：須田秀喜
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/29
摘要： In a first step, an etching mask layer (3a) and a light-shielding film (2) are etched to form an etching mask layer (3a) consisting of a main opening (5) and auxiliary openings (6), and a light-shielding film pattern (2a). Then, in a second step, impression etching of a transparent substrate (formation of a substrate impressed section (8)) is effected, and in a final third step, the etching mask layer (3a) is removed. Thereby, since the main and auxiliary openings can be simultaneously exposed to light in the first step, the accuracy of positioning of them is improved. Further, the etching mask layer (3a), which is damaged in the second step, is removed in the third step. That is, the etching mask layer (3a) can protect the light-shielding film pattern (2a), thus preventing the light-shielding film pattern (2a) from being damaged.
摘要翻译：在第一步骤中，蚀刻蚀刻掩模层（3a）和遮光膜（2），以形成由主开口（5）和辅助开口（6）构成的蚀刻掩模层（3a）（2a）。然后，在第二步骤中，进行透明基板的印模蚀刻（形成基板印刷部分（8）），并且在最后的第三步骤中，去除蚀刻掩模层（3a）。因此，由于在第一步骤中可以同时暴露主要和辅助开口，所以它们的定位精度得以提高。此外，在第三步中除去在第二步骤中损坏的蚀刻掩模层（3a）。也就是说，蚀刻掩模层（3a）可以保护遮光膜图案（2a），从而防止遮光膜图案（2a）被损坏。

9. 发明申请

WO2003067330A2 RADIATION PATTERNING TOOLS, AND METHODS OF FORMING RADIATION PATTERNING TOOLS 审中-公开
标题翻译：辐射绘图工具，以及形成辐射图案工具的方法
公开(公告)号：WO2003067330A2
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/US2003/002288
申请日：2003-01-24
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： DULMAN, Daniel, H.
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/29 , G03F1/36
摘要： The invention includes for example, a radiation patterning tool which can be utilized to form relatively circular contacts in situations in which an array of contacts has a different pitch along a row of the array than along a column of the array. An alternating phase shift can give a well-defined contact in the small pitch (dense) direction. Rim shifters are added in the larger pitch direction to force the circular form of the contact openings. In further aspects of the invention, side-lobe-supressing patterns can be added between adjacent rims. The invention also includes methods of forming radiation patterning tools.
摘要翻译：本发明包括例如辐射图案化工具，其可以用于在沿着阵列的行具有不同于阵列的列的不同间距的情况下形成相对圆形的触点。交替的相移可以在小间距（密集）方向上给出良好限定的接触。轮缘移位器以更大的俯仰方向被加入以迫使接触孔的圆形。在本发明的另一方面，可以在相邻的边缘之间添加旁瓣抑制图案。本发明还包括形成辐射图案形成工具的方法。

10. 发明申请

WO02003140A1 PHASE SHIFT MASKING FOR COMPLEX PATTERNS 审中-公开
标题翻译：复杂模式的相位移位掩码
公开(公告)号：WO02003140A1
公开(公告)日：2002-01-10
申请号：PCT/US2000/042284
申请日：2000-11-28
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/36 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/29 , G03F1/30 , G03F1/70
摘要： Techniques are provided for extending the use of phase shift techniques to implementation of masks used for complex layouts in the layers of integrated circuits, beyond selected critical dimension features such as transistors gates to which such structures have been limited in the past. The method includes identifying features for which phase shifting can be applied, automatically mapping the phase shifting regions for implementation of such features, resolving phase conflicts which might occur according to a given design rule, and application of sub-resolution assist features within phase shift regions and optical proximity correction features to phase shift regions. Both opaque field phase shift masks and complementary binary masks defining interconnect structures and other types of structures that are not defined using phase shiftting, necessary for completion of the layout of the layer are produced.
摘要翻译：提供的技术用于将相移技术的使用扩展到集成电路层中用于复杂布局的掩模的实现，超出了过去已经限制了这种结构的所选临界尺寸特征，例如晶体管栅极。该方法包括识别可以对其进行相移的特征，自动映射用于实现这些特征的相移区域，解决根据给定设计规则可能发生的相位冲突，以及在相移区域内应用子分辨率辅助特征和光学邻近校正特征到相移区域。产生不完整的场相移掩模和定义互连结构的互补二进制掩模和不是使用相移定义的其它类型的结构，这是完成层的布局所必需的。

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