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1. 发明申请

WO2010096081A1 MEMS-BASED FTIR SPECTROMETER 审中-公开
标题翻译：基于MEMS的FTIR光谱仪
公开(公告)号：WO2010096081A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/US2009/052705
申请日：2009-08-04
申请人： UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. , XIE, Huikai , WU, Lei , PAIS, Andrea , SAMUELSON, Sean, Robert
发明人： XIE, Huikai , WU, Lei , PAIS, Andrea , SAMUELSON, Sean, Robert
IPC分类号： G01J3/45 , G01N21/35 , B81B7/02 , B81B3/00
CPC分类号： G01J3/4535 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/38 , G01N2021/3595 , G02B26/0866
摘要： A MEMS-based Fourier Transform (FT) spectrometer is provided. According to an embodiment, the MEMS-based FT spectrometer is an FT infrared (FTIR) spectrometer. The FT spectrometer can include a beam splitter positioned to receive an incoming beam from a light source and split the incoming beam into a first sub-beam and a second sub-beam, a fixed mirror positioned to receive the first sub-beam from the beam splitter, a scanning MEMS mirror positioned to receive the second sub-beam from the beam splitter, and a photodetector, wherein a reflected first sub-beam from the fixed mirror and a reflected second sub-beam from the scanning MEMS mirror recombine at the beam splitter and become directed to the photodetector. According to one embodiment, the photodetector is a MEMS-based IR detector. In addition, the MEMS-based IR detector can be an un-cooled IR detector having a capacitive sensing structure.
摘要翻译：提供了基于MEMS的傅里叶变换（FT）光谱仪。根据实施例，基于MEMS的FT光谱仪是FT红外（FTIR）光谱仪。 FT分光计可以包括分束器，其被定位成接收来自光源的入射光束，并将入射光束分成第一子光束和第二子光束，固定镜定位成从光束接收第一子光束分离器，定位成从分束器接收第二子光束的扫描MEMS镜和光电检测器，其中来自固定镜的反射的第一子光束和来自扫描MEMS镜的反射的第二子光束在光束处复合分离器并且被引导到光电检测器。根据一个实施例，光电检测器是基于MEMS的IR检测器。此外，基于MEMS的IR检测器可以是具有电容感测结构的未冷却的IR检测器。

2. 发明申请

WO1998003843A1 UNCOOLED BACKGROUND LIMITED DETECTOR AND METHOD 审中-公开
标题翻译：未知的背景技术有限的检测器和方法
公开(公告)号：WO1998003843A1
公开(公告)日：1998-01-29
申请号：PCT/US1997012515
申请日：1997-07-17
申请人： AIL SYSTEMS, INC.
发明人： AIL SYSTEMS, INC. , AUGERI, Richard, C. , LANGE, Ronald, A. , KNADLE, Richard, T.
IPC分类号： G01J05/20
CPC分类号： G01J5/24 , G01J1/46 , G01J5/20 , G01J5/34 , G01J5/38 , H04N5/33
摘要： A detector (100) for detecting radiant energy includes at least one detecting element (1) and a detector readout element (20, 30, 18). The at least one detecting element (1) substantially absorbs the radiant energy and exhibits a structural change in response thereto. The detector readout element (20, 30, 18), positioned in non-contacting proximity to the at least one detecting element (1), is responsive to the structural change of the at least one detecting element (1). The non-contacting detector readout element (20, 30, 18) provides an indication signal corresponding to the structural change, whereby the corresponding indication signal is representative of the radiant energy detected by the at least one detecting element.
摘要翻译：用于检测辐射能的检测器（100）包括至少一个检测元件（1）和检测器读出元件（20,30,18）。所述至少一个检测元件（1）基本上吸收辐射能并显示响应于此的结构变化。位于与所述至少一个检测元件（1）非接触接近的检测器读出元件（20,30,18）响应于所述至少一个检测元件（1）的结构变化。非接触检测器读出元件（20,30,18）提供对应于结构变化的指示信号，由此相应的指示信号表示由至少一个检测元件检测到的辐射能。

3. 发明申请

WO2010089627A1 A FAST SPECTRAL METHOD TO MEASURE EMISSIVITY IN A PARTIALLY-CONTROLLED ENVIRONMENT USING A FOCAL PLANE ARRAY INFRARED CAMERA 审中-公开
标题翻译：使用FOCAL PLANE ARRED红外摄像机测量部分控制环境中的辐射的快速光谱法
公开(公告)号：WO2010089627A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/IB2009/005630
申请日：2009-02-05
申请人： FLIR SYSTEMS, INC. , BREMOND, Pierre , POTET, Pierre , BRETES, José , VANNEAU, Emmanuel
发明人： BREMOND, Pierre , POTET, Pierre , BRETES, José , VANNEAU, Emmanuel
IPC分类号： G01J5/60
CPC分类号： G01J5/602 , G01J5/02 , G01J5/026 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/0806 , G01J5/0846 , G01J5/0865 , G01J5/38 , G01J2005/068
摘要： Provided are a system and a methodology of ascertaining the emissivity- corrected temperatures and the emissivity (ε) of an object or thermal scene (22) of interest. No prior knowledge of the emissivity of the object is required and no calibrating or reference body is required to decouple reflected radiation from emitted radiation. This methodology uses radiance expressions for two different bandwidths (filters 14, 16) and mathematically manipulates these expressions to remove emissivity to solve for the emissivity-corrected temperatures of the object (22'), and these temperatures are used to derive the emissivity of the object (22).
摘要翻译：提供了确定感兴趣的物体或热场景（22）的发射率校正温度和发射率（e）的系统和方法。不需要对物体的辐射率的先验知识，并且不需要校准或参考体来使反射的辐射与发射的辐射分离。该方法使用两个不同带宽（滤波器14,16）的辐射表达式，并且在数学上操纵这些表达式以消除发射率以解决对象（22'）的发射率校正温度，并且使用这些温度来推导出发射率物体（22）。

4. 发明申请

WO2008048212A2 INFRARED SENSOR SYSTEMS AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：红外传感器系统和设备
公开(公告)号：WO2008048212A2
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/US2006/026664
申请日：2006-07-07
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , MUELLER, Michael , CHENG, Jim , PISANO, Albert , CAULEY III, Thomas, H.
发明人： MUELLER, Michael , CHENG, Jim , PISANO, Albert , CAULEY III, Thomas, H.
IPC分类号： G01J5/00
CPC分类号： G01J5/38
摘要： An organic material can be used in a modified strain gauge for IR transduction, resulting in an organic IR sensor. Infrared radiation incident on the organic material modulates a displacement of the material in order to detect the presence and intensity of IR radiation. This innovative design doesn't require cooling, and is sensitive to 9 and 3 μm - wavelengths that are emitted by mammals and forest fires, respectively. In addition, a photomechanical polymer can be used in a transistor based on a thin-film transistor (TFT), also resulting in an IR sensor. Through careful synthesis of the polymers, the photomechanical response of the transistor can be tailored to certain IR bands for detection purposes.
摘要翻译：有机材料可以用于改进的应变计以用于IR转换，从而产生有机IR传感器。入射在有机材料上的红外辐射调节材料的位移以检测IR辐射的存在和强度。这种创新设计不需要冷却，并且对9和3微米敏感 - 分别由哺乳动物和森林火灾发射的波长。另外，可以在基于薄膜晶体管（TFT）的晶体管中使用光机械聚合物，也可以得到IR传感器。通过仔细合成聚合物，晶体管的光机械响应可以根据某些红外波段进行调整，以便进行检测。

5. 发明申请

WO2014046170A1 テラヘルツ波検出素子とその作製方法、接合体、および観察装置审中-公开
标题翻译： TERAHERTZ波检测元件，其生产方法，接合体和观察装置
公开(公告)号：WO2014046170A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/JP2013/075273
申请日：2013-09-19
申请人：日本碍子株式会社
发明人：近藤　順悟 , 岩田　雄一 , 江尻　哲也
IPC分类号： G01J1/02 , G01N21/35
CPC分类号： G01J5/38 , B32B37/12 , B32B37/18 , B32B38/0004 , B32B2038/0064 , B32B2457/00 , G01J5/0896 , G01N21/3581
摘要：反りやクラックの発生が好適に抑制されたテラヘルツ波検出素子を安定的に提供する。入射したテラヘルツ波が有する空間的強度分布を検出可能なテラヘルツ波検出素子が、テラヘルツ波の入射位置における屈折率が入射強度に応じて変化する電気光学結晶からなる厚みが１μｍ～１０μｍの電気光学結晶層と、電気光学結晶層を支持する支持基板と、電気光学結晶層と支持基板とを接合する厚みが０．１μｍ～１μｍの樹脂層と、電気光学結晶の表面に設けられた、第１の誘電体多層膜からなる厚みが１μｍ以上の全反射層と、を備え、電気光学結晶層にテラヘルツ波と重畳的に照射されたプローブ光に生じる、テラヘルツ波の入射によって電気光学結晶層に生じている屈折率の空間的分布に応じた空間的特性分布を検出することで、入射したテラヘルツ波の空間的強度分布を検出するようになっており、樹脂層の厚み／全反射層の厚みを１／３以下とした。
摘要翻译：本发明的目的是稳定地提供能够适当地抑制发生翘曲和形成或裂纹的太赫兹波检测元件。能够检测由入射的太赫兹波表现出的空间强度分布的太赫兹波检测元件具有：厚度在1μm至10μm范围内的电光晶体层，其包含电光晶体，其中入射位置的太赫兹波的折射率根据入射强度而变化; 用于支撑电光晶体层的支撑基板; 树脂层，其厚度在0.1μm-1μm的范围内，并且连接所述电光晶体层和所述支撑基板; 以及设置在电光晶体的表面的全反射层，其包括第一电介质多层膜，其厚度为至少1μm。太赫兹波检测元件通过检测通过入射的太赫兹波在电光晶体层中产生的折射率的空间分布对应的空间特性分布来检测入射的太赫兹波的空间强度分布，所述空间特征分布为通过照射电光晶体层的探针光产生，使得所述探测光叠加太赫兹波。树脂层的厚度/全反射层的厚度不大于1/3。

6. 发明申请

WO99005490A1 LUMINOUS INTENSITY SENSOR ELEMENT AND LIGHT BEAM MODULATING METHOD AND DEVICE EMPLOYING SUCH A SENSOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译： LUMINOUS强度传感器元件和光束调制方法和使用这种传感器元件的设备
公开(公告)号：WO99005490A1
公开(公告)日：1999-02-04
申请号：PCT/EP1998/004530
申请日：1998-07-20
IPC分类号： G01B9/02 , G01J1/02 , G01J5/38 , G02B26/02
CPC分类号： G02B26/02 , G01J5/38
摘要： A luminous intensity sensor element having a flat disk-shaped element (2) made of material with a high thermal expansion coefficient and of low thermal conductivity, and in turn having, on opposite faces (3, 5), an optically absorbent layer (4) and a reflecting layer (6). On receiving excitation radiation (R), the optically absorbent layer (4) is heated and transmits heat to the flat disk-shaped element (2), which in turn is heated internally in spatially nonuniform manner and is deformed together with the superimposed reflecting layer (6). The reflecting layer (6) receives an incident reference layer beam (S) to generate a reflected light beam having optical characteristics ( DELTA phi ) depending on the aforementioned deformation ( DELTA d) and varying in response to the excitation radiation.
摘要翻译：一种发光强度传感器元件，具有由具有高热膨胀系数和低导热性的材料制成的扁平盘形元件（2），并且在相对面（3,5）上具有光学吸收层（4））和反射层（6）。在接收到激发辐射（R）时，光学吸收层（4）被加热并将热量传递到扁平圆盘形元件（2），该盘状元件又在空间上不均匀地被内部加热，并与叠加的反射层（6）。反射层（6）接收入射参考层光束（S），以根据前述变形（DELTA d）产生具有光学特性（DELTA phi）的反射光束并且响应于激发辐射而变化。

7. 发明申请

WO2017140136A1 基于MIM高灵敏度SPP太赫兹探测器审中-公开
公开(公告)号：WO2017140136A1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：PCT/CN2016/106593
申请日：2016-11-21
申请人：深圳大学
发明人：欧阳征标 , 陈治良
IPC分类号： G01J5/38
CPC分类号： G01J5/38
摘要：一种基于MIM高灵敏度SPP太赫兹波探测器，由一个矩形腔（1）、一个太赫兹波吸收腔（2）、银块（3）、一个竖直波导（4）、一个水平波导（5）、三个金属模（6，7，8）、一个太赫兹探测光（100）、一个水平参考光（200）和一个光电探测器（300）组成；矩形腔位于太赫兹探测波的输入端；太赫兹波吸收腔和竖直波导相连接；银块设置于竖直波导内，可以移动；竖直波导和水平波导相连接；太赫兹探测光位于矩形腔的上端。这种太赫兹波探测器结构紧凑，体积小，灵敏度高，便于集成。

8. 发明申请

WO2009039683A1 红外传感器、焦平面阵列及其红外成像系统审中-公开
公开(公告)号：WO2009039683A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/CN2007/002845
申请日：2007-09-28
申请人：沈憧棐
发明人：沈憧棐
IPC分类号： G01J5/38
CPC分类号： G01J5/10 , G01J3/26 , G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/0862 , G01J5/38
摘要： An infrared sensor comprises a first film configuration (103), a second film configuration (104), and a gap formed between the first film configuration (103) and the second film configuration (104). Reference light is incident on one of the film configurations (103,104). When the gap is changed, reference light intensity transmitted through one film configuration changes, and reflected reference light intensity changes. When infrared light is incident, at least one film configuration absorbs the infrared light and the temperature thereof changes accordingly, thereby resulting in the change of the gap. The infrared light is detected by detecting the change of the transmitted light intensity or the change of the reflected light intensity.

9. 发明申请

WO1993021656A1 SEMICONDUCTOR WAFER TEMPERATURE DETERMINATION BY OPTICAL MEASUREMENT OF WAFER EXPANSION IN PROCESSING APPARATUS CHAMBER 审中-公开
标题翻译：半导体波长温度通过光学测量在加工设备中的膨胀膨胀测定
公开(公告)号：WO1993021656A1
公开(公告)日：1993-10-28
申请号：PCT/US1993003254
申请日：1993-04-05
申请人： MATERIALS RESEARCH CORPORATION
发明人： MATERIALS RESEARCH CORPORATION , ISHIKAWA, Hiroichi , KOLESA, Michael, Steven
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G01J5/38 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/02 , G01J5/0275 , G01J5/08 , G01J5/0846 , G01J5/089 , H01L21/67115
摘要： A method and apparatus are provided for measuring the temperature of articles such as semiconductor wafers (14) in a sealed chamber (12) of a processing apparatus such as a batch preheating module (10) of a semiconductor wafer processing cluster tool. Wafers (14) of generally known nominal diameter and coefficient of thermal expansion are placed at a known initial temperature into a processing chamber (12) which is then sealed. A pair of beams (40) of parallel light are passed by opposite edges of the wafer and the uninterrupted light from both beams are detected (48) and summed (60). When the wafer is heated in processing, ligth from the beams (40) is measured again. Expansion of the wafers (14) changes the amount of uninterrupted light detected, and the changed amount of light is measured. From the measurement, the initial temperature, the nominal diameter and the known coefficient of expansion, processing temperature is calculated.
摘要翻译：提供了一种用于测量诸如半导体晶片处理集群工具的批量预热模块（10）的处理装置的密封室（12）中的诸如半导体晶片（14）的物品的温度的方法和装置。通常已知公称直径和热膨胀系数的晶片（14）以已知的初始温度放置在处理室（12）中，然后将其密封。平行光的一对光束（40）通过晶片的相对边缘，并且来自两个光束的不间断的光被检测（48）并相加（60）。当晶片在加工中被加热时，再次测量来自梁（40）的螺纹。晶片（14）的扩展改变检测到的不间断的光量，并且测量改变的光量。从测量，初始温度，公称直径和已知的膨胀系数，计算加工温度。

10. 发明申请

WO2016132979A1 可視光吸収素子と、これを有する温度可視化装置および赤外線可視化装置审中-公开
标题翻译：可见光吸收元件和温度可视化设备以及配备其的红外线可视化设备
公开(公告)号：WO2016132979A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/JP2016/053898
申请日：2016-02-10
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：田中　拓男
IPC分类号： G02B5/22 , G01J1/02 , G01J1/38 , G01J5/38 , G01J5/48 , G02B5/20
CPC分类号： G01J5/0853 , G01J1/02 , G01J1/38 , G01J1/4228 , G01J5/023 , G01J5/38 , G01J5/44 , G01J5/48 , G02B5/20 , G02B5/22
摘要：　可視光吸収素子１０は、対象物から受けた熱による温度変化に応じて、反射または透過する可視光線の周波数成分を変化させる。可視光吸収素子１０は、可視光線の周波数範囲に含まれる共振周波数を有する。可視光吸収素子１０は、共振周波数と同じ周波数の可視光線を吸収する。可視光吸収素子１０は、温度変化で熱変形することにより共振周波数を変化させて、変化した共振周波数の可視光線を吸収する。
摘要翻译：本发明是一种可见光吸收元件10，其可以响应于由于从物体接收的热量而导致的温度变化而改变从元件10反射或透过元件10的可见光的频率分量。可见光吸收元件10具有包含在可见光的频率范围内的共振频率。可见光吸收元件10以与谐振频率相同的频率吸收可见光。可见光吸收元件10由于温度的变化而发生热变形，从而改变其自身的谐振频率并且以改变的谐振频率吸收可见光。

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