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    • 2. 发明申请
    • DIAMANTELEKTRODE
    • 金刚石电极
    • WO2017050600A1
    • 2017-03-30
    • PCT/EP2016/071449
    • 2016-09-12
    • SCHUNK KOHLENSTOFFTECHNIK GMBH
    • SCHNEWEIS, StefanWELLER, Steffen
    • C25B11/04C02F1/461
    • C25B11/0478C02F1/46109C02F2001/46147C25B11/0447
    • Die Erfindung betrifft eine Elektrode (2) für einen Elektrolyseprozess, bestehend aus einem nicht-metallischen Elektrodensubstrat (4), einer auf dem Elektrodensubstrat (4) aufgewachsenen Aufbauschicht (8) mit in Richtung des Schichtwachstums veränderlicher chemischer Zusammensetzung und einer auf der Aufbauschicht (8) aufgewachsenen Beschichtung mit kristallinem Diamant (14). Des Weiteren betrifft die Erfindung Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Elektrode (2) für einen Elektrolyseprozess. Die Aufbauschicht (8) besteht aus einer an das Elektrodensubstrat angrenzenden Schicht aus Siliziumcarbid in stöchiometrischer Zusammensetzung (10), auf die eine unstöchiometrische, siliziumreiche Siliziumcarbid-Schicht (11) aufgetragen ist. An der Grenzfläche zu der Beschichtung mit dem kristallinen Diamant (14) weist die unstöchiometrische, siliziumreiche Siliziumcarbid-Schicht (11) Silizium-Auswachsungen in Form von Silizium-Partikeln (13) auf, um eine zuverlässige und dauerhafte Diamantbeschichtung (14) zu gewährleisten.
    • 本发明涉及的电极(2),用于由非金属电极基板(4),一个电极基板(4)上生长的堆积层的电解处理(8)在薄膜生长可变化学组合物的方向和一个(在制作涂层8 )中生长与晶金刚石(14)的涂层。 此外,本发明提供了一种用于根据本发明(2)的电解过程的担忧制造该电极的方法。 堆积层(8)由相邻于化学计量组成的碳化硅的电极基板层的层(10)被施加到一个非化学计量的,富硅的碳化硅层(11)。 在界面与晶金刚石(14)的涂层,以确保可靠的和耐用的金刚石涂层(14)具有非化学计量的,富硅的碳化硅层(11)的硅中的硅颗粒(13)的形式长出。