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1. 发明申请

WO2017200159A1 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 审中-公开
标题翻译：覆盖标记，使用其的覆盖测量方法以及半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2017200159A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2016/011584
申请日：2016-10-14
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 장현진 , 하호철 , 이길수
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G03F1/42 , H01L23/544
CPC分类号： G03F1/42 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L23/544
摘要： 본 발명은 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 두 개의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 층에 따로 형성된 두 개 이상의 패턴 간의 상대적 엇갈림을 결정하는 오버레이 마크로서, 서로 마주보며, 제1방향으로 연장된 한 쌍의 제1바들와, 서로 마주보며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장된 한 쌍의 제2바들을 포함하는 제1 오버레이 구조물과, 상기 제1바들과 나란한 복수 쌍의 제3바들과, 상기 제2바들과 나란한 복수 쌍의 제4바들을 포함하며, 인접하는 제3바들 사이의 간격이 서로 다르고, 인접하는 제4바들 사이의 간격이 서로 다른 제2 오버레이 구조물을 포함하는 오버레이 마크를 제공한다. 본 발명에 따른 오버레이 마크는 바들 사이의 간격을 달리함으로써 이미지 분석 시 오류가 발생하는 것을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及覆盖标记，使用覆盖标记的覆盖测量方法以及半导体器件制造方法。本发明提供了一种覆盖标记来确定相对位移之间的两个或更多个图案在两个连续的图案层或彼此面对，望着对面一对第一badeulwa，每个在第一方向上延伸的层单独形成第一覆盖结构，其包括沿与第一方向正交的第二方向延伸的一对第二杆，与第一杆对齐的多对第三杆以及多对以及第二覆盖结构，其包括相邻第三杆的第四杆，其中相邻第三杆之间的间距不同且相邻第四杆之间的间距不同。根据本发明的重叠标记有利于通过改变条之间的间隔来最小化图像分析中的误差。

2. 发明申请

WO2017007072A1 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 审中-公开
标题翻译：叠加标记，使用其的叠加测量方法以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2017007072A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/KR2015/011610
申请日：2015-11-02
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 장명식 , 이준우 , 장현진 , 김세웅 , 이길수
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67 , H01L23/544
摘要： 본 발명은 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 두 개의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴 간의 상대적 엇갈림을 결정하는 오버레이 마크로서, 정사각형 형태의 제1오버레이 구조물과, 상기 제1오버레이 구조물의 상하좌우에 각각 배치되는 네 개의 오버레이 패턴들을 구비하며, 상기 네 개의 오버레이 패턴들 각각은 서로 나란한 복수의 바들을 구비하는 제2오버레이 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다. 본 발명에 따른 오버레이 마크는 반도체 제조공정에서 패턴 층들이 정확하게 정렬되었는지를 확인하는 마크로서 사용할 수 있다. 또한, 하나의 층의 복수의 패턴이이 정확하게 정렬되었는지를 확인하는 마크로서 사용할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种重叠标记，使用该叠加标记的覆盖测量方法以及半导体器件的制造方法。本发明提供一种覆盖标记，其确定形成在两个连续图案层上或分开形成在一个图案层上的两个图案的相对交错，所述重叠标记包括：正方形形状的第一覆盖结构; 以及第二覆盖结构，其具有分别放置在第一覆盖结构的上，下和左和右侧上的四个覆盖图案，四个覆盖图案中的每一个具有彼此平行的多个条。根据本发明的覆盖标记可以用作用于确认图案层是否在半导体制造工艺中精确对准的标记，并且还可以用作用于确认一层上的多个图案是否被精确对准的标记。

3. 发明申请

WO2013180393A1 주사 전자 현미경 审中-公开
标题翻译：扫描电子显微镜
公开(公告)号：WO2013180393A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/KR2013/003546
申请日：2013-04-25
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 박태훈 , 박필화
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/28 , H01J2237/244 , H01J2237/2608
摘要： 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)이 개시된다. 주사 전자 현미경은 진공(vaccum) 상태에서 열 또는 전계를 가하여 일함수(work function) 이상의 에너지를 가해 많은 전자들(electrons)을 방출하고, 전자빔(electron beam)을 생성하는 전자총, 집속 렌즈, 편향기, 대물 렌즈 및 조리개를 구비하는 경통(column); 전자빔의 가속된 전자들을 인가받아 관찰대상 시료에 조사하고, 상기 시료로부터 방출된 2차전자(secondary electron) 등의 검출 신호를 적어도 하나 이상의 검출기(detector)를 통해 제공하는 챔버(chamber); 및 상기 경통과 미세거리로 이격되고 상기 챔버의 경계면에 설치되며, 광축을 중심으로 집속된 전자빔의 전자들(electrons)을 통과시키고 공기를 통과시키지 않으며, 상기 경통(column)으로부터 제공된 전자빔을 상기 챔버로 제공하는 필터를 포함한다. 전자총을 구비한 진공(vaccum) 상태의 경통(column)으로부터 불활성 가스가 주입된 비진공 챔버(non vaccum chamber)의 경계면에 설치된 필터(filter)를 통해 전자빔의 가속된 전자들이 조사된 시료에 방출된 2차전자 등의 검출 신호를 검출기로 감지하고, 챔버(chamber)가 경통(column)과 분리 가능하여 다양한 경통(column)과 인터페이스가 가능하고, 기존 진공 챔버의 부피를 줄이게 되었다.
摘要翻译：公开了扫描电子显微镜（SEM）。扫描电子显微镜包括：具有电子枪的列，其通过在真空状态下施加热或电场而放出多个电子，并施加大于功函数的能量并产生电子束，聚焦透镜，偏转器，物镜和孔径; 施加电子束的加速电子以照射观察目标样品的室，并且通过至少一个检测器提供诸如从样品排出的二次电子的检测信号; 以及一个过滤器，与柱分离一段距离较远并且设置在室的边界表面上，这允许围绕光轴聚焦的电子束的电子通过但不允许空气通过，并提供电子束由柱提供到室。检测信号，例如向通过过滤器照射的电子束的加速电子照射的样品的二次电子，其设置在从包含电子枪的柱注入惰性气体的非真空室的边界面上在真空状态下由检测器检测，并且室和塔可以彼此分离，以便允许具有各种列的界面并减小常规真空室的体积。

4. 发明申请

WO2021049845A2 오버레이 측정장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2021049845A2
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：PCT/KR2020/012096
申请日：2020-09-08
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 박규남 , 신현기 , 이성수
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G03F7/70575 , G03F7/70633 , G03F7/70825 , H01L21/67 , H01L21/67242 , H01L22/30
摘要： 본 발명은 오버레이 측정장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 서로 다른 파장의 광원을 사용하는 자동 초점(Auto focus) 시스템을 구비한 오버레이 측정장치에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼에 형성된 서로 다른 층들에 각각 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크 사이의 오차를 측정하는 장치로서, 제1 빔을 조사하는 제1 광원과; 상기 제1 광원으로부터 나와서 상기 웨이퍼의 측정위치에서 반사된 상기 제1 빔에 의한 신호를 획득하는 제1 검출기와; 상기 제1 빔과 파장이 다른 제2 빔을 조사하는 제2 광원과; 상기 제2 광원으로부터 나와서 상기 웨이퍼의 상기 측정위치에서 반사된 상기 제2 빔에 의한 신호를 획득하는 제2 검출기와; 상기 제1 빔과 상기 제2 빔을 상기 웨이퍼의 상기 측정위치에 집광시키고, 상기 측정위치에서 반사된 빔을 수집하는 대물렌즈와; 상기 웨이퍼에 대한 상기 대물렌즈의 광축 방향의 상대 위치를 조절하는 액추에이터와; 상기 액추에이터를 제어하는 제어수단과; 상기 웨이퍼에 대한 상기 대물렌즈의 상기 광축 방향의 상대 위치의 변화에 따른 상기 제1 검출기의 신호의 변화를 기초로 상기 제1 오버레이 마크의 높이를 검출하고, 상기 웨이퍼에 대한 상기 대물렌즈의 상기 광축 방향의 상대 위치의 변화에 따른 상기 제2 검출기의 신호의 변화를 기초로 상기 제2 오버레이 마크의 높이를 검출하는 높이 검출수단을 포함하는 오버레이 측정장치를 제공한다.

5. 发明申请

WO2020055147A1 오버레이 측정장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2020055147A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：PCT/KR2019/011802
申请日：2019-09-11
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 이선형 , 이길수 , 이성수 , 박규남
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66
摘要： 본 발명은 오버레이 측정장치에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼에 형성된 서로 다른 층에 각각 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크 사이의 오차를 측정하는 장치로서, 광원과, 상기 광원으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제1 빔 스플리터(beam splitter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제1 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제1 컬러 필터(color filter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제2 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제2 컬러 필터와, 상기 제1 컬러 필터와 제2 컬러 필터를 통과한 빛을 합하는 빔 컴바이너(beam combiner)와, 상기 빔 컴바이너에서 합쳐진 빔을 웨이퍼의 측정위치에 집광시키고, 측정위치에서 반사된 빔을 수집하는 대물렌즈와, 상기 대물렌즈에서 수집된 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제2 빔 스플리터와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔을 검출하여 상기 제1 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제1 검출기와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔을 검출하여 상기 제2 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제2 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치를 제공한다.

6. 发明申请

WO2019139390A1 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019139390A1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：PCT/KR2019/000428
申请日：2019-01-11
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 하호철 , 이길수
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683 , H01L21/027
摘要： 본 발명은 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수 개의 패턴 사이의 상대적 엇갈림을 결정하는 오버레이 마크로서, 정렬시 대칭 중심을 공유하며, 대칭 중심을 지나는 X축, Y축 및 한 쌍의 대각선에 의해서 8 분할된 8개의 영역 중에서 대칭 중심을 기준으로 시계방향을 따라서 하나의 영역씩 건너뛰면서 선택된 제1영역, 제3영역, 제5영역, 제7영역에 형성되는 제1 오버레이 구조물과, 8 분할된 영역 중에서 나머지 영역인 제2영역, 제4영역, 제6영역, 제8영역에, 상기 제1 오버레이 구조물의 외곽에 형성되는 제2 오버레이 구조물을 구비하는 제1 오버레이 마크와, 상기 제1 오버레이 구조물과 X축 및 Y축 대칭인 제3 오버레이 구조물과, 상기 제2 오버레이 구조물과 X축 및 Y축 대칭인 제4 오버레이 구조물을 구비하는 제2 오버레이 마크를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다. 본 발명에 따른 오버레이 마크는 광학적 수차에 따른 영향을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.

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