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2. 发明申请

WO2015162063A1 CELLULE DE COMMUTATION DE PUISSANCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE NORMALEMENT CONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：具有正常导通场效应晶体管的电源开关单元
公开(公告)号：WO2015162063A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/EP2015/058410
申请日：2015-04-17
申请人： THALES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE DE LIMOGES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： JARDEL, Olivier , QUERE, Raymond , PIOTROWICZ, Stéphane , BOUYSSE, Philippe , DELAGE, Sylvain , MARTIN, Audrey
IPC分类号： H03K19/0944 , H03K19/094
CPC分类号： H03K17/687 , H03K17/04106 , H03K19/09407
摘要： Une cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur à commande non-isolée, comprend en entrée, un commutateur de courant Τ 1 recevant le signal d'entrée de commande V IN de la cellule sur une entrée d'activation g 1 , et en sortie, un transistor de puissance T 2 pour commuter une haute tension V DD appliquée sur son drain d 2 , sur sa source s 2 reliée au port de sortie Out de la cellule. La commande de la grille g 2 du transistor de puissance T 2 dont la source s 2 est flottante, en fonction du signal d'entrée V IN , est assurée par un circuit d'auto-polarisation P connecté entre sa grille g 2 et sa source s 2 . Le commutateur de courant est connecté entre le circuit d'auto-polarisation P et une référence de tension nulle ou négative. Le circuit d'auto-polarisation comprend un transistor T 3 dont la source s 3 , respectivement le drain d 3 , est connecté à la grille, respectivement à la source s 3 du transistor de puissance. La grille g 3 de ce transistor T 3 est elle-même polarisée par une résistance d'auto-polarisation R 3 connectée entre sa grille g3 et sa source s3, et en série entre le commutateur de courant Τ 1 et la source s 3 . Les transistors sont avantageusement des transistors de type HEMT, en technologie AsGa ou GaN.
摘要翻译：具有非绝缘控制的具有正常导通的场效应晶体管的功率开关单元包括在输入端接收激活输入g1上的单元的命令输入信号VIN的电流开关T1，以及在输出端用于切换高电平的功率晶体管T2 电压VDD施加到其漏极d2，到其源极s2链接到输出端口离开单元。由源极s2浮置的功率晶体管T2的栅极g2的控制作为输入信号VIN的函数，由连接在栅极g2与其源极s2之间的自动偏置电路P来确保。电流开关连接在自动偏置电路P和零或负电压基准之间。自动偏置电路包括晶体管T3，晶体管T3的源极s3或漏极d3适当地连接到功率晶体管的栅极或源极3。该晶体管T3的栅极g3本身被连接在其栅极g3与其源极s3之间的自耦偏置电阻R3偏置，并串联在电流开关T1和源极S3之间。晶体管有利地是使用AsGa或GaN技术的HEMT型晶体管。

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