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2. 发明申请

WO2013102660A1 LADUNGSMESSEINRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：充电设备
公开(公告)号：WO2013102660A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/EP2013/050102
申请日：2013-01-04
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN
发明人： HELFMEIER, Clemens , BOIT, Christian , KERST, Uwe
IPC分类号： G01R29/24 , G11C16/22
CPC分类号： G01R29/24 , G01R31/2884 , G11C16/22
摘要： Die Erfindung betrifft eine Ladungsmesseinrichtung insbesondere zum Detektieren von Angriffen mit fokussierten lonenstrahlen auf integrierte Halbleiterschaltungen. Die Ladungsmesseinrichtung umfasst einen Kondensator (2) mit einem Pol (3) und einem weiteren Pol (4); einen Feldeffekt-Transistor (5), welcher einen Source-Anschluss (6), einen Drain-Anschluss (7) und einen Gate-Anschluss (8) umfasst, sowie eine Ladungssammelungseinrichtung (9), die gemeinsam in einer integrierten Halbleiterschaltung gefertigt sind, wobei der eine Pol (3) des Kondensators (2) leitend mit der Ladungssammelungseinrichtung (9) und dem Gate-Anschluss (8) des Feldeffekt-Transistors (5) verbunden ist, und der eine Pol (3) des Kondensators (2), der Gate-Anschluss (8) und die Ladungssammelungseinrichtung (9) alle gegenüber weiteren Schaltungselementen der integrierten Halbleiterschaltung isoliert sind. Das Betreiben der Ladungsmesseinrichtung erfolgt in der Weise, dass an dem weiteren Pol (4) des Kondensators (2) eine Spannung (10) anliegt, durch den Feldeffekt-Transistor (5) ein Drain-Source-Strom (11) fließt und eine Beziehung zwischen der Spannung (10) an dem weiteren Pol (4) des Kondensators (2) und dem Drain-Source-Strom (11) ermittelt wird. Ein Vergleichen der ermittelten Beziehung mit einer zuvor ermittelten oder errechneten Referenzbeziehung zwischen der an dem weiteren Pol (4) des Kondensators (2) anliegenden Spannung (10) und dem Drain-Source-Strom (11) ermöglicht ein Ableiten der Ladungsmengenänderung, die über die Ladungssammelungseinrichtung (9) in den Kondensator (2) eingespeichert ist.
摘要翻译：本发明涉及的电荷测量装置，特别是用于检测与聚焦离子束的半导体集成电路的攻击。所述电荷测量装置包括一个电容器（2）与杆（3）和另一极（4）; 包括：（5）具有源极端子的场效应晶体管（6），漏极端子（7）和栅极端子（8），和一个Ladungssammelungseinrichtung（9），其在集成半导体电路一起制成，其中一个极（3）的电容器（2）（9）和栅极端子（8）的场效应晶体管（5）被导电地连接到连接在Ladungssammelungseinrichtung，并且一个极（3）的电容器（2），栅极端子（8）和Ladungssammelungseinrichtung（9）全部是从半导体集成电路的其它电路元件隔离。电荷测量装置的操作是在这样一种方式，在所述电容器的所述另一端（4）（2）的电压（10）施加，通过场效应晶体管进行（5）中流动的漏 - 源电流（11）和一个关系的电压（10）到所述电容器（2）和漏 - 源电流（11）的另一极（4）之间被确定。将所确定的关系邻近之间的另一极先前确定的或计算出的参考关系式（4）的所述电容器（2）的电压（10）和漏 - 源电流（11）使经由所述导出电荷的变化量是Ladungssammelungseinrichtung（9）代入（2）被存储冷凝器。

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