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    • 1. 发明申请
    • A MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
    • 多端口静态随机存取存储器
    • WO2003043021A1
    • 2003-05-22
    • PCT/KR2002/001201
    • 2002-06-25
    • SYNCOAM CO., LTD.JEONG, Seong-IkKIM, Kyung-Yul
    • JEONG, Seong-IkKIM, Kyung-Yul
    • G11C11/413
    • H01L27/11G11C8/16H01L27/1104
    • A multi-port static random access memory for reducing an occpation area of a layout memory cells on a substrate having the improvements from a first plurality of metal electrode layers on a first plurality of active regions included in one unit cell and in other unit cell neighbored to the corresponding one unit cell of the first plurality of metal electrode layers being commonly connected to the power supply source, comprises : a second plurality of the metal electrode layers on second plurality of the active regions and to be independently and separately connected to the power supply source, by every one unit cell in cell array.
    • 一种多端口静态随机存取存储器,用于减少衬底上的布局存储器单元的入口区域,所述衬底具有在包括在一个单元电池中的第一多个有源区域上的第一多个金属电极层和邻近的其它单元电池中的第一多个金属电极层的改进 所述第一多个金属电极层的相应一个单元电池共同连接到所述电源,包括:第二多个所述有源区域上的第二多个所述金属电极层,并且独立且分开地连接到所述电源 供电源,由单元阵列中的每一个单元电池组成。