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    • 3. 发明申请
    • PROCEDE DE FABRICATION D'ELEMENTS OPTIQUES PLANS ET ELEMENTS OBTENUS.
    • 制造平面光学元件的方法和获得的元件
    • WO2009125133A2
    • 2009-10-15
    • PCT/FR2009/050514
    • 2009-03-25
    • SAINT-GOBAIN GLASS FRANCESELLIER, JulienHUIGNARD, ArnaudBRAJER, Xavier
    • SELLIER, JulienHUIGNARD, ArnaudBRAJER, Xavier
    • C03C3/078C03C8/02C03C8/04C03C8/16C03C8/18C03C21/00G02B3/00C03C3/00
    • C03C3/078C03C8/02C03C8/04C03C8/16C03C8/18C03C21/003C03C21/005C03C21/008
    • Le procédé selon l'invention est basé sur l'échange ionique simultané de deux ions ayant une mobilité presque identique avec les ions d'un substrat verrier, l'un au moins des deux ions précités étant mis en œuvre sous la forme d'un émail. Selon un premier mode de réalisation, le procédé comprenant les étapes qui consistent à : a) déposer à la surface d'un substrat verrier qui contient un premier ion une composition d'émail contenant un deuxième ion choisi parmi les ions Ag, Tl, Ba ou Cu, ou leurs précurseurs, sous la forme d'un motif ou d'un réseau de motifs, b) porter le substrat à une température suffisante pour cuire l'émail, c) immerger le substrat dans un sel fondu qui comprend un troisième ion ayant une mobilité presque égale à celle du deuxième ion, d) appliquer un champ électrique au travers du substrat immergé de manière à ce que les deuxièmes ions provenant de l'émail et les troisièmes ions provenant du sel fondu remplacent simultanément les premiers ions dans le substrat, e) retirer le substrat du sel fondu, et f) éliminer l'émail.
    • 根据本发明的方法是基于与玻璃基底的离子实际上具有相同迁移率的两个离子的同时离子交换,两种上述离子中的至少一种以搪瓷的形式使用。 根据第一实施方案,该方法包括以下步骤:a)在含有选自Ag,Tl,Ba或Cu离子或前体的第二离子的搪瓷组合物上沉积含有第一离子的玻璃基底的表面 以图案或图案阵列的形式; b)将基底加热到足够高的温度以使釉质起火; c)将基材浸入含有迁移率几乎等于第二离子迁移率的第三离子的熔融盐中; d)通过浸没的基底施加电场,使得来自釉质的第二离子和来自熔融盐的第三离子同时替代基底中的第一离子; e)从熔融盐中去除底物; 和f)消除搪瓷。
    • 6. 发明申请
    • PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UN REVÊTEMENT
    • 热处理涂料的方法
    • WO2014132000A1
    • 2014-09-04
    • PCT/FR2014/050431
    • 2014-02-27
    • SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE
    • CANOVA, LorenzoSCHWEITZER, Jean PhilippeBRAJER, Xavier
    • C03C17/36B23K26/30B23K26/00
    • C03C17/001C03C17/3618C03C17/3626C03C17/3644C03C17/3652C03C17/366C03C2218/32
    • L'invention a pour objet un procédé de traitement thermique d'un revêtement (1) déposé sur au moins une partie d'une première face (F1) d'un substrat (2) comprenant une première face (F1)et une deuxième face (F2) opposée à ladite première face (F1), dans lequel on traite ledit revêtement (1) au moyen d'un rayonnement laser (3) focalisé sur ledit revêtement (1) sous la forme d'une ligne laser (4) s'étendant selon une première direction (D1), ledit traitement thermique étant tel que l'on crée dans une seconde direction (D2) transverse à ladite première direction (D1)un mouvement de déplacement relatif entre ledit substrat (2) et ladite ligne laser (4), ledit procédé étant caractérisé en ce que l'on chauffe localement ladite deuxième face (F2) à une température d'au moins 30°C dans une zone de chauffage additionnel (5) s'étendant en regard de ladite ligne laser (4) sur une longueur d'au moins 10cm selon ladite seconde direction (D2), à l'aide d'au moins un moyen de chauffage additionnel (6) disposé du côté opposé à ladite ligne laser (4) par rapport audit substrat (2).
    • 本发明涉及一种用于热处理沉积在基板(2)的第一面(F1)的至少一部分上的涂层(1)的方法,所述第一面(F1)包括第一面(F1)和第二面(F2) 面(F1),其包括以在第一方向(D1)上延伸的激光线(4)形式的聚焦在所述涂层(1)上的激光束(3)处理所述涂层(1),所述热 处理使得在横向于所述第一方向(D1)的第二方向(D2)上产生在所述基板(2)和所述激光线(4)之间的相对位移的移动,所述方法的特征在于其涉及局部加热 所述第二面(F2)在与所述激光线(4)相对延伸的另外的加热区域(5)中在至少30℃的温度下在所述第二方向(D2)上至少10cm的长度上使用至少一个 相对于所述基板(2)布置在与所述激光线(4)相对的一侧的附加加热装置(6)。