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    • 3. 发明申请
    • INTEGRIRERTES HALBLEITERBAUELEMENT FÜR HOCHFREQUENZMESSUNGEN UND DESSEN VERWENDUNG
    • INTEGRIRERTES半导体部件进行高频测量及其用途
    • WO2003041117A2
    • 2003-05-15
    • PCT/DE2002/003004
    • 2002-08-16
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzIRION, HansHASCH, Juergen
    • SCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzIRION, HansHASCH, Juergen
    • H01L
    • H03B9/14G01S7/032H01L23/66H01L29/864H01L2224/16145H01L2924/01068H01L2924/12032H01Q9/0435H01Q19/062H01Q23/00H03B9/147H01L2924/00
    • Die Erfindung betrifft ein integriertes Halbleiterbauelement für Hochfrequenzmessungen und dessen Verwendung. Es ist vorgesehen, dass das Halbleiterbauelement Bestandteil einer Halbleiterschaltung (10) aus einer ersten Siliziumschicht (12), einer sich anschliessenden Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und einer nachfolgenden weiteren Siliziumschicht (Strukturschicht (16)) ist (SOI-Wafer), und das Halbleiterbauelement aus einem Impatt-Oszillator (30) mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallisierten Zylinder (18) aus Silizium, eine den Zylinder (18) im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst, sowie einem Referenz-Oszillator (46) niedrigerer Frequenz mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallischen Zylinder (18) aus Silizium und den Zylinder im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und einem über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinger (18) des Resonators (24) in Verbindung stehenden Mikrowellenleiter umfasst, wobei der Referenz-Oszillator über eine aktive Oszillatorschaltung (58) einer Frequenzstabilisierung des Impatt-Oszillators (30) dient, einem Empfangsmischer mit integrierten Schotty-Dioden und einer Sende- und Empfangsantenne besteht.
    • 本发明涉及一种用于高频的测量和它的使用一个集成的半导体器件。 可以预期的是,半导体部件是具有谐振器24的第一硅层12,二氧化硅的绝缘层14的后续层的一个半导体电路10的半导体装置的组分和以下进一步的硅层结构层16的SOI晶片,并且从IMPATT振荡器30,其 包括一个设置在所述结构层16的金属化缸18由硅制成,气缸18中的第一层12覆盖该离合器盘28的区域,和联接盘28的与所述气缸连通IMPATT二极管32,谐振器24的18的凹部38, 和参考振荡器46,具有子24频率较低,硅中的一个布置在结构层16的金属筒18和在第一层12的区域中的气缸覆盖离合器盘28和离合器盘28的凹部38 包括Zylinger通信微波波导中的谐振器24,其中,所述基准振荡器是IMPATT振荡器30的频率稳定的活性振荡器电路58的18,有一个接收混频器具有集成肖特基二极管,以及发射和接收天线。
    • 5. 发明申请
    • MIKROMECHANISCHER RESONATOR
    • 微机械谐振器
    • WO2003041215A1
    • 2003-05-15
    • PCT/DE2002/003003
    • 2002-08-16
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzHASCH, Juergen
    • SCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzHASCH, Juergen
    • H01P7/06
    • H01P7/065
    • Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Resonator mit einem kontaktierbaren Resonanzkörper sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Resonators fur Halbleiterbauelemente. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass der Resonator (26) aufeinander folgend aus einer ersten Schicht (16) aus Silizium, zur schaltungstechnischen Ankopplung des Resonators (26), einer Isolationsschicht (14) aus Siliziumdioxid, einer zylinderförmigen Basisschicht (Zylinder 18) und einer den Zylinder (18) vollständig umschliessenden Metallschicht (20) besteht. Verfahrensgemäss ist vorgsehen, dass in eine über eine Isolationsschicht (14) aus Siliziumdioxid von einer Schicht (16) aus Silizium getrennte Basisschicht (12) aus p-dotiertem Silizium (SOI-Wafer) eine zylinderförmige Struktur (18) (Zylinder) geätzt wird (Trench-Ätzverfahren) und die zylinderförmige Struktur (18) mit einer Metallschicht (20) beschichtet ist.
    • 本发明涉及一种具有谐振体接触微机械谐振器,以及用于制造用于半导体器件的微机械谐振器的方法。 本发明的特征在于,从硅的第一层(16)的谐振器(26)顺序地说,到电路耦合到所述谐振器(26),二氧化硅的绝缘层(14),圆筒状​​的基体层(气缸18)和一个气缸 (18)完全包围所述金属层(20)。 根据一种方法,是vorgsehen,在通孔二氧化硅的绝缘层(14)由p型掺杂的硅(SOI晶片)的硅分离的基座层(12)的层(16)包括圆柱形结构(18)(气缸)进行蚀刻( 沟槽蚀刻)和圆柱形结构(18)与金属层(20)是涂覆的。
    • 6. 发明申请
    • MODULEINHEIT FÜR EINE RADAR-ANTENNENANORDNUNG MIT INTEGRIERTEM HF-CHIP
    • 模块单元与集成HF-CHIP雷达天线安排
    • WO2007062970A1
    • 2007-06-07
    • PCT/EP2006/068271
    • 2006-11-09
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldIRION, HansHASCH, JuergenRUOSS, Hans-Oliver
    • SCHMIDT, EwaldIRION, HansHASCH, JuergenRUOSS, Hans-Oliver
    • G01S7/03H01Q13/24
    • G01S7/032H01Q13/24Y10T29/49826
    • Die offenbarte Moduleinheit für eine Radar-Antennenanordnung mit einem integrierten HF-Chip (100) mit wenigstens einem eine Mikrowellenstruktur aufweisendes Antennenelement, mit einem im Strahlengang der Radar-Antennenanordnung vor dem wenigstens einen Antennenelement angeordneten Fokussierelement (200), mittels dessen eine verstärkte Ausleuchtung des HF-Chips (100) erreicht wird, weist insbesondere eine Anbauvorrichtung (115, 120) auf, mittels der Fokussierelemente (200) unterschiedlicher Antennencharakteristik an die Moduleinheit angebaut werden können. Die Anbauvorrichtung ist bevorzugt durch Befestigungsmittel wie Klemmvorrichtungen (120), Steckvorrichtungen oder dergleichen gebildet. Zusätzlich können Positionsvorrichtungen (115) angeordnet sein, mittels derer das Fokussierelement (200) mit der erforderlichen Präzision an die Moduleinheit angebaut werden kann.
    • 用于具有集成的RF芯片(100)与至少一个微波结构到所述至少一个天线元件表现出天线元件,具有雷达天线组件的波束路径现有的雷达天线装置所公开的模块单元,被布置聚焦元件(200),通过该增强的照明 RF芯片(100)被实现的,特别地包括安装装置(115,120)中,由不同的天线特性的聚焦元件(200)的装置可以被安装在模块单元上。 优选通过紧固形成在安装装置是指,例如终端装置(120),插头等。 此外,位置装置(115)可被布置,借助于该聚焦元件(200)可以与所需的精度到模块单元中生长。
    • 7. 发明申请
    • HOCHFREQUENZ-OSZILLATOR FÜR EINE INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG UND DESSEN VERWENDUNG
    • 高频振荡器的集成半导体电路及其使用
    • WO2003041173A1
    • 2003-05-15
    • PCT/DE2002/002940
    • 2002-08-09
    • ROBERT BOSCH GMBHPFIZENMAIER, HeinzHASCH, Juergen
    • PFIZENMAIER, HeinzHASCH, Juergen
    • H01L27/12
    • H01L21/84H01L27/1203H01P7/065
    • Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Oszillator für eine integrierte Halbleiterschaltung und dessen Verwendung. Der Hochfrequenz-Oszillator (30) ist Bestandteil der Halbleiterschaltung (10) die eine erste Siliziumschicht (12), eine sich anschliessende Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und eine nachfolgende weitere Siliziumschicht (Struckturschicht) 16)) umfasst (SOI-Wafer), wobei der Hochfrequenz-Oszillator (30) (a) einen Resonator (24) mit einem in der Strukturschicht (16) angeordneten, metallisierten Zylinder (18) aus Silizium und einer den Zylinder (18) im Bereich der Schicht (12) überdeckenden Ankopplungsscheibe (28) sowie (b) eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst.
    • 本发明涉及一种用于集成半导体电路及其中使用的高频振荡器。 高频振荡器(30)是包括第一硅层(12),随后的二氧化硅层(绝缘层(14))的半导体电路(10)的成分和以下进一步的硅层(Struckturschicht)16))包括(SOI晶片), 其中硅的(a)中的谐振器(24)布置成与一个在所述结构层(16)的高频振荡器(30),金属化的圆柱体(18)和在该层的区域覆盖所述联接盘的气缸(18)(12)( 包括:(28)和(b)耦合圆盘(28)与通信IMPATT二极管(32谐振器(24)的气缸18)的(凹部38))。
    • 9. 发明申请
    • ANTENNENANORDNUNG FÜR EINEN RADAR-TRANSCEIVER UND SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SPEISEN EINER ANTENNENANORDNUNG EINES SOLCHEN RADAR-TRANSCEIVERS
    • 天线布置,对粮食的天线布置,雷达收发器的雷达收发机和电路
    • WO2009077235A1
    • 2009-06-25
    • PCT/EP2008/064165
    • 2008-10-21
    • ROBERT BOSCH GMBHHASCH, JuergenSCHMIDT, Ewald
    • HASCH, JuergenSCHMIDT, Ewald
    • H01Q1/32H01Q3/30H01Q9/04H01Q19/06H01Q25/02
    • H01Q1/3233H01Q3/30H01Q9/0414H01Q9/0421H01Q19/062H01Q25/02
    • Eine Antennenanordnung für Radar-Transceiver, insbesondere zur Abstands-und/oder Geschwindigkeitsermittlung im Umfeld von Fahrzeugen, wobei ein erster Antennenteil auf einem Träger (5) angeordnet ist und ein zweiter Antennenteil auf einem weiteren, von dem ersten im Abstand angeordneten Träger (59) angeordnet ist, weist folgende Merkmale auf: - der erste Antennenteil weist zwei im Wesentlichen rechteckförmige Primärerregerpatches (10, 20) auf, die an jeweils einer Kante aneinander grenzen und dort gegen Masse kurzgeschlossen sind; - die beiden Primärerregerpatches (10, 20) weisen zwei separate Speiseleitungen (11, 12) auf; - der zweite Antennenteil umfasst zwei voneinander getrennte rechteckförmige Sekundärerregerpatches (51, 52), die die Primärerregerpatches (10, 20) teilweise überdecken und im Bereich des Massekurzschlusses (40) der Primärerregerpatches (10, 20) in Abstrahlrichtung einen wenigstens den Massekurzschluss (40) freigebenden Abstand (A) voneinander aufweisen.
    • 用于雷达收发机的天线装置,特别是用于车辆的领域,其中,所述天线的上的支撑件(5)的第一部分被布置和一个第二天线部分到另一个,从所述第一间隔的载波的距离和/或速度的检测(59) 是布置,具有以下特征: - 第一天线部分包括两个基本上矩形的主励磁机的补丁(10,20),其彼此邻接的相应的边缘和短路那里到地; - 两个主励磁机的补丁(10,20)具有两个独立的进料管线(11,12); - 所述第二天线部分包括两个分开的矩形的次级励磁补丁(51,52)连接的主励磁机的补丁(10,20)部分地重叠,并且在所述主激励贴片的在发射方向上的接地短路(40)(10,20)的至少接地短路的面积(40) 从彼此释放距离(A)。
    • 10. 发明申请
    • ANTENNENANORDNUNG FÜR EINEN RADAR-SENSOR
    • 天线安排雷达传感器
    • WO2007062971A1
    • 2007-06-07
    • PCT/EP2006/068309
    • 2006-11-09
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldHASCH, Juergen
    • SCHMIDT, EwaldHASCH, Juergen
    • G01S13/93H01Q23/00H01Q9/04H01Q1/32H01Q19/06
    • H01Q9/0414H01Q1/3233H01Q9/0421H01Q19/062H01Q23/00
    • Eine Antennenanordnung für einen Radar-Sensor, insbesondere zur Abstands- und/oder Geschwindigkeitsermittlung im Umfeld von Kraftfahrzeugen, wobei wenigstens ein erster Teil einer Antenne auf einem Chip (100) angeordnet ist, der wenigstens einen Teil der Sende- und Empfangseinheiten des Radar-Sensors enthält, und wenigstens ein zweiter strahlungsgekoppelter Teil (220) im Abstand von dem ersten Teil über dem Chip angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass der erste Teil wenigstens ein Erreger- /Empfänger-Element (120) umfasst, das Teil eines den Chip (100) bildenden Halbleiterbauelements ist, und dass der zweite Teil ein auf einem Träger (200) angeordnetes Resonatorelement (220) mit einer größeren Fläche als die Fläche des Erregerelements ist.
    • 用于雷达传感器具有至少雷达传感器的发射器和接收器单元的一部分的天线系统,特别是用于机动车辆的环境的距离和/或速度的检测,其特征在于,至少一个天线的第一部分被布置在芯片(100)上 包括,并且至少从所述第一部分间隔开的第二辐射耦合部(220)被布置在所述芯片,其特征在于,所述第一部分包括至少一个激励器/接收器元件(120),这是芯片的一部分( 100形成)的半导体器件,并且所述第二部件是一个载体(200)是具有比通电元件的面积大的面积设置于谐振器(220)上。