专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008003568A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：微机械部件，方法和用途
公开(公告)号：WO2008003568A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/EP2007/055743
申请日：2007-06-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , RUDHARD, Joachim , LAMMER, Marco , MUELLER, Thorsten
发明人： RUDHARD, Joachim , LAMMER, Marco , MUELLER, Thorsten
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4143
摘要： Es wird ein mikromechanisches Bauelement (10) mit einem einen Gate-Kontakt (21) und einen Gate-Oxidbereich (22) aufweisenden Feldeffekttransistor sowie ein Herstellungsverfahren und eine Verwendung vorgeschlagen, wobei das Bauelement eine Kavität (30) zwischen dem Gate-Oxidbereich (22) und dem Gate-Kontakt (21) aufweist und wobei das Bauelement (10) monolithisch aufgebaut ist.
摘要翻译：它是具有栅极接触（21）和栅极氧化区（22），其包括场效应晶体管及其制造方法的微机械部件（10），并提出了使用其中组分（栅极氧化区之间的空腔（30）22 有）和栅极接触（21），并且其中所述装置（10）单片构成。

2. 发明申请

WO2010012547A2 VERFAHREN ZUM VERKAPPEN EINES MEMS-WAFERS SOWIE MEMS-WAFER 审中-公开
标题翻译：方法一封盖MEMS晶片和晶片MEMS
公开(公告)号：WO2010012547A2
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/EP2009/057989
申请日：2009-06-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , RUDHARD, Joachim , MUELLER, Thorsten
发明人： RUDHARD, Joachim , MUELLER, Thorsten
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2203/0136
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkappen eines MEMS-Wafers (1) insbesondere eines Sensor- und/oder Aktorwafers, mit mindestens einem mechanischen Funktionselement (10). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das bewegliche mechanische Funktionselement (10) mittels einer Opferschicht (14) fixiert wird, und dass auf die Opferschicht (14) und/oder auf mindestens eine auf die Opferschicht (14) aufgebrachte Zwischenschicht (17) eine Kappenschicht (19) aufgebracht, insbesondere epitaktisch aufgewachsen, wird. Ferner betrifft die Erfindung einen verkappten MEMS-Wafer (1).
摘要翻译：本发明涉及一种用于特别是传感器和/或Aktorwafers的封盖的MEMS晶片（1），具有至少一个机械的功能元件（10）。根据本发明，提供的是通过牺牲层的装置中的可移动的机械功能元件（10），（14）是固定的，并且所述牺牲层（14）和/或施加在中间层上的牺牲层中的至少一个（14）（17）的帽层（19 ）被施加，特别是外延生长的，是。此外，本发明涉及一种加帽的MEMS晶片（1）。

3. 发明申请

WO2009115359A1 ABGASBEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR EINE CVD-VORRICHTUNG, CVD-VORRICHTUNG SOWIE ABGASBEHANDLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：废气处理装置对于设备CVD，化学气相淀积设备，排气处理过程
公开(公告)号：WO2009115359A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2009/050793
申请日：2009-01-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , RUDHARD, Joachim , MUELLER, Thorsten
发明人： RUDHARD, Joachim , MUELLER, Thorsten
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/345 , Y02C20/30
摘要： Die Erfindung betrifft eine Abgasbehandlungsvorrichtung (9) für einen CVD-Vorrichtung (1) zum Abscheiden von siliziumreichen Nitrid in einem CVD-Prozess, insbesondere in einem LPCVD-Prozess. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass eine Nachbehandlungskammer (8) vorgesehen ist, in die Ammoniakgas dosierbar ist. Ferner betrifft die Erfindung eine CVD-Vorrichtung (1) sowie ein Abgasbehandlungsverfahren (9).
摘要翻译：本发明涉及一种废气处理装置（9），用于CVD装置（1），用于在LPCVD法在CVD工艺沉积富硅氮化物，尤其如此。根据本发明，它提供了一个处理室（8）设有可定量加入氨气。此外，本发明涉及一种CVD装置（1）和排气的处理方法（9）。

4. 发明申请

WO2010069642A1 BAUTEIL MIT EINER DURCHKONTAKTIERUNG UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN BAUTEILS 审中-公开
标题翻译：通过A和方法用于制造这种COMPONENT COMPONENT
公开(公告)号：WO2010069642A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/EP2009/063733
申请日：2009-10-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TRAUTMANN, Achim , MUELLER, Thorsten
发明人： TRAUTMANN, Achim , MUELLER, Thorsten
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Bauteil (1) mit einer Durchkontaktierung zur elektrischen Verbindung zwischen einer ersten (10) und einer zweiten Ebene (20) eines Substrates (2) beschrieben. Dabei weist das Substrat (2) ein Bohrloch (5) mit einer Innenwand (8) auf, die beschichtet ist mit einer Leitschicht (6) aus einem elektrisch leitfähigen Material, wobei zwischen der Innenwand (8) und der Leitschicht (6) eine Zwischenschicht (7) angeordnet ist. Es wird vorgeschlagen, dass die Zwischenschicht (7) elektrisch isolierendes SiC umfasst. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils (1) erläutert.
摘要翻译：本发明描述了通过用于第一（10）之间的电连接具有一个装置（1）与衬底（2）的第二平面（20）。（5）具有在这种情况下，衬底（2）的钻孔的内壁（8），该涂覆有导电层（6）的导电材料制成，其中所述内壁（8）之间和导电层（6），中间层（7）布置。它建议，所述中间层（7）包括电绝缘的SiC。另外，用于制造这样的部件（1）的方法进行说明。

5. 发明申请

WO2012156185A2 VERFAHREN ZUM BEWERTEN DER FUNKTIONSFÄHIGKEIT EINES KRAFTSTOFFEINSPRITZSYSTEMS EINER BRENNKRAFTMASCHINE 审中-公开
标题翻译：法量运算内燃发动机的燃料喷射系统的
公开(公告)号：WO2012156185A2
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/057543
申请日：2012-04-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ZEIDLER, Johannes , MUELLER, Thorsten
发明人： ZEIDLER, Johannes , MUELLER, Thorsten
CPC分类号： F02D41/22 , F02D41/3836 , F02D2041/224 , F02D2200/0602
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bewerten der Funktionsfähigkeit eines Kraftstoffeinspritzsystems einer Brennkraftmaschine aufweisend einen Hochdruckspeicher für Kraftstoff und eine Hochdruckpumpe zum Pumpen von Kraftstoff in den Hochdruckspeicher, wobei während einer Druckaufbauphase (t 0 -t 2 ) der Druck (301, 302, 303) in dem Hochdruckspeicher durch Betätigung der Hochdruckpumpe erhöht wird, wobei anschließend die Betätigung der Hochdruckpumpe beendet wird, so dass der Druck (301, 302, 303) in dem Hochdruckspeicher während einer Druckabfallphase (>t 2 ) absinkt, wobei der zeitliche Verlauf (301, 302, 303) einer den Druck in dem Hochdruckspeicher kennzeichnenden Größe während der Druckaufbauphase (t 0 -t 2 ) und während der Druckabfallphase (>t 2 ) erfasst wird, wobei die Funktionsfähigkeit des Kraftstoffeinspritzsystems basierend auf dem während der Druckaufbauphase (t 0 -t 2 ) und während der Druckabfallphase (>t 2 ) erfassten zeitlichen Verlauf (301, 302, 303) der Größe bewertet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种评估包括用于燃料的高压蓄能器和用于其中在在所述高压蓄压器中的压力的压力增加阶段（T0-T2）（301，302，303）泵送燃料到高压蓄压器，高压泵的内燃机的燃料喷射系统的可操作性的方法在此之后，高压泵的动作停止，从而使压力（301，302，303）中的高压蓄能器，而压力降相（> t2）的增加通过操作高压泵，降低其中所述时间曲线（301，302，303）当检测到的压力增加阶段（T0-T2）期间，高压蓄压器的特性值的压力和压降相（> T2）时，其中，所述燃料喷射系统的基础上，其中，在压力累积相位（T0-T2）和过程中的压力降相（> t2时功能）随时间（301，302，303 BEW）的尺寸检测是ertet。

6. 发明申请

WO2012098135A1 AUTHENTIFIZIERUNG VON VERSCHLÜSSELTEN DATENBLÖCKEN 审中-公开
标题翻译：加密后的数据块的AUTHENTICATION
公开(公告)号：WO2012098135A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/EP2012/050671
申请日：2012-01-18
申请人： ROHDE & SCHWARZ GMBH & CO. KG , MUELLER, Thorsten , EICHLER, Stephan
发明人： MUELLER, Thorsten , EICHLER, Stephan
IPC分类号： H04L9/06 , H04L9/32
CPC分类号： H04L9/28 , H04L9/0643 , H04L9/3236
摘要： Eine Authentifizierungs-Verschlüsselungseinheit (6) weist zumindest eine Verschlüsselungsstufe (30 1 bis 30 n ) auf, wobei jede Verschlüsselungsstufe (30 1 bis 30 n ) einen Klardatenblock (34 1 bis 34 n ) verschlüsselt und dabei einen Chiffrierdatenblock (35 1 bis 35 n ) generiert. Über jeden Chiffrierdatenblock (35 1 bis 35 n ) wird eine gemeinsame Prüfsumme (15 1 ) berechnet. Über eine Auswahleinheit ( 52 1 bis 52 n ) ist erfindungsgemäß innerhalb jeder Verschlüsselungsstufe (30 1 bis 30 n ) auswählbar, welche Datenbits innerhalb jedes Chiffrierdatenblocks (35 1 bis 35 n ) für die Berechnung der gemeinsamen Prüfsumme (15 1 ) zu verwenden sind.
摘要翻译：认证加密单元（6）至少包括加密级别（301〜30N），每个加密的加密阶段（301〜30N）具有明显的数据块（341到34n），并由此生成Chiffrierdatenblock（351〜35N）。大约每Chiffrierdatenblock（351〜35N）计算一个共同的校验和（151）。根据每个加密级别内的本发明的选择单元（521〜52N）（301〜30N）可被选择，这将被用于共同的校验和（151）的计算每个Chiffrierdatenblocks内的数据位（351〜35N）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式