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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM FERTIGEN EINER SOLARZELLE MIT EINER DOPPELLAGIGEN DIELEKTRIKUMSCHICHT
    • 一种用于制造太阳电池的双层电介质层
    • WO2009030299A2
    • 2009-03-12
    • PCT/EP2008/005339
    • 2008-06-30
    • Q-CELLS AGHULJIC, DominikBRENDLE, Willi
    • HULJIC, DominikBRENDLE, Willi
    • H01L31/0216H01L31/18H01L31/068
    • H01L31/02168H01L31/056H01L31/068H01L31/1868H01L31/208Y02E10/52Y02E10/547Y02P70/521
    • Es wird ein Verfahren zum Fertigen einer Silizium-Solarzelle vorgestellt, das die folgenden Prozessschritte in der angegebenen Reihenfolge aufweist: Bereitstellen eines Siliziumsubstrates (1); Erzeugen einer ersten Dielektrikumschicht (5) an einer zu beschichtenden Oberfläche (3) des Siliziumsubstrates (1); und Erzeugen einer zweiten Dielektrikumschicht (7) in Form einer Siliziumdioxidschicht an einer Grenzfläche zwischen der ersten Dielektrikumschicht (5) und der zu beschichtenden Oberfläche des Siliziumsubstrates (1) durch thermische Oxidation. Durch das vorgestellte Verfahren kann einerseits die erste Dielektrikumschicht (5) verschiedenen Zwecken wie zum Beispiel einer Wirkung als Diffusionsbarriere oder Ätzbarriere während der Fertigung selbst und einer Eigenschaft als Antireflexschicht oder Rückseiten-Spiegel-Schicht für die fertige Solarzelle dienen, während andererseits die zweite Dielektrikumschicht (7) für eine optimale Oberflächenpassivierung des Siliziumwafers (1) sorgen kann.
    • 制造提出了一个硅太阳能电池,包括在给定顺序的以下处理步骤的方法,包括:提供硅衬底(1); 在表面上产生的第一电介质层(5)待涂覆(1)在硅基板(3); 并且在所述第一电介质层(5)和所述表面之间的界面中产生的二氧化硅层的形式的第二电介质层(7)要涂覆的硅衬底(1)通过热氧化的。 所提出的方法中,第一电介质层(5)不同的目的,一方面,如使用,例如,一个动作作为扩散阻挡层或蚀刻本身生产过程停止和属性作为防反射层或背面反射镜层的完成的太阳能电池,而另一部分(第二电介质层 可以提供7)(用于在硅晶片1)的最佳表面钝化。