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1. 发明申请

WO2009024125A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电半导体模块和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009024125A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/DE2008/001327
申请日：2008-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖHLER, Steffen , ENGL, Moritz , SINGER, Frank , GRÖTSCH, Stefan , ZEILER, Thomas , WEISS, Mathias
发明人： KÖHLER, Steffen , ENGL, Moritz , SINGER, Frank , GRÖTSCH, Stefan , ZEILER, Thomas , WEISS, Mathias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/483 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleitermodul angegeben mit einem Chipträger (9), einem auf dem Chipträger montierten lichtemittierenden Halbleiterchip (10) und einem Abdeckelement (5), das eine zumindest teilweise lichtdurchlässige Abdeckplatte (300), die auf der von dem Chipträger abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist, und ein Rahmenteil (100) aufweist, wobei das Rahmenteil den Halbleiterchip seitlich umgibt, fügeschichtlos mit der Abdeckplatte verbunden ist und an seiner von der Abdeckplatte entfernten Seite mit dem Chipträger verbunden ist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleitermoduls angegeben.
摘要翻译：它是设置有芯片载体（9）的光电子半导体模块，一个安装在芯片载体的半导体发光芯片（10）和（5），其具有从所述半导体芯片的芯片载体侧背向侧的至少部分透明的覆盖板（300）的盖上被布置，并具有框架构件（100），其中，所述框架构件围绕所述半导体芯片侧，是连接到盖板fügeschichtlos，并且在其侧从盖侧到芯片载体连接的遥控器。此外，被指定用于制造光电子半导体模块的方法。

2. 发明申请

WO2003043103A3 NONWOVEN SEPARATOR FOR ELECTROCHEMICAL CELL 审中-公开
公开(公告)号：WO2003043103A3
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/US2002/035924
申请日：2002-11-08
申请人： EVEREADY BATTERY COMPANY, INC. , CARL FREUDENBER KG , AUDEBERT, Jean-Francois , FEISTNER, Hans-Joachim , WEISS, Mathias , FREY, Gunter , FARER, Raoul , THRASHER, Gary, Lee
发明人： AUDEBERT, Jean-Francois , FEISTNER, Hans-Joachim , WEISS, Mathias , FREY, Gunter , FARER, Raoul , THRASHER, Gary, Lee
IPC分类号： H01M2/16
摘要： The invention pertains to an alkaline cell or battery with at least one positive and one negative electrode, which are separated by a separator and situated together with an alkaline electrolyte in a casing, wherein the separator has a basis weight of 20-30 g/m 2 , a thickness in the dry state of less than 0.15 mm and an average pore size less than 14 ?m.

3. 发明申请

WO2010115730A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SOLARZELLEN MIT SELEKTIVEM EMITTER 审中-公开
标题翻译：用于生产太阳能电池的选择性发射极
公开(公告)号：WO2010115730A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/053985
申请日：2010-03-26
申请人： BOSCH SOLAR ENERGY AG , WUETHERICH, Tobias , LOSSEN, Jan , WEISS, Mathias , MEYER, Karsten
发明人： WUETHERICH, Tobias , LOSSEN, Jan , WEISS, Mathias , MEYER, Karsten
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. Solarzellen mit selektivem Emitter. Zunächst werden sägeschadenfreie Wafer (1) bereitgestellt. Es erfolgt dann ein vollflächiges Aufbringen einer Dotierquelle (2) auf den Wafer sowie ein leichtes, erstes Eindiffundieren des Dotanden bis zum Erreichen eines ersten Schichtwiderstandsbereichs. Hieran schließt sich eine Strukturierung der aufgebrachten Dotierquelle an, wobei im Ergebnis der Strukturierung nur solche Bereiche (4) verbleiben, die im Wesentlichen den später zu kontaktierenden Abschnitten auf dem Wafer entsprechen. Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产的方法。太阳能电池的选择性发射极。设置有第一sägeschadenfreie晶片（1）。然后有一个掺杂剂源（2），以在晶片和扩散所述第一掺杂剂以达到第一薄层电阻范围内的光的全面积应用。这之后是由所施加的掺杂剂源的结构连接到，并且保持在图案化的结果，只有那些（4）对应于所述后部分的区域要在晶片上大致接触。有正在执行从掺杂剂源的剩余区域的另一第二扩散进入晶片体积内，以获得所述的选择性发射极的第二薄层电阻范围（4）和在所述第一扩散掺杂剂（5）的目的所导入的同时再分配降低在未覆盖有掺杂剂源，前提条件是所述第一薄层电阻范围的薄层电阻值比所述第二薄层电阻范围的较大的表面附近区域中的掺杂浓度。

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